1.基于vgf工藝的用于inp晶體生長(zhǎng)裝置，其特征在于：該生長(zhǎng)裝置包括生長(zhǎng)架（1），所述生長(zhǎng)架（1）上設(shè)置有生長(zhǎng)筒（2），所述生長(zhǎng)筒（2）內(nèi)部設(shè)置有多個(gè)生長(zhǎng)腔室（3），每個(gè)所述生長(zhǎng)腔室（3）內(nèi)分別設(shè)置有生長(zhǎng)坩堝（4），每個(gè)所述生長(zhǎng)坩堝（4）分別設(shè)置有籽晶載盤（5），所述生長(zhǎng)腔室（3）內(nèi)設(shè)置有多個(gè)復(fù)合環(huán)（6），每個(gè)所述復(fù)合環(huán)（6）分別與生長(zhǎng)腔室（3）旋轉(zhuǎn)連接，相鄰復(fù)合環(huán)（6）之間嵌合旋轉(zhuǎn)連接，所述生長(zhǎng)筒（2）上旋轉(zhuǎn)連接有保溫蓋（7），所述生長(zhǎng)坩堝（4）底端設(shè)置有測(cè)溫模組（8），所述生長(zhǎng)筒（2）內(nèi)設(shè)置有控壓模組（12）與控溫組件（9），所述測(cè)溫模組（8）通過導(dǎo)線與控溫組件（9）電性連接，所述生長(zhǎng)腔室（3）內(nèi)設(shè)置有震動(dòng)模組（10），所述生長(zhǎng)筒（2）內(nèi)設(shè)置有脫料液壓桿（11），所述脫料液壓桿（11）輸出端與生長(zhǎng)坩堝（4）連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于vgf工藝的用于inp晶體生長(zhǎng)裝置，其特征在于：所述生長(zhǎng)筒（2）內(nèi)設(shè)置有傳動(dòng)桿（201），所述傳動(dòng)桿（201）上固定連接有多個(gè)摩擦輪（202），傳動(dòng)桿（201）與生長(zhǎng)筒（2）旋轉(zhuǎn)連接，所述摩擦輪（202）數(shù)量與復(fù)合環(huán)（6）的數(shù)量一致，摩擦輪（202）的位置與復(fù)合環(huán)（6）的位置對(duì)應(yīng)，所述生長(zhǎng)筒（2）底端設(shè)置有加工腔室（203），所述加工腔室（203）內(nèi)設(shè)置有加工電機(jī)（204），所述傳動(dòng)桿（201）穿過加工腔室（203）并與加工腔室（203）滑動(dòng)連接，傳動(dòng)桿（201）底端設(shè)置有錐齒牙，所述加工電機(jī)（204）輸出端與傳動(dòng)桿（201）上的齒牙嚙合。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于vgf工藝的用于inp晶體生長(zhǎng)裝置，其特征在于：每個(gè)所述復(fù)合環(huán)（6）的內(nèi)徑相同，復(fù)合環(huán)（6）的外徑從上至下逐一增大，所述復(fù)合環(huán)（6）上設(shè)置有嵌合槽（205），每個(gè)所述復(fù)合環(huán)（6）內(nèi)的嵌合槽（205）內(nèi)分別設(shè)置有潤(rùn)滑滾柱（206），相鄰所述復(fù)合環(huán)（6）分別嵌入對(duì)應(yīng)的嵌合槽（205），所述摩擦輪（202）的外徑從上至下逐一遞減，摩擦輪（202）與對(duì)應(yīng)的復(fù)合環(huán)（6）滑動(dòng)接觸，所述生長(zhǎng)腔室（3）內(nèi)設(shè)置有隔溫環(huán)（207）。