一種循環(huán)式大量晶體連續(xù)培養(yǎng)裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及晶體培養(yǎng)設備領域，尤其是一種循環(huán)式大量晶體連續(xù)培養(yǎng)裝置。
【背景技術】
[0002]連續(xù)過濾裝置在生產(chǎn)過程中易于補充原料并能夠控制同步的溫度和濃度的變化，晶體在恒溫飽和濃度下生長，能夠提高晶體的均勻性，能夠生長出尺寸55CM以上的晶體。
[0003]優(yōu)質大尺寸的磷酸二氫鉀(KDP)和磷酸二氘鉀(DKDP)晶體是一種理想的高功率變頻材料，生產(chǎn)設備主要是培養(yǎng)槽，采用的是降溫法，存在晶體養(yǎng)周期長，生長過程中不能易出現(xiàn)雜晶，破壞正常的晶體生長的問題。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術問題是:為了克服上述中存在的問題，提供了一種循環(huán)式大量晶體連續(xù)培養(yǎng)裝置，其結構合理，易于控制均勻的溫度和濃度，改善晶體的質量，實現(xiàn)了快速生長大尺寸優(yōu)質KDP和DKDP晶體，提高晶體的成品率。
[0005]本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是:一種循環(huán)式大量晶體連續(xù)培養(yǎng)裝置，包括培養(yǎng)槽和連續(xù)過濾裝置，所述的連續(xù)過濾裝置包括熱水浴系統(tǒng)及冷水浴系統(tǒng)；所述的培養(yǎng)槽內設置有第一攪拌器及溫控儀；
[0006]所述的熱水浴系統(tǒng)包括熱水槽以及設置在熱水槽內并且依次通過導管相互連通的第一蛇形盤管、熱水浴接收槽、輸送泵、第一過濾器與第二過濾器；所述的熱水槽內還設置有第二攪拌器；所述的第一蛇形盤管是通過導管與培養(yǎng)槽相互連通；
[0007]所述的冷水浴系統(tǒng)包括冷水槽以及設置在冷水槽內并且依次通過導管相互連通的第二蛇形盤管、冷水浴接收槽以及計量泵，所述的冷水槽內還設置有的第三攪拌器；所述的計量泵是與培養(yǎng)槽相互連通；所述的熱水槽與冷水槽是一體式結構，其中部是通過由輕質水泥發(fā)泡隔墻板制成的保溫隔板隔開；所述的保溫隔板底部設置有用于導管穿過的通孔；
[0008]所述的溫控儀、輸送泵與計量泵均是與外部電源相互電連接。
[0009]進一步地，所述的第一攪拌器、第二攪拌器與第三攪拌器均是由設置在上部的電機以及與電機相互傳動連接的攪拌桿組成；所述的電機是與外部電源相互電連接。
[0010]作為優(yōu)選的方案，所述的第一過濾器是由過濾棉濾芯制成；所述的第二過濾器是由高密度纖維濾芯制成；
[0011]作為優(yōu)選的方案，所述的第一過濾器與第二過濾器上分別設置有控制開關閥。
[0012]進一步地，所述的熱水槽底部設置有與外部熱水源相互連通的熱水口。
[0013]進一步地，所述的冷水槽底部設置有與外部冷水源相互連通的冷水口。
[0014]本發(fā)明的有益效果是:一種循環(huán)式大量晶體連續(xù)培養(yǎng)裝置，采用培養(yǎng)槽培養(yǎng)，設備簡單，晶體生長過程中不能補充原料，降溫過程中易出現(xiàn)雜晶，破壞正常晶體的生長，采用連續(xù)過濾裝置循環(huán)流動法可以在生長的過程中通過熱水浴系統(tǒng)把雜晶等融解，以培養(yǎng)槽內的溫度為基準溫度，根據(jù)控制要求，熱水浴系統(tǒng)及冷水浴系統(tǒng)分別相對基準溫度差保持恒定。易于控制均勻的溫度和濃度，改善晶體的質量，生長出大尺寸的晶體。
【附圖說明】
[0015]下面結合附圖和實施例對本發(fā)明進一步說明。
[0016]圖1是本發(fā)明所述的一種循環(huán)式大量晶體連續(xù)培養(yǎng)裝置整體結構示意圖。
[0017]附圖中標記分述如下:1、培養(yǎng)槽，11、第一攪拌器，12、溫控儀，2、連續(xù)過濾裝置，3、熱水浴系統(tǒng)，31、熱水槽，32、第一蛇形盤管，33、熱水浴接收槽，34、輸送泵，35、第一過濾器，36、第二過濾器，37、第二攪拌器，38、熱水口，4、冷水浴系統(tǒng)，41、冷水槽，42、第二蛇形盤管，43、冷水浴接收槽，44、計量泵，45、第三攪拌器，46、冷水口，5、保溫隔板，51、通孔，6、電機，61、攪拌桿。
