本發(fā)明涉及電介質組合物、電介質陶瓷以及電容器。
背景技術：
近年來，隨著電子部件的快速發(fā)展而對于電子部件以及構成電子部件的材料的要求變得日益提高。例如，對于用作電容器的材料的電介質組合物，不僅要求高的相對介電常數(shù)以及優(yōu)異的溫度特性，還要求提高可靠性。于是，要求通過提高電介質組合物的可靠性從而也能夠提高電容器的耐用年數(shù)。
再有，為了降低成本，還要求電介質陶瓷的小型化以及不使用昂貴的稀土元素或有害物質pb等。
關于現(xiàn)有的電介質組合物，在專利文獻1中記載有有關在規(guī)定范圍內含有catio3以及catisio5作為基本成分，并且在規(guī)定范圍內含有b2o3、sio2以及至少1種以上金屬氧化物作為添加成分的電介質陶瓷組合物的發(fā)明。
另外，在專利文獻2中記載有有關在規(guī)定范圍內含有catio3以及catisio5作為基本成分，并且在規(guī)定范圍內含有l(wèi)i2o、sio2以及至少1種以上金屬氧化物作為添加成分的電介質陶瓷組合物的發(fā)明。
進一步，在專利文獻3中記載有有關相對于由{(sr1-xcax)o}k{(ti1-yzry)o2}表示的主成分添加li2sio3以及至少1種以上堿土金屬氟化物的電介質陶瓷組合物的發(fā)明。
現(xiàn)有技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特開昭62-222513
專利文獻2：日本特開昭62-222514
專利文獻3：日本特開平11-340075
技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種具有所希望的相對介電常數(shù)且靜電容量的溫度特性良好，進一步相對于高交流電壓的耐壓性優(yōu)異而且即使施加高溫負荷也不會使素胎破裂，靜電容量變化小，高可靠性的電介質組合物，本發(fā)明的目的還在于提供一種由該電介質組合物構成的電介質陶瓷、以及具有該電介質陶瓷的電容器。
解決技術問題的手段
為了達到上述目的，本申請的第1發(fā)明所涉及的電介質組合物的特征在于：含有硅酸鈣鈦(calciumtitaniumsilicate)、鈦酸鈣以及包含錳的化合物，在將硅酸鈣鈦的含量設定為以casitio5進行換算為a摩爾％；將鈦酸鈣的含量設定為以catio3進行換算為b摩爾％；將包含錳的化合物的含量設定為以mno2進行換算為c摩爾％的情況下，23.4≤a≤75.0，21.0≤b≤76.4，c≥0.21，a+b+c＝100。
本申請的第1發(fā)明所涉及的電介質組合物優(yōu)選0.21≤c≤4.0。
本申請的第1發(fā)明所涉及的電介質組合物優(yōu)選0.50≤c≤4.0。
本申請的第1發(fā)明所涉及的電介質組合物優(yōu)選1.00≤c≤4.0。
另外，為了達到上述目的，本申請的第2發(fā)明所涉及的電介質組合物的特征在于：含有硅酸鈣鈦、鈦酸鈣以及包含釩的化合物，在將硅酸鈣鈦的含量設定為以casitio5進行換算為d摩爾％；將鈦酸鈣的含量設定為以catio3進行換算為e摩爾％；將包含釩的化合物的含量設定為以v2o5進行換算為f摩爾％的情況下，23.0≤d≤61.7，37.9≤e≤76.8，f≥0.16，d+e+f＝100。
本申請的第2發(fā)明所涉及的電介質組合物優(yōu)選0.16≤f≤0.57。