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于vgf工藝的用于inp晶體生長(zhǎng)裝置，其特征在于：所述控溫模組包括多個(gè)傳溫柱（801）與多個(gè)傳導(dǎo)電阻（802），每個(gè)所述傳導(dǎo)電阻（802）分別設(shè)置在對(duì)應(yīng)的傳溫柱（801）內(nèi)，每個(gè)所述傳溫柱（801）分別嵌入在生長(zhǎng)腔室（3）內(nèi)，所述加工腔室（203）內(nèi)設(shè)置控溫箱（803），每個(gè)所述傳導(dǎo)電阻（802）分別通過導(dǎo)線與控溫箱（803）電性連接，所述生長(zhǎng)腔室（3）內(nèi)設(shè)置有間斷式加熱環(huán)（804），所述間斷式加熱環(huán)（804）上設(shè)置有多個(gè)階梯傳熱輪（805），所述摩擦輪（202）分別與對(duì)應(yīng)的階梯傳熱輪（805）滑動(dòng)接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于vgf工藝的用于inp晶體生長(zhǎng)裝置，其特征在于：所述震動(dòng)模組（10）包括震動(dòng)膜片（1001）與震動(dòng)環(huán)（1002），所述震動(dòng)環(huán)（1002）設(shè)置在生長(zhǎng)腔室（3）內(nèi)，所述震動(dòng)膜片（1001）設(shè)置在震動(dòng)環(huán)（1002）上，震動(dòng)環(huán)（1002）設(shè)置在復(fù)合環(huán)（6）的上方，所述保溫蓋（7）上設(shè)置有震動(dòng)盒（1003），所述震動(dòng)盒（1003）上滑動(dòng)連接有震動(dòng)架（1004），所述震動(dòng)架（1004）與復(fù)合環(huán)（6）滑動(dòng)接觸，震動(dòng)環(huán)（1002）與生長(zhǎng)腔室（3）通過支撐彈片連接，所述震動(dòng)盒（1003）上設(shè)置有震動(dòng)凸柱（1005）。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于vgf工藝的用于inp晶體生長(zhǎng)裝置，其特征在于：所述震動(dòng)盒（1003）內(nèi)設(shè)置有震動(dòng)電機(jī)（1006），所述震動(dòng)電機(jī)（1006）輸出端上設(shè)置有激振凸輪（1007），所述保溫蓋（7）上設(shè)置有滑動(dòng)螺紋與密封塞，所述保溫蓋（7）與生長(zhǎng)腔室（3）上的螺紋嚙合，震動(dòng)盒（1003）內(nèi)設(shè)置有滑動(dòng)片（1008），所述滑動(dòng)片（1008）與震動(dòng)盒（1003）內(nèi)壁滑動(dòng)連接，所述震動(dòng)盒（1003）內(nèi)設(shè)置有復(fù)位彈簧（1009），所述復(fù)位彈簧（1009）兩端分別抵住滑動(dòng)片（1008）、震動(dòng)盒（1003）內(nèi)壁，所述震動(dòng)架（1004）與滑動(dòng)片（1008）固定連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于vgf工藝的用于inp晶體生長(zhǎng)裝置，其特征在于：所述生長(zhǎng)腔室（3）內(nèi)設(shè)置有排氣口（301）與進(jìn)氣口（302），每個(gè)所述排氣口（301）、進(jìn)氣口（302）上分別設(shè)置有電動(dòng)閥（303），每個(gè)所述電動(dòng)閥（303）分別與控壓模組（12）電性連接，所述排氣口（301）、進(jìn)氣口（302）內(nèi)分別設(shè)置有測(cè)壓傳感器（304），每個(gè)所述測(cè)壓傳感器（304）分別通過導(dǎo)線與控壓模組（12）電性連接，所述控溫箱（803）通過導(dǎo)線與控壓模組（12）電性連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于vgf工藝的用于inp晶體生長(zhǎng)裝置，其特征在于：所述生長(zhǎng)筒（2）上設(shè)置有檢測(cè)排（208），所述檢測(cè)排（208）內(nèi)設(shè)置有紅外檢測(cè)板（209）與紅外接收板（210），所述檢測(cè)排（208）上設(shè)置有顯影屏幕（211），所述顯影屏幕（211）通過導(dǎo)線與紅外接收板（210）電性連接。
9.基于vgf工藝的用于inp晶體生長(zhǎng)工藝，其特征在于：該生長(zhǎng)工藝包括：