。規(guī)定m是由于在ZnO相和 In2O3相結(jié)合的化合物中，ZnO在與In 203的關(guān)系中顯示任意的比率。
[0069] 接著，對(duì)通過(guò)上述X射線衍射檢出的確定本發(fā)明的化合物進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0070] (關(guān)于Zn2SnOj^合物和InGaZnO 4化合物）
[0071] Zn2SnO4化合物（相）是構(gòu)成本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體的ZnO與SnO 2結(jié)合而形成的 化合物。另外，InGaZnO4化合物（相）是構(gòu)成本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體的In、Ga和Zn結(jié)合 而形成的氧化物。在發(fā)明中，上述化合物大大有助于氧化物燒結(jié)體的相對(duì)密度的提高和電 阻率的降低。其結(jié)果是，能夠持續(xù)得到穩(wěn)定的直流放電，異常放電抑制效果提高。
[0072] 在本發(fā)明中，包含上述Zn2SnO4相和InGaZnO 4相作為主相。在此，"主相"是指， Zn2SnO4相和InGaZnO4相的合計(jì)比率在通過(guò)上述X射線衍射檢出的全部化合物中，比率最多 的化合物。
[0073] 另外，在本發(fā)明的上述Zn2SnO4相、InGaZnO 4相之中，還包含Zn 2Sn04、InGaZnO4中分 另IJ固溶有In、Ga和/或Sn的物質(zhì)。
[0074] 為了制成抑制異常放電、并利用濺射法制造能夠穩(wěn)定地成膜的氧化物燒結(jié)體， Zn2SnO4相、InGaZnO 4相相對(duì)于由上述X射線衍射確定的上述化合物相（Zn 2Sn04相、InGaZnO 4 相、In2O3相、SnO2相及（ZnO) mln203相）（m為2以上且5以下的整數(shù)）的合計(jì)的體積比必須 滿足下述⑴?（3)。
[0075] (I) : [Zn2SnO4]+ [InGaZnO4]的比率（（Zn2SnOjg +InGaZnO 4相）AZn 2Sn0jg +InGaZnO4相+In 203相+SnO 2相+(ZnO) Jn2O3相；以下，稱為比率（1)。）彡75體積％ (以 下，將各相的"體積％ "僅記為" ％ "）
[0076] 若比率⑴變小則異常放電發(fā)生率變高，因此必須為75%以上，優(yōu)選為80%以上， 更優(yōu)選為85%以上。另一方面，對(duì)于上限，在性能上越高越好，例如可以為100%，從制造容 易性的觀點(diǎn)出發(fā)優(yōu)選為95%以下，更優(yōu)選為90%以下。
[0077] (2) : [Zn2SnO4]的比率（Zn2SnOjg AZn 2Sn04相 +InGaZnO 4相 +In 203相 +SnO 2相 + (ZnO)mIn2O3相）；以下，稱為比率⑵）彡30%
[0078] 即使?jié)M足上述比率（1)，若比率（2)小，則有時(shí)不能充分地得到異常放電抑制效 果，因此必須為30%以上，優(yōu)選為40%以上，更優(yōu)選為50%以上，進(jìn)一步優(yōu)選為55%以上。 另一方面，對(duì)于上限沒(méi)有特別限定，從確保InGaZnO 4相的觀點(diǎn)出發(fā)優(yōu)選為90%以下，更優(yōu)選 為80%以下，進(jìn)一步優(yōu)選為70%以下。
[0079] (3) : [InGaZnO4]的比率（InGaZnOjg AZn 2Sn04相 +InGaZnO 4相 +In 203相 +SnO 2相 + (ZnO)mIn2O3相）；以下，稱為比率⑶）彡10%
[0080] 即使?jié)M足上述比率（1)和/或比率（2)，若比率（3)小，則不能提高相對(duì)密度，有 時(shí)不能充分地得到異常放電抑制效果，因此必須為10%以上，優(yōu)選為12%以上，更優(yōu)選為 15%以上。另一方面，對(duì)于上限沒(méi)有特別限定，從確保Zn 2SnO4相的觀點(diǎn)出發(fā)優(yōu)選為60%以 下，另外，從制造容易性的觀點(diǎn)出發(fā)，更優(yōu)選為30%以下，進(jìn)一步優(yōu)選為25%以下。