本申請的發(fā)明所涉及的電介質組合物由于具有含有硅酸鈣鈦以及鈦酸鈣兩者并且進一步在規(guī)定范圍內含有錳或者釩的構成，所以成為具有所希望的相對介電常數(shù)并且靜電容量的溫度特性良好，在相對于高交流電壓的耐壓性方面優(yōu)異，而且即使施加高溫負荷也不會使素胎破裂，靜電容量變化小，高可靠性的電介質組合物。
進一步，本發(fā)明所涉及的電介質組合物由于0.21≤c≤4.0或者0.16≤f≤0.57從而具有品質因數(shù)(q)提高的特征。
本申請的發(fā)明所涉及的電介質組合物中，鎂氧化物的含量可以為 以mgo進行換算為0～18.1wt％(包括0wt％)，二氧化硅的含量可以為以sio2換算為0～12.9wt％(包括0wt％)。
在將鎂氧化物的含量設為以mgo換算為x(wt％)，將二氧化硅的含量設為以sio2進行換算為y(wt％)的情況下，本申請發(fā)明所涉及的電介質組合物完全滿足下述式(1)～式(5)：
y≤-11.28x+204.27……式(1)；
y≤-0.40x+14.90……式(2)；
y≤0.62x+9.80……式(3)；
x≥0……式(4)；
y≥0……式(5)。
本申請的發(fā)明所涉及的電介質組合物中鎂氧化物的含量以mgo換算為0～18.1wt％(包括0wt％)；可以實質上不含二氧化硅。
本申請的發(fā)明所涉及的電介質組合物中二氧化硅的含量為0～10wt％(包括0wt％)；可以實質上不含鎂氧化物。
另外，本發(fā)明所涉及的電介質陶瓷是由上述電介質組合物構成。
再有，本發(fā)明所涉及的電容器具有上述電介質陶瓷以及一對電極。
具體實施方式
以下根據(jù)具體實施方式說明本發(fā)明。
第1實施方式所涉及的電介質組合物以特定范圍內的含量含有硅酸鈣鈦、鈦酸鈣以及包含錳的化合物。
具體來說是在將硅酸鈣鈦的含量設定為以casitio5進行換算為a(mol％)；將鈦酸鈣的含量設定為以catio3進行換算為b(mol％)；將包含錳的化合物的含量設定為以mno2進行換算為c(mol％)的情況下滿足以下的式子。
23.4≤a≤75.0；
21.0≤b≤76.4；
c≥0.21；
a+b+c＝100。
本實施方式所涉及的電介質組合物通過以滿足上述式子的方式含有各成分，從而成為具有所希望的相對介電常數(shù)并且靜電容量的溫度 特性滿足jis標準的sl特性，在相對于高交流電壓的耐壓性方面表現(xiàn)優(yōu)異，而且即使施加高溫負荷也不會使素胎破裂、靜電容量變化小、高可靠性的電介質組合物。
在a、b或c不滿足上述數(shù)學式的情況下，上述的各種特性中任意一個以上會變差。
例如，在a過低的情況下，靜電容量的溫度特性不滿足jis標準的sl特性。在a過高的情況下，不僅會有靜電容量的溫度特性不滿足jis標準的sl特性的情況，而且由高溫負荷引起的靜電容量的變化也會變大。
在b過低的情況下，不僅會有靜電容量的溫度特性不滿足jis標準的sl特性的情況，而且由高溫負荷引起的靜電容量的變化也會變大。在b過高的情況下，靜電容量的溫度特性會不滿足jis標準的sl特性。
在c過低的情況下，由高溫負荷引起的靜電容量的變化變大。另外，c優(yōu)選為0.50以上，更加優(yōu)選為1.00以上。
另外，對于本實施方式中的c而言沒有上限，通常c≤12.0。再有，通過將c控制在c≤4.0從而能夠提高品質因數(shù)(q)。
