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一種碳化硅微粉除鐵提純裝置的制作方法

文檔序號:12028204閱讀:401來源:國知局

本發(fā)明涉及提純技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種碳化硅微粉除鐵提純裝置。



背景技術(shù):

碳化硅微粉是當前晶硅片切割行業(yè)的主要切割材料。晶硅片切割刃料碳化硅微粉在雷蒙磨研磨制粉的生產(chǎn)過程中,因碳化硅硬度較高,雷蒙磨磨輥在研磨碳化硅時會引入部分鐵粉,鐵粉雜質(zhì)與碳化硅微粉混合在一起,嚴重影響了切割刃料碳化硅微粉的使用性能,因此必須采取除鐵措施,去除掉碳化硅微粉中的鐵粉。而且碳化硅微粉在生產(chǎn)過程中會產(chǎn)生游離碳粉雜質(zhì),也需要進行清除。因此必須將碳化硅微粉進行提純處理。而現(xiàn)有的提純方法存在游離碳去除率低、設(shè)備投資大、生產(chǎn)工藝復雜等缺點,提純池多為直筒形,在濕法提純過程中,碳化硅很容易隨著含碳雜質(zhì)一起被清除出去,造成資源的浪費;且現(xiàn)有的提純裝置在提純過程中無法對碳化硅微粉中的鐵粉進行清除。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

基于上述背景技術(shù)存在的技術(shù)問題,本發(fā)明提出一種碳化硅微粉除鐵提純裝置,該提純裝置既可以去除碳化硅微粉中的含碳雜質(zhì),又可以同時對碳化硅微粉中的鐵粉顆粒進行清除。

本發(fā)明提出了一種碳化硅微粉除鐵提純裝置,包括;提純池和攪拌機構(gòu);

提純池包括攪拌區(qū)和溢流區(qū),攪拌區(qū)位于溢流區(qū)的下方并與溢流區(qū)連接,攪拌區(qū)的內(nèi)徑由遠離溢流區(qū)的一側(cè)向靠近溢流區(qū)的一側(cè)依次遞減;溢流區(qū)的內(nèi)徑由靠近攪拌區(qū)的一側(cè)向遠離攪拌區(qū)的一側(cè)依次遞增;

攪拌機構(gòu)包括驅(qū)動機構(gòu)和攪拌組件,驅(qū)動機構(gòu)與攪拌組件連接用于驅(qū)動攪拌組件進行轉(zhuǎn)動;攪拌組件包括連接桿和位于連接桿頂端并與連接桿連接的攪拌頭,連接桿位于溢流區(qū)內(nèi),且連接桿靠近溢流區(qū)溢流口的一側(cè)安裝有刮料板,連接桿的內(nèi)設(shè)有軸向布置的布線空腔用于布置電源線;攪拌頭位于攪拌區(qū)內(nèi),且攪拌頭內(nèi)設(shè)有與布線空腔導通的磁鐵容納腔,磁鐵容納腔內(nèi)安裝有電磁鐵。

優(yōu)選地,攪拌頭為“u”形,且“u”形的開口端朝向,由開口端向遠離開口端的方向上,攪拌頭兩側(cè)之間的距離逐漸遞減。

優(yōu)選地,磁鐵容納腔也設(shè)為“u”形,電磁鐵的形狀與磁鐵容納腔的形狀一致。

優(yōu)選地,攪拌頭兩側(cè)之間設(shè)有水平布置的攪拌棒。

優(yōu)選地,攪拌頭的外周面上分布有若干凹坑。

優(yōu)選地,電磁鐵中位于凹坑下方分的橫截面積大于其周邊分的橫截面積。

優(yōu)選地,提純池的底部設(shè)有清渣口。

本發(fā)明中,提純池包括攪拌區(qū)和溢流區(qū),攪拌區(qū)位于溢流區(qū)的下方并與溢流區(qū)連接,攪拌區(qū)的內(nèi)徑由遠離溢流區(qū)的一側(cè)向靠近溢流區(qū)的一側(cè)依次遞減,使攪拌區(qū)的側(cè)壁由下向上逐漸傾斜收攏,避免碳化硅在攪拌過程中隨著含有碳的雜質(zhì)上升至溢流區(qū),被溢流區(qū)直接排出;溢流區(qū)的內(nèi)徑由靠近攪拌區(qū)的一側(cè)向遠離攪拌區(qū)的一側(cè)依次遞增,使溢流區(qū)的側(cè)壁由下向上逐漸傾斜張開,當攪拌區(qū)內(nèi)的混合物上升至溢流區(qū)時,由于受內(nèi)徑變化的影響,混合物會沖向溢流區(qū)的側(cè)壁并沿著側(cè)壁上升,從而使得混合物中的碳化硅得以沉降并沿著溢流區(qū)的側(cè)壁重新滑落至攪拌區(qū)內(nèi)。且由于本發(fā)明中的攪拌組件包括連接桿和位于連接桿頂端并與連接桿連接的攪拌頭,連接桿位于溢流區(qū)內(nèi),且連接桿靠近溢流區(qū)溢流口的一側(cè)安裝有刮料板,連接桿的內(nèi)設(shè)有軸向布置的布線空腔;攪拌頭位于攪拌區(qū)內(nèi),且攪拌頭內(nèi)設(shè)有與布線空腔導通的磁鐵容納腔,磁鐵容納腔內(nèi)安裝有電磁鐵,在攪拌過程中對電磁鐵通電,利用電磁鐵將碳化硅微粉中的鐵粉顆粒吸附,從而達到除去鐵粉的目的。

