本發(fā)明涉及從籽晶結(jié)構(gòu)體分離沉積在該籽晶結(jié)構(gòu)體上的碳結(jié)構(gòu)體例如石墨烯、碳納米管或半導(dǎo)體納米線的方法。

從現(xiàn)有技術(shù)已知，能將碳結(jié)構(gòu)體例如石墨烯層、碳納米管和半導(dǎo)體納米線沉積在基底(襯底)上。特別地，us8,685,843b2描述了這種類型的方法。在此，碳結(jié)構(gòu)體的沉積在籽晶結(jié)構(gòu)體(或稱為晶種結(jié)構(gòu)體)例如金屬結(jié)構(gòu)體上進(jìn)行，所述金屬結(jié)構(gòu)體可為金屬層、特別地銅層。在us8,728,433b2中還描述了石墨烯的沉積。在籽晶結(jié)構(gòu)體上沉積石墨烯層、碳納米管或半導(dǎo)體納米線之后，有必要使結(jié)構(gòu)體或?qū)颖舜朔蛛x。這在現(xiàn)有技術(shù)中通過(guò)濕法蝕刻來(lái)進(jìn)行，其中在水性溶液中將籽晶結(jié)構(gòu)體蝕刻掉。

已知的還有在干蝕刻工藝中清潔cvd反應(yīng)器的處理室的方法。例如。wo2014/094103a1示出了通過(guò)將亞硫酰(二)氯引入處理室來(lái)除去反應(yīng)器壁上的iii-v沉積物(belegungen)的清潔方法。

本發(fā)明的目的在于，能夠簡(jiǎn)化碳結(jié)構(gòu)體的制備以及特別地提供如下的方法，使用該方法在其中進(jìn)行沉積的處理室內(nèi)從籽晶結(jié)構(gòu)體分離碳結(jié)構(gòu)體。

所述目的通過(guò)在權(quán)利要求中提及的發(fā)明得以實(shí)現(xiàn)，其中原則上每項(xiàng)權(quán)利要求均為所述目的的單獨(dú)的技術(shù)方案。所述方法基本上由以下步驟組成：

-在cvd反應(yīng)器的處理室中提供沉積在籽晶結(jié)構(gòu)體上的碳結(jié)構(gòu)體；

-加熱具有籽晶結(jié)構(gòu)體(2)和碳結(jié)構(gòu)體(1)的基底至處理溫度；

-供應(yīng)具有通式aomxn、aomxnyp或amxn的至少一種蝕刻氣體，其中a選自包含s、c、n的元素的組，其中o為氧，其中x、y為不同的鹵素，并且m、n、p為＞零的自然數(shù)；

-通過(guò)與所述蝕刻氣體的化學(xué)反應(yīng)將籽晶結(jié)構(gòu)體轉(zhuǎn)化成氣態(tài)的反應(yīng)產(chǎn)物；

