技術(shù)編號：40373456
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及晶體制造，具體是基于vgf工藝的用于inp晶體生長裝置及生長工藝。背景技術(shù)、磷化銦(inp)是由銦和磷組成的二元半導體,磷化銦用于高功率和高頻電子設備，因為它相對于更常見的半導體硅和砷化鎵具有優(yōu)異的電子速度,它與銦鎵砷起用于制造破紀錄的假晶異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，它還具有直接帶隙，使其可用于激光二極管等光電器件，磷化銦襯底是連接g通訊、車用電子與光通訊的重要材料，用這種材料制作的電子組件具有高速、高頻與高功率特性。、現(xiàn)有的vgf晶體生長方法長出的晶體，位錯密度高且不均勻，易產(chǎn)生孿晶，導...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。