綜上所述,本發(fā)明所提出的碳化硅微粉除鐵提純裝置結(jié)構(gòu)簡單,成本低廉,且既可以去除碳化硅微粉中含碳雜質(zhì),又能有效去除碳化硅微粉中的鐵粉,有效提高了碳化硅微粉的純度。

附圖說明

圖1為本發(fā)明提出的一種碳化硅微粉除鐵提純裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面,通過具體實施例對本發(fā)明的技術(shù)方案進行詳細說明。

如圖1所示,圖1為本發(fā)明提出的一種碳化硅微粉除鐵提純裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

參照圖1,本發(fā)明實施例提出的一種碳化硅微粉除鐵提純裝置,包括;提純池和攪拌機構(gòu);

提純池包括攪拌區(qū)1和溢流區(qū)2,攪拌區(qū)1位于溢流區(qū)2的下方并與溢流區(qū)2連接,攪拌區(qū)1的內(nèi)徑由遠離溢流區(qū)2的一側(cè)向靠近溢流區(qū)2的一側(cè)依次遞減;通過這種遞增的結(jié)構(gòu)設(shè)計,使攪拌區(qū)1的側(cè)壁由下向上逐漸傾斜收攏,避免碳化硅在攪拌過程中隨著含有碳的雜質(zhì)上升至溢流區(qū)2,被溢流區(qū)2直接排出。

溢流區(qū)2的內(nèi)徑由靠近攪拌區(qū)1的一側(cè)向遠離攪拌區(qū)1的一側(cè)依次遞增;通過這種設(shè)計與攪拌區(qū)1進行配合,使溢流區(qū)2的側(cè)壁由下向上逐漸傾斜張開,當攪拌區(qū)1內(nèi)的混合物上升至溢流區(qū)2時,由于受內(nèi)徑變化的影響,混合物會沖向溢流區(qū)2的側(cè)壁并沿著側(cè)壁上升,從而使得混合物中的碳化硅得以沉降并沿著溢流區(qū)2的側(cè)壁重新滑落至攪拌區(qū)1內(nèi)。

攪拌機構(gòu)包括驅(qū)動機構(gòu)3和攪拌組件4,驅(qū)動機構(gòu)3與攪拌組件4連接用于驅(qū)動攪拌組件4進行轉(zhuǎn)動;攪拌組件4包括連接桿41和位于連接桿41頂端并與連接桿41連接的攪拌頭42;連接桿41位于溢流區(qū)2內(nèi),且連接桿41靠近溢流區(qū)2溢流口的一側(cè)安裝有刮料板411,連接桿41的內(nèi)設(shè)有軸向布置的布線空腔412,通過布線空腔412用于布置連接電磁鐵422的電源線。

攪拌頭42位于攪拌區(qū)1內(nèi),攪拌頭42為“u”形,且“u”形的開口端朝向,由開口端向遠離開口端的方向上,攪拌頭42兩側(cè)之間的距離逐漸遞減,攪拌頭42兩側(cè)之間設(shè)有水平布置的攪拌棒5;且攪拌頭42內(nèi)設(shè)有與布線空腔412導通的磁鐵容納腔421,磁鐵容納腔421的形狀為“u”形,磁鐵容納腔421內(nèi)安裝有電磁鐵422,且電磁鐵422的形狀與磁鐵容納腔421的形狀一致;;在攪拌過程中對電磁鐵422通電,利用電磁鐵422將碳化硅微粉中的鐵粉顆粒吸附,從而達到除去鐵粉的目的。

此外,本實施例中,攪拌頭42的外周面上分布有若干凹坑;電磁鐵422中位于凹坑下方分的橫截面積大于其周邊分的橫截面積,通過這種設(shè)置使得攪拌頭42上凹坑處的磁力大于其周邊磁力,從而將鐵粉吸附在凹坑內(nèi),避免其在攪拌過程中受沖了作用被重新沖入攪拌區(qū)1內(nèi)。

本實施例中的提純池的底部設(shè)有清渣口,用于提純池在清潔維護中排污用。

本發(fā)明是這樣工作的,先將碳化硅微粉導入攪拌區(qū)1并加入水,再在水中計入浮選劑,然后通過攪拌機構(gòu)對其進行攪拌,在攪拌過程中,碳化硅中含有碳的雜質(zhì)吸附在浮選劑上并逐步上升至預留區(qū)內(nèi),漂浮在溢流區(qū)2的表面上,并隨著攪拌軸4的轉(zhuǎn)動,安裝在攪拌軸4上的刮料板42將漂浮在溢流區(qū)2表面的含碳雜質(zhì)刮除;而碳化硅中的鐵粉則在攪拌過程中被攪拌頭2所吸附。當提純池不工作時,斷開電磁鐵422的電源,電磁鐵422磁力消失,受電磁鐵422的磁力作用吸附在攪拌頭42上的鐵粉自動落入提純池內(nèi),可將鐵粉進行回收再利用。

由上可知,本發(fā)明所提出的碳化硅微粉除鐵提純裝置結(jié)構(gòu)簡單,成本低廉,且既可以去除碳化硅微粉中含碳雜質(zhì),又能有效去除碳化硅微粉中的鐵粉,有效提高了碳化硅微粉的純度。

以上所述,僅為本發(fā)明較佳的具體實施方式,但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi),根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及其發(fā)明構(gòu)思加以等同替換或改變,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。

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