在本實施方式所涉及的電介質組合物中包含硅酸鈣鈦(casitio5)的結晶以及鈦酸鈣(catio3)的結晶。這可以通過xrdrietveld分析(x-raydiffractionrietveldanalysis)來確認。進一步，a、b、c的值也可以由xrdrietveld分析來進行確認。a、b、c的值通常在燒成前后不會發(fā)生實質上的變化。
第2實施方式所涉及的電介質組合物以特定范圍內的含量含有硅酸鈣鈦、鈦酸鈣以及包含釩的化合物。
具體來說，在將硅酸鈣鈦的含量設定為以casitio5進行換算為d(mol％)；將鈦酸鈣的含量設定為以catio3進行換算為e(mol％)；將包含釩的化合物的含量設定為以v2o5進行換算為f(mol％)的情況下，滿足以下的式子：
23.0≤d≤61.7；
37.9≤e≤76.8；
f≥0.16；
d+e+f＝100。
本實施方式所涉及的電介質組合物通過以滿足上述式子的方式含有各成分，從而成為具有所希望的相對介電常數(shù)并且靜電容量的溫度特性滿足jis標準的sl特性，在相對于高交流電壓的耐壓性方面表現(xiàn)優(yōu)異，而且即使施加高溫負荷也不會使素胎破裂、靜電容量變化小、高可靠性的電介質組合物。
在d、e以及f不滿足上述數(shù)學式的情況下，上述各種特性中任意一個以上會變差。
在d、e過低的情況下或者過高的情況下，靜電容量的溫度特性都不會滿足jis標準的sl特性。
在f過低的情況下，由高溫負荷引起的靜電容量的變化變大。
另外，含釩的化合物的含量(即，f)沒有上限，但通常f≤2.0。進一步，通過將f控制在f≤0.57從而能夠提高品質因數(shù)(q)。
在本實施方式所涉及的電介質組合物中包含硅酸鈣鈦(casitio5)的結晶以及鈦酸鈣(catio3)的結晶。這可以通過xrdrietveld分析(x-raydiffractionrietveldanalysis)來確認。進一步，d、e、f的值也可以由xrdrietveld分析來進行分析。通常，d、e、f的值在燒成前后不會發(fā)生實質性的變化。
在第1實施方式所涉及的電介質組合物以及第2實施方式所涉及的電介質組合物中，也可以含有包含錳的化合物以及包含釩的化合物兩者。
以下在僅記為“本實施方式”的情況下，是指第1實施方式以及第2實施方式兩者。
本實施方式中的硅酸鈣鈦是可以表示為casitio5和catisio5等的化合物，并且是以原子數(shù)比計為ca:si:ti:o＝1:1:1:5的化合物。另外，本實施方式中的硅酸鈣鈦可能會以各種各樣的名稱稱呼。例如，可能會以硅鈦酸鈣、硅酸鈦酸鈣、鈦酸硅酸鈣、鈦榍石(titanite)、榍石(sphene)等名稱稱呼。另外，以上述之外的名稱、化學式等表示的化合物只要是原子數(shù)比為ca:si:ti:o＝1:1:1:5則都包含于本實施方式中的硅酸鈣鈦。
本實施方式中的鈦酸鈣是都能以catio3表示的化合物，且是原子數(shù)比計為ca:ti:o＝1:1:3的化合物。另外，以上述之外的名稱、化學式 等表示的化合物只要是原子數(shù)比為ca:ti:o＝1:1:3則都包含于鈦酸鈣。
在本實施方式所涉及的電介質組合物中，根據(jù)使用目的也可以進一步含有除了硅酸鈣鈦、鈦酸鈣、包含錳的化合物以及/或者包含釩的化合物之外的化合物。例如，可以含有鎂氧化物、氧化鈦(tio2)、二氧化硅(sio2)等。對于鎂氧化物，除了氧化鎂(mgo)之外還包括含有鎂的復合氧化物(例如mgti2o5、mg2sio4、mgtio3等)。對于這些化合物的含量并沒有特別的限制，但是在將電介質組合物全體設定為100wt％的情況下，優(yōu)選合計為30.0wt％以下。另外，鎂氧化物的含量是以mgo進行換算的含量。