[0081] 本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體的化合物相優(yōu)選實(shí)質(zhì)上由Zn2SnO4相、InGaZnO 4相、In 203 相、SnO2相及（ZnO) Jn2O3相（m為2以上且5以下的整數(shù)）構(gòu)成，這些化合物相在全部化合 物相中所占比例優(yōu)選為75%以上。需要說(shuō)明的是，這些化合物相之中，可以不含In 2O3相、 SnO2相及（ZnO) mln203相（m為2以上且5以下的整數(shù)）。作為其它能夠包含的化合物相，可 以以25%以下的比例包含制造上不可避免地生成的InGaZn 2O5相、ZnGa2O4相、（ZnO) Jn2O3 相（m為6以上的整數(shù)）等。這些化合物相之中，優(yōu)選不含InGaZn2O5相。需要說(shuō)明的是，不 可避免地生成的化合物相的比例能夠通過(guò)XRD進(jìn)行測(cè)定。
[0082] 此外，本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體的相對(duì)密度為85%以上。通過(guò)提高氧化物燒結(jié)體的 相對(duì)密度，不僅能夠進(jìn)一步提高上述異常放電的發(fā)生抑制效果，還帶來(lái)持續(xù)地保持穩(wěn)定的 放電到靶壽命為止等優(yōu)點(diǎn)。為了得到這樣的效果，需要本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體的相對(duì)密度 為至少85%以上，優(yōu)選為90%以上，更優(yōu)選為95%以上。另外，相對(duì)密度優(yōu)選為110%以下， 更優(yōu)選為105 %以下。
[0083] 氧化物燒結(jié)體的相對(duì)密度通過(guò)阿基米德法求出。
[0084] 另外，為了得到具有高載流子迀移率和異常放電發(fā)生抑制效果的上述相構(gòu)成的氧 化物燒結(jié)體，優(yōu)選分別適當(dāng)?shù)乜刂蒲趸餆Y(jié)體中所含金屬元素的含量。
[0085] 具體來(lái)說(shuō)，將氧化物燒結(jié)體中所含各金屬元素（鋅、銦、鎵、錫）相對(duì)于除去氧的全 部金屬元素的含量（原子％ )的比例分別設(shè)為[Zn]、[In]、[Ga]、[Sn]時(shí)，優(yōu)選滿足下述式 (4)?（6)。
[0086] 40原子％彡[Zn]彡50原子％…（4)
[0087] 30 原子（[In] + [Ga])彡 45 原子（5)
[0088] (其中，[In]為4原子％以上、[Ga]為5原子％以上）
[0089] 15原子％彡[Sn]彡25原子％…（6)
[0090] 在本說(shuō)明書中[Zn]是指，Zn相對(duì)于除去氧（0)的全部金屬元素（Zn、In、Ga以及 Sn)的含量（原子％ ;以下，將各金屬元素的含量"原子％ "僅記為" ％"）。同樣地[In]、 [Ga]以及[Sn]分別是指In、Ga以及Sn相對(duì)于除去氧（0)的全部金屬元素（Zn、In、Ga以 及Sn)的各含量的比例（原子％ )。
[0091] 首先，上述式（4)是規(guī)定了全部金屬元素中的Zn比（[Zn])的式子，主要是從將上 述Zn 2SnO4相、InGaZnO4相控制為上述規(guī)定的比率（1)?（3)的觀點(diǎn)出發(fā)而設(shè)定的。若[Zn] 過(guò)少，則難以滿足上述化合物相的比率（1)?（3)，不能充分地得到異常放電抑制效果。因 此[Zn]優(yōu)選為40%以上，更優(yōu)選為42%以上。另一方面，若[Zn]變得過(guò)高，則相對(duì)地In、 Ga、Sn的比率降低，反而不能得到期望的化合物相的比率，因此優(yōu)選為50%以下，更優(yōu)選為 48%以下。
[0092] 另外，上述式（5)是規(guī)定了全部金屬元素中的In比和Ga比的合計(jì)（[In] + [Ga]) 的式子，主要是從將InGaZnO4相控制在上述規(guī)定的比率（1)、（3)的觀點(diǎn)出發(fā)而設(shè)定的。若 [In] + [Ga]過(guò)少，則難以滿足上述化合物相的比率（1)、（3)。因此[In] + [Ga]優(yōu)選為30% 以上，更優(yōu)選為32%以上。另一方面，若[In] + [Ga]過(guò)多，則上述化合物相的比率（2)相對(duì) 地降低，因此優(yōu)選為45%以下，更優(yōu)選為43%以下。
