本公開案的實(shí)施例一般關(guān)于用于制造半導(dǎo)體器件的基板支撐件和處理腔室。更具體地，本文公開的設(shè)備關(guān)于具有基座的外延沉積腔室。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體基板被處理用于各種應(yīng)用，包括集成器件和微型器件的制造。一種這樣的處理裝置是外延處理腔室。在處理期間，基板位于外延處理腔室內(nèi)的基座上?；芍屋S支撐，支撐軸可繞中心軸旋轉(zhuǎn)。對加熱源(如設(shè)置在基板下方和上方的多個加熱燈)的精確控制允許在非常嚴(yán)格的公差范圍內(nèi)加熱基板?；宓臏囟葧绊懗练e在基板上的材料的均勻性。

2、在外延處理腔室內(nèi)精確控制基板溫度的能力對產(chǎn)量和產(chǎn)品良率有很大影響。傳統(tǒng)的外延處理腔室難以滿足制造下一代器件所需的溫度控制標(biāo)準(zhǔn)，同時滿足對提高產(chǎn)品良率和更快產(chǎn)量的日益增長的需求。目前還沒有可靠的方法來準(zhǔn)確地確定在外延處理腔室中執(zhí)行的退火期間基板的溫度。

3、因此，需要改善外延處理腔室中的溫度控制。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開案一般關(guān)于用于檢測基板支撐件的溫度的方法和用于處理半導(dǎo)體基板的設(shè)備。在一個實(shí)例中，以基板支撐件的形式公開了一種用于處理半導(dǎo)體基板的設(shè)備?；逯渭哂兄黧w，所述主體具有頂表面，所述頂表面經(jīng)配置支撐在頂表面上的基板。主體具有與頂表面相對的底表面。主體具有上部與下部，上部設(shè)置在頂表面附近且在頂表面下方，下部設(shè)置在底表面附近且在底表面上方。ir阻擋材料被上部和下部包圍。ir阻擋材料在ir波長是光學(xué)不透明的，而下部在ir波長是光學(xué)透明的。

2、在一方面，所述ir阻擋材料可以是二向色反射ir涂層。

3、在另一方面，所述ir阻擋材料可以由鉑箔形成。

4、在又一方面，所述下部可以由具有低氧/氫含量的石英形成。

5、在另一方面，所述下部在2.6um和2.7um之間的ir波長可以是光學(xué)透明的。

6、在另一方面，所述上部可以由具有低氧/氫含量的石英形成。

7、在又一方面，所述上部在2.6um和2.7um之間的ir波長可以是光學(xué)透明的。

8、在另一方面，所述上部可以由深色摻雜石英形成。

9、在又一方面，所述上部可以具有在高溫下接近黑體發(fā)射器的發(fā)射率值。

10、在另一個實(shí)例中，公開了一種半導(dǎo)體處理腔室。半導(dǎo)體處理腔室具有腔室主體組件。腔室主體組件具有下窗和上窗，其中下窗和上窗包圍內(nèi)部空間。多個溫度控制元件經(jīng)配置加熱內(nèi)部空間?；M件設(shè)置在內(nèi)部空間中。下部高溫計設(shè)置在所述內(nèi)部腔室空間外部且經(jīng)配置檢測所述基座組件的第一溫度。上部高溫計設(shè)置在所述內(nèi)部腔室空間外部且經(jīng)配置檢測所述基座組件的第二溫度?；M件具有軸和設(shè)置在軸上的基板支撐件?；逯渭哂兄黧w。主體具有頂表面，所述頂表面經(jīng)配置支撐在頂表面上的基板。主體具有ir透明材料與ir阻擋材料，所述ir阻擋材料被包裝在所述主體中且具有設(shè)置在所述ir阻擋材料下方的所述ir透明材料，其中所述ir阻擋材料在ir波長是光學(xué)不透明的。

11、在另一方面，所述ir透明材料可以額外地設(shè)置在所述ir阻擋材料上方。

12、在又一方面，所述基座組件可經(jīng)配置旋轉(zhuǎn)所述基板；及所述下部高溫計與所述上部高溫計中的一個或兩者可移動以掃描所述旋轉(zhuǎn)基板。