特別地，在含有鎂氧化物的情況下，能夠進一步減小由高溫負荷引起的靜電容量的變化。在含有氧化鈦的情況下，可以提高ir。在含有二氧化硅的情況下能夠進一步減小靜電容量的溫度變化。進一步，還能夠提高相對于高交流電壓的耐壓性。
鎂氧化物的含量以mgo進行換算優(yōu)選為18.1wt％以下(包括0wt％)，特別優(yōu)選為6.0～18.1wt％。另外，在鎂氧化物的含量為18.1wt％以下的情況下可以實質上不含二氧化硅。
二氧化硅的含量以sio2進行換算優(yōu)選為10wt％以下(包括0wt％)，特別優(yōu)選為6.0～10.0wt％。另外，在二氧化硅的含量為10.0wt％以下的情況下可以實質上不含鎂氧化物。
另外，在將鎂氧化物的含量設為以mgo換算為x(wt％)，將二氧化硅的含量設為以sio2進行換算為y(wt％)的情況下，優(yōu)選完全滿足下述式(1)～式(5)：
y≤-11.28x+204.27……式(1)；
y≤-0.40x+14.90……式(2)；
y≤0.62x+9.80……式(3)；
x≥0……式(4)；
y≥0……式(5)。
通過完全滿足上述式(1)～式(5)，容易得到相對介電常數(shù)、靜電容量的溫度特性、高溫負荷后的靜電容量變化率、相對于高的交流電壓的耐壓性以及絕緣電阻完全優(yōu)異的電介質組合物。
特別地，在滿足式(2)的情況下，容易適當?shù)乜刂葡鄬殡姵?shù)。
特別地，在滿足式(1)和式(2)的情況下，容易適當?shù)乜刂葡鄬殡姵?shù)以及靜電容量的溫度特性。
特別地，在滿足式(3)的情況下，容易適當?shù)乜刂聘邷刎撦d后的靜電容量變化率。
但是，對于鋰、硼不適宜積極地添加。在將電介質組合物全體設定為100wt％的情況下，鋰、硼的含量分別以li2o、b2o3進行換算優(yōu)選為0.4wt％以下。在大量含有鋰、硼的情況下，會有可靠性降低的傾向。另外，會有相對于交流電壓的耐壓性變差并且絕緣電阻也降低的傾向。
另外，在添加鋰的情況下，當施加高溫負荷的時候靜電容量的變化會有變大的傾向。進一步，q值也會有降低的傾向。
另外，在添加硼的情況下，靜電容量的溫度特性也會有變差的傾向。在施加高溫負荷的情況下靜電容量的變化會有變大的傾向。進一步，q值也會有降低的傾向。
進一步，本實施方式所涉及的電介質組合物即使實質上不含有鑭等稀土元素以及鉛等有害物質也會具有良好的特性。另外，所謂“實質上不含有”是指在將電介質組合物全體設定為100wt％的情況下含量為0.01wt％以下。
另外，對于電介質組合物的形狀并沒有特別的限制，可以根據(jù)使用目的設定自由的形狀。
以下針對本實施方式所涉及的電介質組合物、電介質陶瓷以及電容器的制造方法進行說明，不過電介質組合物、電介質陶瓷以及電容器的制造方法并不限定于下述的方法。
首先，準備本實施方式所涉及的電介質組合物的原料粉末。作為原料粉末，準備各成分的化合物或者通過燒成會成為各成分的化合物的粉末。在各成分中，對于硅酸鈣鈦(casitio5)以及鈦酸鈣(catio3)，優(yōu)選在準備原料的時刻準備硅酸鈣鈦粉末以及鈦酸鈣粉末。對于其他成分例如包含錳的化合物、包含釩的化合物等，除了各元素的氧化物之外，還可以準備在燒成后能夠成為各元素的氧化物的化合物，例如碳酸鹽、硝酸鹽、硫酸鹽等。
接著，通過混合各成分的原料粉末從而獲得混合粉末。對于混合 方法并沒有特別地限制，能夠使用通常所使用的方法例如干式混合、濕式混合等。