-借助于載氣流從所述處理室移除所述氣態(tài)的反應(yīng)產(chǎn)物。

所述方法步驟優(yōu)選地在涂覆方法的方法步驟之后立即進(jìn)行，在所述涂覆方法中將碳結(jié)構(gòu)體施加在籽晶結(jié)構(gòu)體之上或之下，如在上文提及的現(xiàn)有技術(shù)中所描述的那樣。在根據(jù)本發(fā)明的分離方法之前的“碳納米管”和“碳納米纖維”的催化合成由kennethb.k.teo,charanjeetsingh,manishchhowalla和williami.milne在encyclopediaofnanoscienceandnanotechnology,第x卷:第1-22頁(yè)中于標(biāo)題“catalyticsynthesisofcarbonnanotubesandnanofibers"下進(jìn)行了描述。該文獻(xiàn)的內(nèi)容屬于本專利申請(qǐng)的公開內(nèi)容。從籽晶結(jié)構(gòu)體分離碳結(jié)構(gòu)體優(yōu)選地在其中還進(jìn)行了沉積過(guò)程的同一處理室中進(jìn)行，而不用從處理室取出具有碳結(jié)構(gòu)體的物體。在該情況下，承載碳結(jié)構(gòu)的物體可為基底，例如為介電基底，其設(shè)有籽晶結(jié)構(gòu)體。所述籽晶結(jié)構(gòu)體可由cu、ni、co、fe、ru、ir、ga、gd、mo、mn、ag、au、b、si或ge、或者由一種金屬或由包含多種前述元素的材料構(gòu)成。籽晶結(jié)構(gòu)體可為在基底上的顆?；?yàn)榻Y(jié)構(gòu)化的或未結(jié)構(gòu)化的層。特別地設(shè)成，將籽晶結(jié)構(gòu)體布置在基底和碳結(jié)構(gòu)體之間。由基底、籽晶結(jié)構(gòu)體和碳結(jié)構(gòu)體組成的這種類型的物體包括已沉積在籽晶結(jié)構(gòu)體上的碳結(jié)構(gòu)體。所述物體也可僅為沉積在籽晶結(jié)構(gòu)體上的碳結(jié)構(gòu)體。在這種情況下，籽晶結(jié)構(gòu)體本身形成基底。籽晶結(jié)構(gòu)體形成催化元件，納米結(jié)構(gòu)體、即納米管或納米線在其上生長(zhǎng)。這種催化結(jié)構(gòu)體還可由被基底所承載的顆粒形成。然后，碳結(jié)構(gòu)體在基底和所述顆粒之間生長(zhǎng)。根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)將蝕刻氣體引入處理室使籽晶結(jié)構(gòu)體在升高的溫度下形成(變成)氣體形式。作為蝕刻過(guò)程的結(jié)果，碳結(jié)構(gòu)體基本上松散地要么位于基底上要么位于基座上?？蓪⑽g刻氣體活化。蝕刻氣體的活化可通過(guò)輸入能量來(lái)進(jìn)行。熱源、特別地加熱器或uv燈或等離子體發(fā)生器可用作能量源。特別優(yōu)選地，所述活化在處理室內(nèi)通過(guò)使用在那里產(chǎn)生的熱來(lái)進(jìn)行，例如通過(guò)使蝕刻氣體與經(jīng)加熱的處理室壁發(fā)生接觸，或與處理室內(nèi)的經(jīng)加熱的氣體發(fā)生接觸。所述活化(其特別地通過(guò)加熱來(lái)進(jìn)行)可在進(jìn)氣構(gòu)件中或在處理室本身內(nèi)發(fā)生。還可以通過(guò)由經(jīng)加熱的基座放出的熱量來(lái)活化蝕刻氣體，其中物體位于基座上。此外可提供，蝕刻氣體由兩種互不相同的氣體組成。蝕刻氣體優(yōu)選地在氣體源中隨時(shí)準(zhǔn)備好或產(chǎn)生。氣體源可為載氣例如ar、n2或h2流動(dòng)通過(guò)的儲(chǔ)液罐。蝕刻氣體特別地由socl2、sobr2、cocl2、nocl、nobr、sobr組成。特別優(yōu)選地，使用亞硫酰二氯socl2作為蝕刻氣體。特別地，使用以氣體的形式引入的液體作為蝕刻氣體，其具有羰基、亞硫酰基或亞硝?；?、和鹵素例如氯、溴或碘。根據(jù)本發(fā)明的方法在具有向外側(cè)氣密性密封的反應(yīng)器殼體的裝置中實(shí)施?？山柚诒脤⑺龇磻?yīng)器殼體抽真空。具有至少一個(gè)、優(yōu)選地多個(gè)氣體出口的進(jìn)氣構(gòu)位于反應(yīng)器殼體中。此外，由金屬或石墨制成的基座可位于處理室內(nèi)，可用加熱器將該基座加熱至100°至1000°的處理溫度?；孜挥谒龌?，在涂覆過(guò)程中以這樣的方式來(lái)處理所述基底，使得籽晶結(jié)構(gòu)體被沉積在碳結(jié)構(gòu)體例如石墨烯、納米管或半導(dǎo)體納米線上。在沉積過(guò)程之后，用惰性氣體沖洗處理室。隨后，將處理室?guī)е练磻?yīng)溫度，其對(duì)應(yīng)于蝕刻氣體與籽晶層進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)的處理溫度。該溫度可位于至少800℃。一旦位于基底支架上的具有碳結(jié)構(gòu)體的物體達(dá)到所述處理溫度，就將蝕刻氣體、特別地亞硫酰二氯引入處理室中。例如，可在900毫巴的總壓下以120毫摩爾/分鐘引入處理室中。借助于載氣將蝕刻氣體引入處理室中并且在那里被加熱，以將其活化。在該活化過(guò)程中，蝕刻氣體可預(yù)分解(vorzerlegen)成第一反應(yīng)產(chǎn)物。使用該蝕刻氣體或使用由其產(chǎn)生的預(yù)分解產(chǎn)物使籽晶結(jié)構(gòu)體和碳結(jié)構(gòu)體彼此分離。蝕刻過(guò)程典型地持續(xù)5分鐘。之后，停止輸送蝕刻氣體并且僅將惰性氣體引入處理室中，將該處理室冷卻以移除碳結(jié)構(gòu)。反應(yīng)產(chǎn)物或蝕刻氣體的除去可在蝕刻步驟結(jié)束之后同樣通過(guò)將處理室抽至真空壓力來(lái)進(jìn)行。除上述蝕刻氣體之外，還可將添加劑氣體引入處理室中，其中所述添加劑氣體為氫氣或金屬和鹵素之間的化學(xué)化合物。在本發(fā)明的一個(gè)變型中，處理室具有檢測(cè)器構(gòu)件，使用該檢測(cè)器構(gòu)件可連續(xù)地觀察籽晶結(jié)構(gòu)體轉(zhuǎn)化成氣態(tài)的反應(yīng)產(chǎn)物的進(jìn)度。所述檢測(cè)器構(gòu)件在此可為光源，其發(fā)射連續(xù)或脈沖光例如光束。光束照射至物體上，被該物體反射。反射的光束照射至檢測(cè)器。特別地，該檢測(cè)器測(cè)量光束的強(qiáng)度。由此確定物體的反射度(reflektionsgrad)或反射能力反射率或反射系數(shù)(reflektanz)。特別地，使用檢測(cè)器陣列檢測(cè)反射率的時(shí)間變化。優(yōu)選地，光束穿過(guò)碳結(jié)構(gòu)體，并且在籽晶結(jié)構(gòu)體的表面處，可以這樣說(shuō)，在一定程度上在碳結(jié)構(gòu)體對(duì)籽晶結(jié)構(gòu)體的邊界層處被反射。由此來(lái)確定在蝕刻工藝過(guò)程中改變的表面的反射率。在蝕刻工藝開始時(shí)，所述表面可為具有相應(yīng)高的反射率的光滑的金屬層。在蝕刻工藝的過(guò)程中，籽晶結(jié)構(gòu)體在該表面處被蝕刻掉，使得表面變得粗糙。表面的反射率降至最低，以在完全除去籽晶結(jié)構(gòu)體之前不久再次升高。在去除籽晶結(jié)構(gòu)體之后，光束在光滑的、具有高反射率的基底表面處被反射，所述表面不受蝕刻氣體的侵襲。蝕刻氣體不與基底反應(yīng)。對(duì)反射率在穿過(guò)最小值之后的上升的識(shí)別可用于蝕刻氣體導(dǎo)入的關(guān)閉(切斷)。蝕刻氣體進(jìn)料的自動(dòng)切斷特別地在反射率穿過(guò)最小值之后又再次達(dá)到最大值時(shí)進(jìn)行。

