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一種多晶硅切割廢砂漿中高純硅回收的方法與流程

文檔序號:12390139閱讀:1335來源:國知局

本發(fā)明涉及多晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種多晶硅切割液廢液的回收方法。



背景技術(shù):

多晶硅在被切割的過程中,需要使用硬度高、粒度小且粒徑分布集中的碳化硅微粉作為主要切削介質(zhì)。為使碳化硅微粉在切削過程中分散均勻,同時能及時帶走切削過程中產(chǎn)生的巨大的摩擦熱,通常需先將碳化微粉按照一定比例加入到以聚乙二醇為主要原料的水溶性或油溶性太陽能硅片切割液中,并充分分散,配置成均勻穩(wěn)定的切割砂漿后再用于硅片切割。整個切割過程對太陽能硅片切割液的質(zhì)量提出了極高的要求和技術(shù)標準。由于太陽能硅片切割液是用浸潤性好、排削能力強且對碳化硅類磨料具有優(yōu)良的分散特性的聚乙二醇基或油基為主要成分的合成物,因而聚乙二醇的性能特點對硅片切割液本身,以及硅片的加工過程起著重要的作用。

切割液用過之后,其中含有的聚乙二醇和碳化硅微粉棄之可惜,所以對其的回收提純就顯得尤為重要,使用回收提純的切割液可使企業(yè)的切割成本大大降低,碳化硅微粉也有廣泛用途,可在企業(yè)的發(fā)展中得到良性循環(huán)。循環(huán)利用變廢為寶,利國、利民、利企業(yè)。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

發(fā)明目的:為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足,本發(fā)明提供一種多晶硅切割液廢液中砂漿的處理回收方法。

技術(shù)方案:為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:

一種多晶硅切割廢砂漿中回收高純硅的方法,包括以下步驟:

步驟1,首先通過磁選法對廢砂漿進行除鐵處理,得到除鐵后的砂漿;

步驟2,對步驟1得到的砂漿中加入降粘劑,并進行攪拌,反應(yīng)1-3個小時;

步驟3,通過抽濾法對步驟2得到的砂漿進行固液分離,沉淀后,取底部固體;

步驟4 ,對步驟3分離得到的固體用水進行洗滌;

步驟5,對經(jīng)過步驟4洗滌后的固體進行提純,得到高純硅。

步驟1中,磁選法對廢砂漿進行除鐵處理時磁場強度為0.6-0.8T。

步驟2中,降粘劑為水或乙醇。

降粘劑的添加量為砂漿體積的1-1.5倍。

步驟5中,提純采用浮選法或靜置法。

所述浮選法為:將砂漿液和氯化鈣溶液混合,放入離心機離心。

有益效果:本工藝可提取廢砂漿中所含的高純硅,該生產(chǎn)工藝操作簡單,回收率高,利潤可觀。在生產(chǎn)過程中的廢水排放量少,有條件的可回收,無條件的也可以做污水處理。對多晶硅切割液進行回收和利用可以取得一定的經(jīng)濟效益,而且達到了節(jié)能環(huán)保的目的。

具體實施方式

下面結(jié)合具體實施方式對本發(fā)明做進一步說明。

一種多晶硅切割廢砂漿中回收高純硅的方法,包括以下步驟:

步驟1,首先通過磁選法對廢砂漿進行除鐵處理,得到除鐵后的砂漿;

步驟2,對步驟1得到的砂漿中加入降粘劑,并進行攪拌,反應(yīng)1-3個小時;

步驟3,通過抽濾法對步驟2得到的砂漿進行固液分離,沉淀后,取底部固體;

步驟4 ,對步驟3分離得到的固體用水進行洗滌;

步驟5,對經(jīng)過步驟4洗滌后的固體進行提純,得到高純硅。

步驟1中,磁選法對廢砂漿進行除鐵處理時磁場強度為0.6-0.8T。

步驟2中,降粘劑為水或乙醇。

降粘劑的添加量為砂漿體積的1-1.5倍。

步驟5中,提純采用浮選法或靜置法。

所述浮選法為:將砂漿液和氯化鈣溶液混合,放入離心機離心。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式,應(yīng)當指出:對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明原理的前提下,還可以做出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。

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