然后，將上述混合粉末進行造粒而獲得造粒粉末。對于造粒方法并沒有特別的限制。例如，有將pva(聚乙烯醇)水溶液添加于上述混合粉末從而進行造粒的方法。另外，為了在造粒之后除去粗大的造粒粉末可以進行過篩。
接下來，將造粒粉末成型并獲得由電介質組合物構成的成型體。對于成型方法沒有特別的限制，能夠使用通常所使用的方法。例如可以使用加壓成型法。對于加壓時的壓力并沒有特別的限制，例如可以施加250～550mpa的壓力。
接著，通過燒成所獲得的成型體從而得到由電介質組合物構成的燒結體(電介質陶瓷)。對于燒成條件并沒有特別的限制。燒成溫度可以設為1150～1300℃。對于燒成氣氛也沒有特別的限制。例如可以在空氣中、氮氣氛中、或者使用了氮以及氫的還原性氣氛中，也可以在其他氣氛中。
進一步，通過將一對電極接合于所獲得的燒結體從而就能夠得到電容器。一對電極例如被接合于所獲得的燒結體的相對的2個面上。
另外，對于將電極接合于所獲得的燒結體的方法并沒有特別的限制，例如可以通過將電極膏體涂布于所獲得的燒結體并在高溫條件下進行燒附，從而就能夠將電極接合于所獲得的燒結體。
本實施方式所涉及的電介質組合物以及電介質陶瓷的用途并不限定于電容器。
另外，在上述說明中說明了將本實施方式所涉及的電容器制作為單板型電容器的方法，但是本發(fā)明的電容器并不限定于單板型電容器，也可以是層疊型電容器等單板型電容器以外的電容器。對于層疊型電容器等的制造方法沒有特別的限制，可以使用已知的制造方法。
實施例
以下，進一步基于詳細的實施例來進一步說明本發(fā)明，但是本發(fā)明并不限定于這些實施例。
(實施例1)
作為原料粉末準備casitio5粉末、catio3粉末、mno2粉末，并 以最終制得表1所示的實施例以及比較例的組成的燒結體的形式進行稱量。對于表1的a、b、c，分別將小數(shù)點后第2位進行四舍五入。但是，為了明確c是否為0.21以上而在c≤0.24的情況下將小數(shù)點后第3位進行四舍五入。因此，有a+b+c不為100.00的樣品。
接著，將各原料粉末進行濕式混合。對于濕式混合，采用了使用氧化鋯球的球磨機。用于濕式混合的溶劑為離子交換水。然后，干燥濕式混合后的原料并獲得電介質組合物粉末。
接下來，通過對100重量份上述電介質組合物粉末將10重量份的pva(聚乙烯醇)水溶液添加于上述電介質組合物粉末中進行造粒，從而獲得造粒粉末。將上述造粒粉末過篩從而除去粗大的造粒粉末。對過篩后的造粒粉末施加396mpa的壓力，從而制造出直徑為7.5mm、厚度為0.7～0.8mm的圓板狀的成型體。
在空氣中在1175～1250℃下對上述成型體實行2小時的燒成，并獲得厚度大約為0.5mm的圓板狀的燒結體。用xrdrietveld分析來確認所獲得的燒結體中存在casitio5的結晶以及catio3的結晶。另外，還通過xrdrietveld分析確認了所獲得的燒結體的組成成為表1所示的組成。接下來將cu電極膏體涂布于上述燒結體的兩面，在氮氣氛中在800℃下進行15分鐘燒附，從而獲得電極直徑為5mm的電容器樣品。制作了為了完全進行以下所述的評價所需數(shù)量的電容器樣品。
然后，對所獲得的電容器樣品評價了ac擊穿電場、相對介電常數(shù)、品質因數(shù)、靜電容量溫度特性、可靠性(高溫負荷后的靜電容量變化率)。以下針對評價方法進行說明。
ac擊穿電場eb(kv/mm)的測定是用下述方法進行的。對所獲得的電容器樣品的兩端施加交流電場。以184v/s的速度使交流電場的大小提升，并用交流耐壓測定儀觀察漏電流的變化。將漏電流成為5ma的時候的電場作為ac擊穿電場eb。eb越高則可以說在相對于高交流電壓的耐壓性方面表現(xiàn)越優(yōu)異。在本實施例中eb＞10kv/mm的為良好。
相對介電常數(shù)(ε)是根據(jù)對圓板狀的電容器樣品在20℃溫度下使用lcr測試儀并以頻率為1mhz以及輸入信號電平(測定電壓)為1.0vrms的條件進行測定得到的靜電容量來計算的。在本實施例中ε≥ 75的為良好。
靜電容量溫度特性ā(ppm/℃)的測定是按下述方法進行的。首先，使溫度在+20℃～+85℃的范圍內變化來測定各溫度的靜電容量。靜電容量是使用lcr測試儀在頻率為1mhz以及輸入信號電平為1vrms的條件下進行測定的。然后，在將+20℃下的靜電容量設定為c20并將t(℃)下的靜電容量設定為ct的情況下，按照下述式子測定了靜電容量溫度特性ā。
ā(ppm/℃)＝{(ct-c20)/[c20×(t-20)]}×106
在本實施例中，將在+20℃～+85℃的范圍內總是成為-1000≤ā≤350的情況作為良好。在本實施例中，在+85℃條件下滿足-1000≤ā≤350的電容器樣品在+20℃～+85℃范圍內的其他溫度下也滿足-1000≤ā≤350。因此，在表1中記載了+85℃下的ā。
品質因數(shù)(q)是對上述電容器樣品在溫度為20℃以及頻率為1mhz的條件下使用lcr測試儀來測定的。在本實施例中，將q＞2000作為良好。但是，即使q為2000以下也能夠達到上述本申請發(fā)明的目的。
高溫負荷后的靜電容量變化率(δc)的測定以及可靠性的評價是用下述方法來進行的。
首先，在溫度為20℃，測定頻率為1mhz，測定電壓為1.0vrms的條件下使用lcr測試儀來測定高溫負荷前的靜電容量。
接下來，進行了高溫負荷試驗。高溫負荷試驗是通過將上述電容器樣品浸漬于150℃的硅油中并持續(xù)施加8小時的7kv交流電壓來進行的。
在高溫負荷試驗中，將漏電流達到5ma的電容器樣品判斷為破裂。通過對5個電容器樣品進行上述高溫負荷試驗并數(shù)出素胎發(fā)生破裂的個數(shù)從而評價了可靠性。將素胎一個都沒有破裂的情況作為良好。
在高溫負荷試驗之后，以與高溫負荷前的靜電容量的測定相同的條件對素胎沒有破裂的電容器樣品測定高溫負荷后的靜電容量。在將高溫負荷前的靜電容量設定為c1并將高溫負荷后的靜電容量設定為c2的情況下，按照下述式子求得δc(％)。在本實施方式中，將δc≤5.0的情況作為可靠性良好。
δc(％)＝[︱c2-c1︱/c1]×100
由表1可知，具有本申請發(fā)明的范圍內的組成的實施例(樣品號1～9)其ac擊穿電場eb、靜電容量溫度特性ā以及可靠性良好。
相對于此，a低且b高的比較例的樣品號18在85℃下的ā小于-1000。a高且b低的比較例的樣品號19在85℃下的ā超過350并且可靠性也降低。
c小于0.21的比較例的樣品號20～22可靠性降低了。
另外，0.21≤c≤4.0的實施例(樣品號1～13)與c＞4.0的實施例(樣品號14～17)相比品質因數(shù)(q)優(yōu)異，并且q超過了2000。
(實施例2)
制作將實施例1的樣品號12的mno2變更為規(guī)定量的li2o以及sio2的比較例(樣品號23～25)的電容器樣品、以及將其變更成規(guī)定量的b2o3以及sio2的比較例(樣品號26～28)的電容器樣品。除了在實施例1中測定的特性之外，還測定了絕緣電阻(ir)以及介電損耗。將測定結果示于表2中。另外，對于表2的a、b，將各小數(shù)點后第2位進行四舍五入，對于c，將小數(shù)點后第3位進行四舍五入。
