本公開(kāi)涉及含有氧化鋁的燒結(jié)體。

背景技術(shù)：

1、作為陶瓷封裝體、電路基板的材料，已知有以氧化鋁(al2o3)為主成分且包含燒結(jié)助劑的燒結(jié)體。作為燒結(jié)助劑，已知有二氧化硅(sio2)、氧化錳(mno)、2a族元素的氧化物等。

2、作為這樣的燒結(jié)體，例如已知如下燒結(jié)體：以氧化鋁為主結(jié)晶相，以氧化物換算而包含12質(zhì)量％～25質(zhì)量％的mn和si，以氧化物換算而以2質(zhì)量％以下的比例包含元素周期表2a族元素，上述mn和si的以氧化物換算的比率mn2o3/sio2為0.5～2(參照日本特開(kāi)2003-104772號(hào)公報(bào)(專(zhuān)利文獻(xiàn)1))。該燒結(jié)體是將作為第一成分的氧化鋁原料粉末、作為第二成分的特定比率的mn2o3粉末和sio2粉末、以及作為第三成分的元素周期表2a族元素的氧化物粉末混合并燒成而得到的。記載了得到的燒結(jié)體具有相對(duì)密度為95％以上、強(qiáng)度為400mpa以上、楊氏模量為300gpa以下、熱導(dǎo)率為10w/mk以上的特性。

3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

4、專(zhuān)利文獻(xiàn)

5、專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2003-104772號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題

2、作為陶瓷封裝體、電路基板的材料使用的燒結(jié)體，優(yōu)選強(qiáng)度高且楊氏模量低。例如在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中，得到了強(qiáng)度為400mpa以上、楊氏模量為300gpa以下的燒結(jié)體。然而，希望進(jìn)一步提高燒結(jié)體的物性。

3、鑒于該狀況，本公開(kāi)的目的之一在于提供以高水平兼顧高強(qiáng)度和低楊氏模量的燒結(jié)體。

4、用于解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案

5、本公開(kāi)的燒結(jié)體包含al2o3、sio2和mno，包含由al2o3構(gòu)成的主結(jié)晶相、第一玻璃相、以及組成與上述第一玻璃相不同的第二玻璃相。上述第一玻璃相是包含sio2和mno的相。上述第二玻璃相是包含sio2和mno的相。上述第一玻璃相中的sio2相對(duì)于sio2和mno合計(jì)的含有比例，比上述第二玻璃相中的sio2相對(duì)于sio2和mno合計(jì)的含有比例多。

6、發(fā)明效果

7、根據(jù)上述燒結(jié)體，能夠提供能夠以高水平兼顧高強(qiáng)度和低楊氏模量的燒結(jié)體。

技術(shù)特征：

1.一種燒結(jié)體，其特征在于，包含al2o3、sio2和mno，所述燒結(jié)體包含：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燒結(jié)體，其中，所述第一玻璃相是sio2相對(duì)于sio2和mno合計(jì)的含有比例為65質(zhì)量％以上且小于100質(zhì)量％的相，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的燒結(jié)體，其中，在所述燒結(jié)體中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的燒結(jié)體，其中，對(duì)所述燒結(jié)體的掃描電子顯微鏡圖像進(jìn)行二值化處理而得到圖像，所述第一玻璃相的根據(jù)該圖像得到的面積比例為0.1面積％以上且10面積％以下，

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的燒結(jié)體，其中，所述燒結(jié)體的強(qiáng)度為300mpa以上且660mpa以下，楊氏模量為170gpa以上且290gpa以下，

技術(shù)總結(jié)
一種包含Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;、SiO<subgt;2</subgt;和MnO的燒結(jié)體，所述燒結(jié)體包含由Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;構(gòu)成的主結(jié)晶相、第一玻璃相、以及組成與所述第一玻璃相不同的第二玻璃相。所述第一玻璃相和所述第二玻璃相分別為包含SiO<subgt;2</subgt;和MnO的相。所述第一玻璃相中的SiO<subgt;2</subgt;相對(duì)于SiO<subgt;2</subgt;和MnO合計(jì)的含有比例，比所述第二玻璃相中的SiO<subgt;2</subgt;相對(duì)于SiO<subgt;2</subgt;和MnO合計(jì)含有比例多。

技術(shù)研發(fā)人員：河野浩,間瀨淳
受保護(hù)的技術(shù)使用者：NGK電子器件株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19