1.一種從包括硅(Si)、氟化氫(HF)和磷酸的處理液中再生磷酸溶液的方法，所述方法包括：
通過向所述處理液供應(yīng)對應(yīng)于預(yù)設(shè)量或更多量的氟化氫而去除所述硅；
通過將所述處理液加熱到氟化氫的沸點或更高溫度而去除所述氟化氫；和
將所述磷酸的溫度和濃度調(diào)節(jié)到預(yù)設(shè)值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述處理液在被容納在外殼中的同時通過連接到所述外殼的循環(huán)管路來循環(huán)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中將在去除所述硅時對應(yīng)于所述預(yù)設(shè)量或更多量的氟化氫供應(yīng)到所述循環(huán)管路。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中在去除所述氟化氫時，在所述循環(huán)管路中加熱所述處理液。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中在調(diào)節(jié)溫度和濃度時，通過在所述循環(huán)管路中加熱所述處理液來調(diào)節(jié)所述溫度。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中在調(diào)節(jié)溫度和濃度時，通過向所述循環(huán)管路供應(yīng)純水來調(diào)節(jié)所述濃度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述處理液在被容納在所述外殼中的同時通過連接到所述外殼的循環(huán)管路來循環(huán)；其中將在去除所述硅時對應(yīng)于所述預(yù)設(shè)量或更多量的所述氟化氫供應(yīng)到所述循環(huán)管路；其中在去除所述氟化氫時，在所述循環(huán)管路中加熱所述處理液；并且，其中在調(diào)節(jié)溫度和濃度時，通過在所述循環(huán)管路中加熱所述處理液來調(diào)節(jié)所述溫度；和通過向所述循環(huán)管路供應(yīng)純水來調(diào)節(jié)所述濃度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項所述的方法，其中去除所述硅還包括測定所述硅的濃度，并且如果所述硅的濃度是預(yù)設(shè)濃度或更高濃度，則額外供應(yīng)所述氟化氫。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項所述的方法，其中去除所述氟化氫包括：
測定所述氟化氫的濃度，并且如果所述氟化氫的濃度是預(yù)設(shè)濃度或更高，則繼續(xù)加熱所述處理液。
10.磷酸溶液再生系統(tǒng)，包括：
再生罐，其容納包括硅(Si)、氟化氫(HF)和磷酸的處理液；
氟化氫供應(yīng)單元，其向所述再生罐供應(yīng)氟化氫；和
加熱器，其被設(shè)置在所述再生罐中以加熱所述處理液。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磷酸溶液再生系統(tǒng)，其中所述再生罐包括：
外殼，其儲存所述處理液；和
循環(huán)管路，其被連接到所述外殼以使所述外殼中的所述處理液循環(huán)，并且
其中所述氟化氫供應(yīng)單元用于向所述循環(huán)管路供應(yīng)所述氟化氫。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的磷酸溶液再生系統(tǒng)，還包括：
純水供應(yīng)單元，其通過向所述循環(huán)管路供應(yīng)純水來調(diào)節(jié)所述處理液中所述磷酸的濃度。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的磷酸溶液再生系統(tǒng)，還包括：
硅濃度測定部件，其測定在流經(jīng)所述循環(huán)管路的處理液中所述硅的濃度。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的磷酸溶液再生系統(tǒng)，還包括：
氟化氫濃度測定部件，其測定在流經(jīng)所述循環(huán)管路的處理液中所述氟化氫的濃度。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的磷酸溶液再生系統(tǒng)，還包括：
控制所述氟化氫供應(yīng)單元的控制器，
其中如果所述硅的濃度是預(yù)設(shè)濃度或更高，則所述控制器額外地供應(yīng)所述氟化氫。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的磷酸溶液再生系統(tǒng)，還包括：
控制所述加熱器的控制器，
其中如果所述氟化氫的濃度是預(yù)設(shè)濃度或更高，則控制器在連續(xù)加熱所述處理液的同時使所述處理液循環(huán)。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的磷酸溶液再生系統(tǒng)，還包括：
純水供應(yīng)單元，其通過向所述循環(huán)管路供應(yīng)純水來調(diào)節(jié)在所述處理液中所述磷酸的濃度；
硅濃度測定部件，其測定在所述處理液中所述硅的濃度；和
氟化氫濃度測定部件，其測定在所述處理液中所述氟化氫的濃度。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的磷酸溶液再生系統(tǒng)，還包括：
磷酸濃度測定部件，其測定在所述處理液中所述磷酸的濃度。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的磷酸溶液再生系統(tǒng)，還包括：
從所述循環(huán)管路分支出并連接至所述外殼的濃度測定管路；和
設(shè)置在所述濃度測定管路中的冷卻器，
其中所述硅濃度測定部件、所述氟化氫濃度測定部件和所述磷酸濃度測定部件設(shè)置在所述濃度測定管路中，所述硅濃度測定部件設(shè)置在所述冷卻器的前側(cè)，并且所述氟化氫濃度測定部件和所述磷酸濃度測定部件設(shè)置在所述冷卻器的后側(cè)。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的磷酸溶液再生系統(tǒng)，還包括：
控制所述氟化氫供應(yīng)單元和所述加熱器的控制器，
其中如果所述硅的濃度是預(yù)設(shè)濃度或更高，則所述控制器額外地供應(yīng)所述氟化氫；并且
其中如果所述氟化氫的濃度是預(yù)設(shè)濃度或更高，則在連續(xù)加熱所述處理液的同時使所述處理液循環(huán)。
21.一種處理襯底的方法，包括：
通過向所述襯底上供應(yīng)包括第一溶液和第二溶液的處理液來蝕刻氮化硅膜，
其中所述第一溶液包括磷酸，并且所述第二溶液包括硅、氟化氫和磷酸。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第一溶液的溫度為160℃到180℃，并且所述第二溶液的溫度為10℃到30℃。
23.根據(jù)權(quán)利要求21和22中任一項所述的方法，其中所述第一溶液和所述第二溶液在被在線混合之后供應(yīng)到所述襯底。
24.一種用于蝕刻襯底的氮化硅膜的裝置，所述裝置包括：
杯狀件，其提供用于處理所述襯底的處理空間；
支撐單元，其在所述處理空間中支撐所述襯底；
注射單元，其向所述襯底的上表面上供應(yīng)包括硅、氟化氫和磷酸的處理液；和
處理液供應(yīng)單元，其向所述注射單元供應(yīng)所述處理液。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的裝置，其中所述處理液是其中將第一溶液和第二溶液混合的混合液，所述第一溶液是溫度為160℃到180℃的包括磷酸的溶液，且所述第二溶液是溫度為10℃到30℃的包括硅、氟化氫和磷酸的溶液。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的裝置，其中所述處理液供應(yīng)單元包括：
供應(yīng)包括磷酸的第一溶液的第一供應(yīng)管路；
供應(yīng)包括包括磷酸、硅和氟化氫的第二溶液的第二供應(yīng)管路；和
向所述注射單元供應(yīng)所述處理液的處理液供應(yīng)管路，并且
其中所述第一供應(yīng)管路和所述第二供應(yīng)管路相互連接，且所述處理液供應(yīng)管路設(shè)置有混合所述第一溶液和所述第二溶液的在線混合器。