技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種類單晶硅錠的制備方法，包括：在坩堝內(nèi)鋪設(shè)籽晶形成籽晶層；在籽晶層上方設(shè)置熔融狀態(tài)的硅熔體，控制坩堝底部溫度低于籽晶的熔點，使得籽晶層不被完全熔化；調(diào)節(jié)熱場形成過冷狀態(tài)，使硅熔體在籽晶層的基礎(chǔ)上開始長晶；長晶過程中，以1轉(zhuǎn)/分鐘?60轉(zhuǎn)/分鐘的攪拌速度持續(xù)或間斷地攪拌硅熔體；待全部硅熔體結(jié)晶完后，經(jīng)退火冷卻得到類單晶硅錠。本發(fā)明提供的類單晶硅錠的制備方法，通過在長晶過程中攪拌硅熔體，增強硅熔體的對流，這樣可以減少金屬雜質(zhì)進入類單晶硅錠中，減少雜質(zhì)的富集，提高硅錠的少子壽命，也提高了鑄造類單晶的單晶面積。本發(fā)明還提供了采用該制備方法制得的類單晶硅錠，本發(fā)明還提供了一種類單晶硅鑄錠爐。

技術(shù)研發(fā)人員：陳紅榮;胡動力;鄢俊琦;黃亮亮
受保護的技術(shù)使用者：江西賽維LDK太陽能高科技有限公司
文檔號碼：201611269682
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.30
技術(shù)公布日：2017.06.16