專利名稱:制造用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底的方法及通過(guò)該方法制得的用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底的方法，和通過(guò)該方法制得的用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底。更具體而言，本發(fā)明涉及一種制造用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底的方法，其中將玻璃基底拋光，然后在紋理化處理前洗滌，還涉及一種通過(guò)該方法制得的用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底。
背景技術(shù)：
用于例如硬盤的磁記錄介質(zhì)的玻璃基底必須具有高度的平坦度和光滑度。因此對(duì)玻璃基底施以表面拋光步驟和后續(xù)的洗滌步驟。還要對(duì)通過(guò)此方法制得的用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底施以紋理化步驟，以用于表面處理。
玻璃基底表面的有效拋光是使用例如二氧化鈰或氧化鋯的磨料粒作為拋光劑實(shí)現(xiàn)的，但當(dāng)此類磨料粒粘附在玻璃表面上時(shí)出現(xiàn)了問(wèn)題。結(jié)果，必須在紋理化步驟前通過(guò)洗滌去除粘附的磨料粒和拋光步驟過(guò)程中產(chǎn)生的玻璃刮屑。
對(duì)于非晶態(tài)玻璃基底，在拋光后通常用無(wú)機(jī)酸或有機(jī)酸洗滌(例如，參見(jiàn)日本未審查專利公開(kāi)No.2003-212603)，但是傳統(tǒng)的洗滌方法導(dǎo)致在后續(xù)的紋理化步驟中形成不均勻的紋理，由此在基底之間產(chǎn)生差異、在基底表面生成明顯的缺陷或在基底內(nèi)生成全波紋(overall waviness)，因此，避免這些問(wèn)題的洗滌方法是合意的。
另一方面，用氫氟酸水溶液處理拋光過(guò)的玻璃基底，這是已知的(參見(jiàn)日本未審查專利公開(kāi)No.2000-302482)，但是，此類處理的目的在于用氫氟酸水溶液蝕刻以去除玻璃基底的表面層，因此使用濃度為0.5％或更高的高濃度氫氟酸水溶液蝕刻該玻璃表面層。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種制造用于磁記錄介質(zhì)的拋光玻璃基底的方法，由此在拋光該玻璃基底后的洗滌過(guò)程中可以使基底的基底表面缺陷和全波紋的出現(xiàn)最小化，并由此可以在后續(xù)的紋理化步驟中以均勻的方式形成紋理，而不會(huì)在基底間造成差異；另一個(gè)目的在于提供一種具有優(yōu)異特性的用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底，其通過(guò)前述方法制得。
根據(jù)上述現(xiàn)有技術(shù)情況，本發(fā)明人進(jìn)行了的辛勤研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)可以使用低濃度氫氟酸水溶液洗滌處理拋光過(guò)的玻璃基底，由此了克服上述問(wèn)題。
本發(fā)明因此包括下列方面[1]制造用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底的方法，包括用磨料粒拋光玻璃基底，然后用0.02-0.3％的氫氟酸水溶液洗滌該基底。
按照上文[1]的制造用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底的方法，其中所述玻璃基底是由非晶態(tài)玻璃構(gòu)成的基底。
按照上文[1]或[2]的制造用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底的方法，其中氫氟酸水溶液的濃度為0.04-0.15％。
按照上文[1]至[3]任一項(xiàng)的制造用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底的方法，其中在10-70℃的溫度進(jìn)行洗滌。
按照上文[1]至[4]任一項(xiàng)的方法制造的用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底。
使用按照上文[5]的用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底制造的磁記錄介質(zhì)。
按照本發(fā)明，可以提供不具有表面缺陷或全波紋的用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底，而且可以以均勻的方式在后續(xù)的紋理化步驟中形成紋理而不在基底間產(chǎn)生差異。
實(shí)施發(fā)明的最佳方式現(xiàn)在將描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案。但是，以下解釋特別集中在實(shí)施本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例上，而不是對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍加以任何約束。
按照本發(fā)明，玻璃基底優(yōu)選為由基本組成是硅鋁酸鹽的非晶態(tài)玻璃構(gòu)成的片狀玻璃。
可以使用磨料粒，例如二氧化鈰、氧化鋯、氧化鋁、氧化硅等，作為拋光該玻璃基底表面的拋光劑。其中，考慮到拋光效率，由二氧化鈰組成的磨料粒是優(yōu)選的?？梢砸阅チ狭Ｔ谒械膽腋∫旱男问绞褂迷搾伖鈩?。
然后對(duì)拋光過(guò)的玻璃基底施以洗滌步驟。按照本發(fā)明，使用濃度為0.02-0.3％(質(zhì)量％，下文中僅表示為“％”)的氫氟酸水溶液進(jìn)行洗滌。氫氟酸水溶液的氫氟酸濃度優(yōu)選不高于0.15％，更優(yōu)選為0.04-0.15％。用氫氟酸水溶液洗滌通常包括將玻璃基底浸在氫氟酸水溶液中。在此情況下，浸泡溫度優(yōu)選為10-70℃，更優(yōu)選15-60℃，再更優(yōu)選25-50℃，最優(yōu)選大約40℃，浸泡時(shí)間優(yōu)選為1-3分鐘，最優(yōu)選大約2分鐘。
按照本發(fā)明，優(yōu)選在用氫氟酸水溶液洗滌前對(duì)玻璃基底施以機(jī)械洗滌，如普通的刷洗。
