本實(shí)用新型涉及MOCVD外延片生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，特別是MOCVD外延生產(chǎn)用設(shè)備——石墨盤(pán)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。

背景技術(shù)：

MOCVD是指金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備，目前廣泛應(yīng)用于Ⅲ-Ⅴ化合物半導(dǎo)體薄膜材料的生長(zhǎng)。載氣把有機(jī)源帶入反應(yīng)室，在襯底上反應(yīng)，形成薄膜材料。襯底放置于石墨盤(pán)上，通過(guò)燈絲或者射頻進(jìn)行加熱，加熱溫度為500～1300℃ 。石墨盤(pán)由高純石墨制成，并在表面包裹SiC鍍層。加熱單元在石墨盤(pán)下方。

目前Aixtron公司的Crius MOCVD外延石墨盤(pán)的設(shè)計(jì)為：37個(gè)片槽由中心向外均勻的分部在石墨盤(pán)表面，共計(jì)分為4圈，第一圈中心區(qū)域1個(gè)片槽，第二圈6個(gè)片槽，第三圈12個(gè)片槽，第四圈18個(gè)片槽，每個(gè)片槽設(shè)計(jì)一致。外延生長(zhǎng)過(guò)程中，MO源通過(guò)載氣經(jīng)過(guò)SHOWERHEAD進(jìn)入反應(yīng)室，生長(zhǎng)較長(zhǎng)時(shí)間后，SHOWERHEAD會(huì)發(fā)生堵塞，造成中心片的生長(zhǎng)速率與中外圈不一致，導(dǎo)致中心片波長(zhǎng)偏短，同時(shí)第二圈靠?jī)?nèi)側(cè)的波長(zhǎng)也會(huì)同時(shí)偏短。

外延片加工成芯片后，芯片會(huì)根據(jù)不同的發(fā)光波長(zhǎng)進(jìn)行分選動(dòng)作。同一片外延片會(huì)被分成若干個(gè)不同波長(zhǎng)的Bin，由于目前市場(chǎng)需求的波長(zhǎng)范圍較窄，集中在453～457nm 。所以若中心片波長(zhǎng)偏短，造成產(chǎn)出的芯片不能出貨，造成公司的產(chǎn)品積壓，對(duì)公司的運(yùn)營(yíng)狀況不利。

從目前產(chǎn)出外延片的波長(zhǎng)看，中心片波長(zhǎng)相對(duì)其余位置的波長(zhǎng)大約偏短3nm附近。一片影響波長(zhǎng)良率2.7% ，如將中心片波長(zhǎng)提高，即可整體提高外延波長(zhǎng)良率2.7% ，從而有望提高芯片的可出貨率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型目的在于針對(duì)以上問(wèn)題，提供一種改善MOCVD中心片波長(zhǎng)偏短的石墨盤(pán)。

本實(shí)用新型石墨盤(pán)為圓形石墨盤(pán)，在圓形石墨盤(pán)上表面設(shè)有自中心向外周均勻分布的片槽，其特征在于：在所述石墨盤(pán)背面中心位置設(shè)置圓柱形凹槽，所述圓柱形凹槽的深度為10～6000微米，直徑為10000～60000微米。

本實(shí)用新型采用以上技術(shù)方案可增加石墨盤(pán)在此相應(yīng)區(qū)域的背面到加熱絲的距離，達(dá)到降低中心片位置的生長(zhǎng)溫度，從而改善因內(nèi)外圈生長(zhǎng)速率不一致造成的中心片位置波長(zhǎng)偏短現(xiàn)象，提高波長(zhǎng)命中率。

通過(guò)選擇圓柱形凹槽的大小和深度，可以調(diào)整石墨盤(pán)中心片溫度，進(jìn)一步提高外延片質(zhì)量。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型的一種俯向示意圖。

圖2為圖1的局部剖視圖。

具體實(shí)施方式

如圖1、2所示，在圓形石墨盤(pán)1下方有加熱單元2。

圓形石墨盤(pán)1正面設(shè)有37個(gè)片槽，共分為自中心向外周均勻分布的4圈片槽4：第一圈中心區(qū)域一個(gè)，第二圈六個(gè)，第三圈十二個(gè)，第四圈十八個(gè)。

在石墨盤(pán)1的背面中心點(diǎn)設(shè)置圓柱形凹槽3，圓柱形凹槽3的深度為10～6000微米，直徑為10000～60000微米。