對于絕緣電阻(ir)，在20℃溫度下將500v的直流電壓施加于電容器樣品并測定了從施加電壓開始60秒后的電阻值(單位ω)。在本實施例中，將1.0e+12ω以上作為良好。但是，即使ir小于1.0e+12ω也能夠達到上述本申請發(fā)明的目的。另外，1.0e+12ω是指1.0×1012。
介電損耗(tanδ)是對電容器樣品在基準溫度20℃下使用lcr測試儀在頻率為1mhz、輸入信號電平(測定電壓)為1.0vrms的條件下進行測定的。在本實施例中，將0.05％以下作為良好。但是，即使tanδ超過0.05％也能夠達到上述本申請發(fā)明的目的。
由表2可知，含有mno2的樣品號12在絕緣電阻以及介電損耗方面都表現(xiàn)優(yōu)異。相對于此，不含mno2而含有l(wèi)i2o的樣品號23～25其q值、ac擊穿電場eb以及可靠性結果比樣品號12差。另外，不含mno2而含有b2o3的樣品號26～28其q值、ac擊穿電場eb以及靜電容量溫度特性ā結果比樣品號12差。再有，樣品號23～28其所有電容器樣品的素胎都由于高溫負荷樣品而發(fā)生破裂。
(實施例3)
作為原料粉末，除了casitio5粉末、catio3粉末、mno2粉末之外還準備了mgo粉末以及sio2粉末，并稱量至最終得到表3所記載的組成的燒結體。然后，以與實施例1、2相同的方法制作電容器樣品，并評價了ac擊穿電場、相對介電常數(shù)、靜電容量溫度特性、可靠性(高溫負荷后的靜電容量變化率)以及絕緣電阻。將結果示于表3中。另外，鎂氧化物在燒結體中除了mgo之外還作為mgti2o5、mg2sio4、mgtio3等復合氧化物存在。在表3中，將鎂氧化物的含量換算成mgo的值記載于mgo欄中。另外，表3的全部樣品滿足上述式(1)～式(5)。
[表3]
由表3可知，含有鎂氧化物的樣品號29b與不含有鎂氧化物的樣品號29a相比，δc降低并且可靠性提高。另外，含有sio2的樣品號29d、29e與不含sio2的樣品號29a相比，ac擊穿電場提高并且靜電 容量溫度特性也被改善。
進一步，含有鎂氧化物以及sio2兩者，并且滿足上述式(1)～式(5)的樣品號29f～29m也是全部特性均為良好。
進一步，含有鎂氧化物并且不含sio2的樣品號29l、29m與不含鎂氧化物且不含sio2的樣品號29k相比δc減少并且可靠性提高。
(實施例4)
作為原料粉末準備casitio5粉末、catio3粉末、v2o5粉末，并進行稱量至最終獲得表4所記載的實施例以及比較例的組成的燒結體。對于表4的d、e，分別將各小數(shù)點后第2位進行四舍五入，對于f是將小數(shù)點后第3位進行四舍五入。因此，有d+e+f不會成為100.00的樣品。以下與實施例1同樣制作了電容器樣品，并進行了評價。
[表4]
*為比較例
通過表4可知，具有本申請發(fā)明的范圍內的組成的實施例(樣品號31～39)其ac擊穿電場eb、靜電容量溫度特性ā以及可靠性良好。
相對于此，d低e高的比較例的樣品號40其在85℃下的ā小于-1000。d高e低的比較例的樣品號41其在85℃下的ā超過350。
f小于0.16的比較例的樣品號42、43其可靠性降低。
另外，0.16≤f≤0.57的實施例(樣品號31～37)與f＞0.57的實施例(樣品號38～39)相比，品質因數(shù)(q)優(yōu)異，并且q超過2000。