本發(fā)明制得用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底，但是為了然后制造磁記錄介質(zhì)，接下來(lái)首先對(duì)用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底施以紋理化步驟，然后施以通過(guò)常見(jiàn)方法在表面上形成磁膜的步驟，最后制得磁記錄介質(zhì)。此外，上文所述洗滌處理使所述用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底具有極佳的優(yōu)點(diǎn)，因?yàn)檫@使得基底的基底表面缺陷和全波紋的出現(xiàn)最小化，并可以在后續(xù)的紋理化步驟中以均勻的方式形成紋理，而不會(huì)在基底間造成差異。
現(xiàn)在將通過(guò)以下實(shí)施例更為詳細(xì)地解釋本發(fā)明。
采用具有90質(zhì)量％的B2O3+Al2O3+SiO2的主要成分組成和7質(zhì)量％的Li2O+Na2O+K2O的其余組成的非晶態(tài)玻璃制造磁記錄介質(zhì)用基底。
首先，將具有上述組成的原料玻璃熔融并壓模以獲得盤形玻璃片。用鉆頭在玻璃片中打孔。接著，對(duì)每個(gè)盤的主要表面施以兩段式研磨過(guò)程，其包括粗研磨和緊密研磨，用于調(diào)整盤厚度。對(duì)洞孔的內(nèi)緣和盤的外周緣各自施以斜切以形成斜切邊。
在將加工過(guò)的玻璃基底的孔內(nèi)緣和外周緣拋光為鏡面后，同樣將盤的主要表面拋光為最終的鏡面。使用的拋光劑是含二氧化鈰粉末的拋光劑(Mitsui Kinzoku Co.，Ltd.生產(chǎn)的MIREK)然后通過(guò)刷洗洗滌每片制得的盤，然后通過(guò)浸在氫氟酸水溶液中進(jìn)行洗滌，以去除表面殘余物，獲得用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底。
如下表1所示改變浸洗用氫氟酸的濃度(重量％)，并評(píng)價(jià)基底的表面粗糙度、全波紋和表面缺陷。浸泡溫度大約為40℃，浸泡時(shí)間大約為2分鐘。
采用Digital Instruments制造的AFM(原子顯微鏡)在10微米的區(qū)域內(nèi)評(píng)價(jià)表面粗糙度(Ra)。采用Phase Shift Corp制造的光學(xué)平面干涉儀，以在頻率分量最高至5毫米的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的波紋來(lái)評(píng)價(jià)波紋(Wa)。使用Hitachi Hightechnology制造的RZ3500 ODT(光缺陷檢測(cè)器)評(píng)價(jià)10納米片中的表面缺陷。
接著，用金剛石漿液對(duì)每片制得的基底施以紋理化處理，然后將基底安置在用于噴鍍的噴鍍?cè)O(shè)備中以形成由鉻合金組成的基膜和由鈷合金組成的磁膜，然后通過(guò)CVD法在其上形成類金剛石的碳膜，用FonblinZ-Tetraol(Solvay Solexis)作為潤(rùn)滑劑涂敷該膜以制造磁記錄介質(zhì)。噴鍍形成的膜的總厚度為90納米，通過(guò)CVD形成的膜的厚度為10納米。以這種方式制造25片此類磁記錄介質(zhì)。
在暗室里，在100,000勒克斯的聚光射燈下通過(guò)肉眼檢查評(píng)價(jià)每片磁記錄介質(zhì)的紋理均勻度，通過(guò)滑移(glide)(BG)和誤差檢驗(yàn)(ER)評(píng)價(jià)介質(zhì)產(chǎn)率。在可以對(duì)單個(gè)65毫米直徑碟片上具有40GB記錄容量的介質(zhì)進(jìn)行評(píng)價(jià)的條件下進(jìn)行評(píng)價(jià)。
表1
工業(yè)適用性本發(fā)明提供了用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底，它沒(méi)有表面缺陷或全波紋，同時(shí)可以在后續(xù)的紋理化步驟中形成均勻紋理且不在基底間產(chǎn)生差異，該基底因此可以有利地用于制造磁記錄介質(zhì)。
權(quán)利要求
1.制造用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底的方法，包括用磨料粒拋光玻璃基底，然后用0.02-0.3％的氫氟酸水溶液洗滌該基底。
2.如權(quán)利要求
1所述的制造用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底的方法，其中所述玻璃基底是由非晶態(tài)玻璃構(gòu)成的基底。
3.如權(quán)利要求
1或2所述的制造用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底的方法，其中氫氟酸水溶液的濃度為0.04-0.15％。
4.如權(quán)利要求
1至3任一項(xiàng)所述的制造用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底的方法，其中在10-70℃的溫度進(jìn)行洗滌。
5.通過(guò)權(quán)利要求
1至4任一項(xiàng)所述的方法制造的用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底。
6.使用如權(quán)利要求
5所述的用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底制造的磁記錄介質(zhì)。
專利摘要
本發(fā)明涉及一種制造用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底的方法，包括用磨料粒拋光玻璃基底，然后用0.02－0.3％的氫氟酸水溶液洗滌該基底；還涉及一種通過(guò)該方法制造的用于磁記錄介質(zhì)的玻璃基底。制造了一種用于磁記錄介質(zhì)的拋光玻璃基底，由此在拋光該玻璃基底后的洗滌過(guò)程中可以使基底的基底表面缺陷和全波紋的出現(xiàn)最小化，并由此可以在后續(xù)的紋理化步驟中以均勻的方式形成紋理，而不會(huì)在基底間造成差異。
文檔編號(hào)G11B5/62GK1993298SQ200580025834
公開(kāi)日2007年7月4日 申請(qǐng)日期2005年8月4日
發(fā)明者會(huì)田克昭, 町田裕之, 羽根田和幸 申請(qǐng)人:昭和電工株式會(huì)社導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan