本發(fā)明屬于氧化鋁技術領域，尤其涉及一種用于tft-lcd玻璃的低鋰氧化鋁制備方法。
背景技術：
tft-lcd即薄膜晶體管液晶顯示器，tft-lcd技術是微電子技術與液晶顯示器技術結合的一種技術。人們利用在硅上進行微電子精細加工的技術，移植到在大面積玻璃上進行tft陣列的加工，再將該陣列基板與另一片帶彩色濾色膜的基板，利用與業(yè)已成熟的lcd技術，形成一個液晶盒相結合，再經(jīng)過后工序如偏光片貼覆等過程，最后形成液晶顯示器。氧化鋁是tft-lcd玻璃的主要原料之一，氧化鋁中的鋰是在生產(chǎn)氧化鋁的過程中由鋁土礦帶進的微量元素，并在生產(chǎn)過程中逐漸富集，國內鋁土礦生產(chǎn)的氧化鋁的鋰含量最低為70ppm，有的可高達510ppm，對于tft-lcd基板玻璃而言要求的鋰含量很低，國內生產(chǎn)的氧化鋁中的鋰含量過高達不到要求，因此降低氧化鋁中鋰的含量至關重要。
技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術中的不足之處，提供一種能夠有效降低氧化鋁中鋰的含量、生產(chǎn)效率高、生產(chǎn)質量好的用于tft-lcd玻璃的低鋰氧化鋁制備方法。
為解決上述技術問題，本發(fā)明采用如下技術方案：一種用于tft-lcd玻璃的低鋰氧化鋁制備方法，包括以下步驟：
（1）對待加工的氧化鋁原料中的鋰含量進行檢測，挑選出鋰含量不超過150ppm的氧化鋁粉料；
（2）除去步驟(1)中挑選出的氧化鋁粉料中的鐵；
（3）得到的氧化鋁粉料需要采用高鋁質匣缽進行煅燒，對選用的高鋁質匣缽進行脫鋰；
（4）向得到的氧化鋁粉料中加入礦化劑并混合均勻，然后將其裝入選用的高鋁質匣缽中；
（5）將盛裝氧化鋁粉料及礦化劑的高鋁質匣缽送入隧道窯內進行煅燒，在高溫煅燒的過程中，控制窯內氣氛在礦化劑與氧化鋁粉料中的li2o反應時將易揮發(fā)的鋰的化合物排出窯外，并對高鋁質匣缽內的混合物料進行脫鈉處理；
（6）將經(jīng)過隧道窯煅燒的高鋁質匣缽從隧道窯內取出，并分揀出高鋁質匣缽內的氧化鋁；
（7）對步驟（6）中得到的氧化鋁進行破碎，并進行研磨均化處理，然后除去氧化鋁中的鐵；
（8）對得到的氧化鋁進行檢測，挑選出鋰含量不超過10ppm的氧化鋁，并對其進行包裝入庫。
采用原子吸收光譜法測定氧化鋁粉料中鋰的含量。
采用濕法除去氧化鋁中的鐵。
步驟（4）中礦化劑采用氯化物、氟化物或氯化物與氟化物的復合。
步驟（5）中礦化劑與氧化鋁粉料在高溫煅燒的過程中，主要的離子反應式為：
采用上述技術方案，本發(fā)明具有如下優(yōu)點：
1、本發(fā)明將氧化鋁粉料及礦化劑混合后裝入經(jīng)過脫鋰處理的高鋁質匣缽中，然后將盛有氧化鋁粉料及礦化劑的高鋁質匣缽放入隧道窯內高溫煅燒，從而降低和除去氧化鋁內鋰的含量，采用上述方法操作簡便，能夠有效降低氧化鋁中鋰的含量。
2、本發(fā)明首先挑選出鋰含量不超過150ppm的氧化鋁粉料，減輕后續(xù)除鋰的難度，加快了除鋰效率。
3、本發(fā)明在除去氧化鋁中鋰含量的同時，排除鐵、鈉等元素的干擾，使得生產(chǎn)出的氧化鋁比較純凈，生產(chǎn)質量得到大大提高。
附圖說明
圖1是本發(fā)明的工藝流程圖。
具體實施方式
如圖1所示，本發(fā)明的一種用于tft-lcd玻璃的低鋰氧化鋁制備方法，包括以下步驟：
（1）對待加工的氧化鋁原料中的鋰含量進行檢測，挑選出鋰含量不超過150ppm（百萬分之一百五十）的氧化鋁粉料；
（2）除去步驟(1)中挑選出的氧化鋁粉料中的鐵；
（3）得到的氧化鋁粉料需要采用高鋁質匣缽進行煅燒，對選用的高鋁質匣缽進行脫鋰；
（4）向得到的氧化鋁粉料中加入礦化劑并混合均勻，然后將其裝入選用的高鋁質匣缽中；
（5）將盛裝氧化鋁粉料及礦化劑的高鋁質匣缽送入隧道窯內進行煅燒，在高溫煅燒的過程中，控制窯內氣氛在礦化劑與氧化鋁粉料中的li2o反應時將易揮發(fā)的鋰的化合物排出窯外，并對高鋁質匣缽內的混合物料進行脫鈉處理；
（6）將經(jīng)過隧道窯煅燒的高鋁質匣缽從隧道窯內取出，并分揀出高鋁質匣缽內的氧化鋁；
（7）對步驟（6）中得到的氧化鋁進行破碎，并進行研磨均化處理，然后除去氧化鋁中的鐵；
（8）對得到的氧化鋁進行檢測，挑選出鋰含量不超過10ppm（百萬分之十）的氧化鋁，并對其進行包裝入庫。
采用原子吸收光譜法測定氧化鋁粉料中鋰的含量。
采用濕法除去氧化鋁中的鐵。
步驟（4）中礦化劑采用氯化物、氟化物或氯化物與氟化物的復合。
步驟（5）中礦化劑與氧化鋁粉料在高溫煅燒的過程中，主要的離子反應式為：
本實施例并非對本發(fā)明的形狀、材料、結構等作任何形式上的限制，凡是依據(jù)本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均屬于本發(fā)明技術方案的保護范圍。