13、在另一方面，所述處理腔室可進(jìn)一步包括：運(yùn)動控制器，所述運(yùn)動控制器耦接到所述下部高溫計并經(jīng)配置成以掃描所述ir阻擋材料的方式移動所述下部高溫計。

14、在又一方面，所述主體可進(jìn)一步包括：深色摻雜石英材料，所述深色摻雜石英材料設(shè)置在所述ir阻擋材料上方。

15、在另一方面，所述深色摻雜石英材料可具有在高溫下接近黑體發(fā)射器的發(fā)射率值。

16、在又一方面，所述下部高溫計可經(jīng)配置檢測從所述ir阻擋材料發(fā)射的ir輻射。

技術(shù)特征：

1.一種基板支撐件，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的基板支撐件，其中所述ir阻擋材料是二向色反射ir涂層。

3.如權(quán)利要求1所述的基板支撐件，其中所述ir阻擋材料由鉑箔形成。

4.如權(quán)利要求1所述的基板支撐件，其中所述下部由具有低氧/氫含量的石英形成。

5.如權(quán)利要求4所述的基板支撐件，其中所述下部在2.6um和2.7um之間的ir波長是光學(xué)透明的。

6.如權(quán)利要求1所述的基板支撐件，其中所述上部由具有低氧/氫含量的石英形成。

7.如權(quán)利要求6所述的基板支撐件，其中所述上部在2.6um和2.7um之間的ir波長是光學(xué)透明的。

8.如權(quán)利要求1所述的基板支撐件，其中所述上部由深色摻雜石英形成。

9.如權(quán)利要求8所述的基板支撐件，其中所述上部具有在高溫下接近黑體發(fā)射器的發(fā)射率值。

10.一種處理腔室，其特征在于，包括：

11.如權(quán)利要求10所述的處理腔室，其中所述ir阻擋材料是二向色反射ir涂層。

12.如權(quán)利要求10所述的處理腔室，其中所述ir阻擋材料由鉑箔形成。

13.如權(quán)利要求10所述的處理腔室，其中所述ir透明材料由具有低氧/氫含量的石英形成且在2.6um和2.7um之間的ir波長是光學(xué)透明的。

14.如權(quán)利要求13所述的處理腔室，其中所述ir透明材料額外地設(shè)置在所述ir阻擋材料上方。

15.如權(quán)利要求10所述的處理腔室，其中所述基座組件經(jīng)配置旋轉(zhuǎn)所述基板；及所述下部高溫計與所述上部高溫計中的一個或兩者可移動以掃描所述旋轉(zhuǎn)基板。

16.如權(quán)利要求10所述的處理腔室，其特征在于，所述處理腔室進(jìn)一步包括：

17.如權(quán)利要求10所述的處理腔室，其特征在于，所述主體進(jìn)一步包括：

18.如權(quán)利要求17所述的處理腔室，其中所述深色摻雜石英材料具有在高溫下接近黑體發(fā)射器的發(fā)射率值。

19.如權(quán)利要求10所述的處理腔室，其中所述下部高溫計經(jīng)配置檢測從所述ir阻擋材料發(fā)射的ir輻射。

技術(shù)總結(jié)
本公開案一般關(guān)于用于處理半導(dǎo)體基板的基板支撐件和處理腔室。在一個實(shí)例中，基板支撐件具有主體。主體具有經(jīng)配置支撐在頂表面上基板的頂表面。主體具有與頂表面相對的底表面。主體具有設(shè)置在頂表面處的上部和設(shè)置在底表面處的下部。IR阻擋材料由所述上部和所述下部包圍，其中所述IR阻擋材料在IR波長是光學(xué)不透明的(optically?opaque)，而下部在IR波長是光學(xué)透明的(optically?transparent)。

技術(shù)研發(fā)人員：金·拉姆庫馬爾·韋洛爾
受保護(hù)的技術(shù)使用者：應(yīng)用材料公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/12