【具體實施方式】
[0018]現(xiàn)在結合附圖對本發(fā)明作進一步詳細的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本發(fā)明的基本結構，因此其僅顯示與本發(fā)明有關的構成。
[0019]如圖1所示的一種循環(huán)式大量晶體連續(xù)培養(yǎng)裝置，包括培養(yǎng)槽I和連續(xù)過濾裝置2，所述的連續(xù)過濾裝置2包括熱水浴系統(tǒng)3及冷水浴系統(tǒng)4 ;所述的培養(yǎng)槽I內設置有第一攪拌器11及溫控儀12 ;所述的熱水浴系統(tǒng)3包括熱水槽31以及設置在熱水槽31內并且依次通過導管相互連通的第一蛇形盤管32、熱水浴接收槽33、輸送泵34、第一過濾器35與第二過濾器36 ;所述的熱水槽31內還設置有第二攪拌器37 ;所述的第一蛇形盤管32是通過導管與培養(yǎng)槽I相互連通；熱水浴系統(tǒng)3負責升溫處理，保證雜晶融解成溶液。
[0020]所述的冷水浴系統(tǒng)4包括冷水槽41以及設置在冷水槽41內并且依次通過導管相互連通的第二蛇形盤管42、冷水浴接收槽43以及計量泵44，所述的冷水槽41內還設置有的第三攪拌器45 ;所述的計量泵44是與培養(yǎng)槽I相互連通；所述的熱水槽31與冷水槽41是一體式結構，其中部是通過由輕質水泥發(fā)泡隔墻板制成的保溫隔板5隔開；所述的保溫隔板5底部設置有用于導管穿過的通孔51 ;冷水浴系統(tǒng)4負責降溫處理，蛇形盤管的長度與計量泵泵出溶液速率和溶液的緩慢降溫相匹配，保證晶體溶液在冷水浴中可以緩慢降溫至溫度降至培養(yǎng)槽里的溶液溫度通過計量泵44把降溫后的晶體融液回流到培養(yǎng)槽里，計量泵44控制輸送的速度緩慢進行，避免對培養(yǎng)槽里的飽和溶液造成擾動。該過程可以由控制系統(tǒng)設定，保證培養(yǎng)槽的溶液溫度和冷水浴中晶體溶液的溫度同步降低，從而完成連續(xù)過濾循環(huán)。
[0021]所述的溫控儀12、輸送泵34與計量泵44均是與外部電源相互電連接。
[0022]所述的第一攪拌器11、第二攪拌器37與第三攪拌器45均是由設置在上部的電機6以及與電機6相互傳動連接的攪拌桿61組成；所述的電機6是與外部電源相互電連接。所述的第一過濾器35是由過濾棉濾芯制成；所述的第二過濾器36是由高密度纖維濾芯制成；所述的第一過濾器35與第二過濾器36上分別設置有控制開關閥。采用兩個控制開關閥分別控制可以實現(xiàn)切換，便于進行定期更換濾芯。
[0023]所述的熱水槽31底部設置有與外部熱水源相互連通的熱水口 38。所述的冷水槽41底部設置有與外部冷水源相互連通的冷水口 46。
[0024]本發(fā)明所述的一種循環(huán)式大量晶體連續(xù)培養(yǎng)裝置，采用培養(yǎng)槽I培養(yǎng)，設備簡單，晶體生長過程中不能補充原料，降溫過程中易出現(xiàn)雜晶，破壞正常晶體的生長，采用連續(xù)過濾裝置2循環(huán)流動法可以在生長的過程中通過熱水浴系統(tǒng)把雜晶等融解，以培養(yǎng)槽內的溫度為基準溫度，根據(jù)控制要求，熱水浴系統(tǒng)3及冷水浴系統(tǒng)4分別相對基準溫度差保持恒定。需在一個生長周期內從培養(yǎng)槽中的溫度緩慢降到室溫，連續(xù)過濾裝置2的整體降溫速度與培養(yǎng)槽I中的降溫速度一致，使準備回流到培養(yǎng)槽里的溶液也處于準穩(wěn)定區(qū)和適當?shù)倪^飽和度，避免與培養(yǎng)槽中的溶液狀態(tài)不一致，造成擾動。易于控制均勻的溫度和濃度，改善晶體的質量，生長出大尺寸的晶體。
[0025]以上述依據(jù)本發(fā)明的理想實施例為啟示，通過上述的說明內容，相關工作人員完全可以在不偏離本項發(fā)明技術思想的范圍內，進行多樣的變更以及修改。本項發(fā)明的技術性范圍并不局限于說明書上的內容，必須要根據(jù)權利要求范圍來確定其技術性范圍。