[0093] 需要說(shuō)明的是，In和Ga均為必要元素，[In]優(yōu)選為4%以上，更優(yōu)選為5%以上。 若[In]過(guò)少，則不能達(dá)成氧化物燒結(jié)體的相對(duì)密度提高效果和電阻率的降低，成膜后的氧 化物半導(dǎo)體膜的載流子迀移率也變低。
[0094] 另外，[Ga]優(yōu)選為5%以上，更優(yōu)選為10%以上。若[Ga]過(guò)少，則上述化合物相 的比率（3)有時(shí)相對(duì)地降低。
[0095] 上述式（6)是規(guī)定了全部金屬元素中的Sn比（[Sn])的式子，主要是從將上述 Zn2SnO4相控制在上述規(guī)定的比率（1)、（2)的觀點(diǎn)出發(fā)而設(shè)定的。若[Sn]過(guò)少，則有時(shí)難 以滿足上述化合物相的比率（1)、（2)，因此優(yōu)選為15%以上，更優(yōu)選為16%以上。另一方 面，若[Sn]過(guò)多，則上述化合物相的比率⑶相對(duì)地降低，因此優(yōu)選為25%以下，更優(yōu)選為 22%以下。
[0096] 金屬元素的含量控制在上述范圍內(nèi)即可，另外，意在本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體中，還 可以包含制造上不可避免地生成的氧化物。
[0097] 另外，為了更進(jìn)一步提高異常放電抑制效果，優(yōu)選將氧化物燒結(jié)體的晶粒的平均 晶粒直徑細(xì)微化。具體來(lái)說(shuō)，通過(guò)將在氧化物燒結(jié)體（或使用該氧化物燒結(jié)體的濺射靶）的 斷裂面（將氧化物燒結(jié)體在任意的位置沿厚度方向切斷，其切斷面表面的任意的位置）通 過(guò)SEM(掃描型電子顯微鏡）觀察到的晶粒的平均晶粒直徑優(yōu)選設(shè)為30 μ m以下，能夠更進(jìn) 一步抑制異常放電的發(fā)生。更優(yōu)選的平均晶粒直徑為25 μ m以下，進(jìn)一步優(yōu)選為20 μ m以 下。另一方面，平均晶粒直徑的下限沒(méi)有特別限定，若使結(jié)晶粒過(guò)于細(xì)微化，則相對(duì)密度有 時(shí)降低，因此平均晶粒直徑的優(yōu)選的下限為3 μ m左右，更優(yōu)選為5 μπι以上。
[0098] 對(duì)于晶粒的平均晶粒直徑，利用SEM(倍率：400倍）觀察氧化物燒結(jié)體（或?yàn)R射 靶）斷裂面的組織，沿任意的方向作出IOOym的長(zhǎng)度的直線，求出該直線內(nèi)所含晶粒的數(shù) 量（N)，將由[100/Ν]算出的值作為該直線上的平均晶粒直徑。在本發(fā)明中以20 ym以上的 間隔作出20條直線并算出"各直線上的平均晶粒直徑"，將進(jìn)一步由[各直線上的平均晶粒 直徑的合計(jì)/20]算出的值作為晶粒的平均晶粒直徑。
[0099] 此外，使用本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體得到的濺射靶的特征在于，電阻率為1 Ω ·_以 下，優(yōu)選為10<Ω · cm以下，更優(yōu)選為KT2 Ω · cm以下，進(jìn)一步優(yōu)選KT3 Ω · cm以下。由此， 能夠成為進(jìn)一步抑制單層濺射中的異常放電的成膜，能夠在顯示裝置的生產(chǎn)線上高效進(jìn)行 使用濺射靶的物理蒸鍍（濺射法）。另外，濺射靶的電阻率優(yōu)選為1〇_ 7Ω ·_以上，更優(yōu)選 為ICT6 Ω · cm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為ICT5 Ω · cm以上。
[0100] 濺射靶的電阻率是通過(guò)四端子法而求得的。
[0101] 接著，對(duì)制造本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體的方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0102] 本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體是將氧化鋅、氧化銦、氧化鎵和氧化錫混合并燒結(jié)而得到 的，另外，濺射靶能夠通過(guò)加工氧化物燒結(jié)體來(lái)制造。圖1中示出了將氧化物的粉末（a)混 合、粉碎一（b)干燥、造粒一（c)預(yù)備成形一（d)脫