1.一種類單晶硅錠的制備方法，其特征在于，包括：
在坩堝內(nèi)鋪設(shè)籽晶形成籽晶層；在所述籽晶層上方設(shè)置熔融狀態(tài)的硅熔體，控制所述坩堝底部溫度低于所述籽晶的熔點(diǎn)，使得所述籽晶層不被完全熔化；
調(diào)節(jié)熱場形成過冷狀態(tài)，使所述硅熔體在所述籽晶層的基礎(chǔ)上開始長晶；所述長晶過程中，以1轉(zhuǎn)/分鐘-60轉(zhuǎn)/分鐘的攪拌速度持續(xù)或間斷地?cái)嚢杷龉枞垠w；
待全部硅熔體結(jié)晶完后，經(jīng)退火冷卻得到類單晶硅錠。
2.如權(quán)利要求1所述的類單晶硅錠的制備方法，其特征在于，所述攪拌速度為20轉(zhuǎn)/分鐘-50轉(zhuǎn)/分鐘。
3.如權(quán)利要求1所述的類單晶硅錠的制備方法，其特征在于，所述間斷地?cái)嚢杷龉枞垠w的方式為：每隔5min-1h攪拌一次所述硅熔體，每次攪拌時(shí)間為1min-1h。
4.如權(quán)利要求1所述的類單晶硅錠的制備方法，其特征在于，采用攪拌裝置攪拌所述硅熔體，攪拌時(shí)，所述攪拌裝置逐漸上升，所述上升的速度大于或等于所述長晶的速度。
5.如權(quán)利要求4所述的類單晶硅錠的制備方法，其特征在于，攪拌過程中，所述攪拌裝置與所述籽晶層或所述硅熔體結(jié)晶形成的硅晶體的垂直距離為2cm-6cm。
6.一種類單晶硅錠，其特征在于，所述類單晶硅錠按照如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的制備方法制得。
7.一種類單晶硅鑄錠爐，其特征在于，包括鑄錠爐本體和攪拌裝置，所述鑄錠爐本體包括坩堝，所述攪拌裝置包括攪拌器和驅(qū)動(dòng)所述攪拌器運(yùn)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)裝置，所述攪拌器伸入所述坩堝中用于攪拌所述坩堝內(nèi)的硅熔體，所述驅(qū)動(dòng)裝置設(shè)置在所述鑄錠爐本體上。
8.如權(quán)利要求7所述的類單晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述攪拌器包括攪拌槳，所述攪拌槳的長度為30cm-80cm。
9.如權(quán)利要求7所述的類單晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述攪拌器通過一連接桿與所述驅(qū)動(dòng)裝置連接。
10.如權(quán)利要求7所述的類單晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述攪拌器對所述硅熔體無污染，且熔點(diǎn)大于硅。