1.一種大厚度黑色鉭酸鋰晶片的制造方法，其特征在于包括以下步驟：
鉭酸鋰晶片的制備：先將鉭酸鋰晶體按預(yù)定的尺寸切割好，得到若干鉭酸鋰晶片；
清洗：徹底清除所有所述鉭酸鋰晶片的表面的污物，并干燥所有所述鉭酸鋰晶片，然后將所有所述鉭酸鋰晶片放置在無塵的環(huán)境中待用；
還原劑的制備：將純度為90%~99.99%的鑭粉放入真空烘箱中，在120℃的溫度條件下烘干12至30小時(shí)；將純度為90%~99.99%的氧化鑭粉放入真空烘箱中，在120℃的溫度條件下烘干12至30小時(shí)；向烘干后的所述氧化鑭粉中摻入所述鑭粉并混勻，即得到還原劑，其中，所述鑭粉的摻入量為：所述鑭粉的總質(zhì)量占所述氧化鑭粉的總質(zhì)量的百分比為：5%~15%；利用氧化鑭粉較高的熔點(diǎn)和高溫下較好的流動(dòng)性，以保持鑭粉與鉭酸鋰晶片充分接觸；
裝爐：在的坩堝的底部均勻地鋪撒一層所述還原劑，然后將一片清洗干燥后的所述鉭酸鋰晶片從無塵的環(huán)境中取出，并立即放置在坩堝的底部鋪撒的還原劑的上方，以避免所述鉭酸鋰晶片的表面吸附灰塵而影響還原效果，然后在放置在坩堝底部的所述鉭酸鋰晶片的上方再均勻地鋪撒一層所述還原劑，再在該鋪灑了還原劑的鉭酸鋰晶片的上方放置另一片鉭酸鋰晶片，以此類推，完成在所述坩堝中放置所述鉭酸鋰晶片、并在鉭酸鋰晶片之間鋪撒所述還原劑，之后將裝有所述還原劑和若干所述鉭酸鋰晶片的坩堝放入真空還原爐；
還原：對(duì)所述真空還原爐的爐膛進(jìn)行抽真空，將爐內(nèi)的氣壓控制在20Pa以下，以1℃/h~50℃/h的速率提升爐內(nèi)的溫度，升溫至550℃~600℃，保溫20h~40h，以使所述鉭酸鋰晶片在高溫的條件下與所述還原劑發(fā)生反應(yīng)，使所述鉭酸鋰晶片被均勻地還原，然后以1℃/h~50℃/h的速率降低爐內(nèi)的溫度，當(dāng)溫度低于100℃時(shí)，停止抽真空，待爐內(nèi)的氣壓與外界相等后從所述真空還原爐中取出所述坩堝，從坩堝中取出還原后的鉭酸鋰晶片。
2.如權(quán)利要求1所述的大厚度黑色鉭酸鋰晶片的制造方法，其特征在于：所述鉭酸鋰晶片的厚度至少為0.7mm。
3.如權(quán)利要求1所述的大厚度黑色鉭酸鋰晶片的制造方法，其特征在于：在所述還原劑的制備的步驟中，所述還原劑的粒徑峰值不超過150μm，并且所述還原劑中粒徑小于50μm的顆粒的數(shù)量大于所述還原劑的全部顆粒的數(shù)量50%，所述還原劑的流動(dòng)性不小于50g/40s。
4.如權(quán)利要求1所述的大厚度黑色鉭酸鋰晶片的制造方法，其特征在于：所述坩堝為圓柱形坩堝，所述坩堝的直徑大于所述鉭酸鋰晶片的直徑20mm。
5.如權(quán)利要求1所述的大厚度黑色鉭酸鋰晶片的制造方法，其特征在于：所述坩堝的材質(zhì)為碳化硅、氮化硼、氮化鋁、氧化鋁中的任意一種。
6.如權(quán)利要求1所述的大厚度黑色鉭酸鋰晶片的制造方法，其特征在于：在所述裝爐的步驟中，所述坩堝的最下層鋪撒的還原劑的厚度為5mm，所述鉭酸鋰晶片之間鋪撒的還原劑的厚度為1mm，所述坩堝的最上層鋪撒的還原劑的厚度大于15mm。
7.如權(quán)利要求1所述的大厚度黑色鉭酸鋰晶片的制造方法，其特征在于：所述真空還原爐為管式真空還原爐，所述真空還原爐的爐溫均勻性為±5℃。