【主權項】
1.一種循環(huán)式大量晶體連續(xù)培養(yǎng)裝置，其特征是:包括培養(yǎng)槽(I)和連續(xù)過濾裝置(2)，所述的連續(xù)過濾裝置(2)包括熱水浴系統(tǒng)(3)及冷水浴系統(tǒng)(4);所述的培養(yǎng)槽(I)內設置有第一攪拌器(11)及溫控儀(12); 所述的熱水浴系統(tǒng)(3)包括熱水槽(31)以及設置在熱水槽(31)內并且依次通過導管相互連通的第一蛇形盤管(32)、熱水浴接收槽(33)、輸送泵(34)、第一過濾器(35)與第二過濾器(36);所述的熱水槽(31)內還設置有第二攪拌器(37);所述的第一蛇形盤管(32)是通過導管與培養(yǎng)槽(I)相互連通； 所述的冷水浴系統(tǒng)(4)包括冷水槽(41)以及設置在冷水槽(41)內并且依次通過導管相互連通的第二蛇形盤管(42)、冷水浴接收槽(43)以及計量泵(44)，所述的冷水槽(41)內還設置有的第三攪拌器(45);所述的計量泵(44)是與培養(yǎng)槽(I)相互連通；所述的熱水槽(31)與冷水槽(41)是一體式結構，其中部是通過由輕質水泥發(fā)泡隔墻板制成的保溫隔板(5)隔開；所述的保溫隔板(5)底部設置有用于導管穿過的通孔(51); 所述的溫控儀(12)、輸送泵(34)與計量泵(44)均是與外部電源相互電連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種循環(huán)式大量晶體連續(xù)培養(yǎng)裝置，其特征是:所述的第一攪拌器(11)、第二攪拌器(37)與第三攪拌器(45)均是由設置在上部的電機(6)以及與電機(6)相互傳動連接的攪拌桿￠1)組成；所述的電機(6)是與外部電源相互電連接。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種循環(huán)式大量晶體連續(xù)培養(yǎng)裝置，其特征是:所述的第一過濾器(35)是由過濾棉濾芯制成；所述的第二過濾器(36)是由高密度纖維濾芯制成。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種循環(huán)式大量晶體連續(xù)培養(yǎng)裝置，其特征是:所述的第一過濾器(35)與第二過濾器(36)上分別設置有控制開關閥。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種循環(huán)式大量晶體連續(xù)培養(yǎng)裝置，其特征是:所述的熱水槽(31)底部設置有與外部熱水源相互連通的熱水口(38)。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種循環(huán)式大量晶體連續(xù)培養(yǎng)裝置，其特征是:所述的冷水槽(41)底部設置有與外部冷水源相互連通的冷水口(46)。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種循環(huán)式大量晶體連續(xù)培養(yǎng)裝置，包括培養(yǎng)槽和連續(xù)過濾裝置，所述的連續(xù)過濾裝置包括熱水浴系統(tǒng)及冷水浴系統(tǒng)；所述的培養(yǎng)槽內設置有第一攪拌器及溫控儀；所述的熱水浴系統(tǒng)包括熱水槽以及設置在熱水槽內并且依次通過導管相互連通的第一蛇形盤管、熱水浴接收槽、輸送泵、第一過濾器與第二過濾器；所述的熱水槽內還設置有第二攪拌器；所述的第一蛇形盤管是通過導管與培養(yǎng)槽相互連通。發(fā)明所述的一種循環(huán)式大量晶體連續(xù)培養(yǎng)裝置，其結構合理，易于控制均勻的溫度和濃度，改善晶體的質量，實現(xiàn)了快速生長大尺寸優(yōu)質KDP和DKDP晶體，提高晶體的成品率。
【IPC分類】C30B7-08, C30B29-14
【公開號】CN104562175
【申請?zhí)枴緾N201510067897
【發(fā)明人】張相勝, 潘豐
【申請人】江南大學
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2015年2月9日