此外，本發(fā)明涉及用于實(shí)施所述方法的裝置，其特征在于，設(shè)置用于蝕刻氣體的源。額外地，所述裝置可具有用于確定分離方法的進(jìn)度的光學(xué)檢測(cè)器構(gòu)件，其與控制裝置配合作用以切斷蝕刻氣體的供應(yīng)。

本發(fā)明的實(shí)施例在下面依據(jù)附圖來(lái)說(shuō)明。附圖示出了：

圖1示意性地示出了第一實(shí)施例的cvd反應(yīng)器布置；

圖2示意性地示出了第二實(shí)施例的cvd反應(yīng)器布置；

圖3示意性地示出了分離方法的第一實(shí)施例；

圖4示出了分離方法的第二實(shí)施例；

圖5示出了分離方法的第三實(shí)施例；

圖6示出了分離方法的第四實(shí)施例；

圖7示出了在引入蝕刻氣體之前于時(shí)間點(diǎn)t0的根據(jù)圖6的圖示；

圖8示出了在蝕刻過(guò)程中于時(shí)間點(diǎn)t1的接圖7的順序圖(folgedarstellung)；

圖9示出了于時(shí)間點(diǎn)t2的接圖8的順序圖；

圖10僅定性地示出了在蝕刻過(guò)程中的籽晶結(jié)構(gòu)體2與碳結(jié)構(gòu)體1的邊界層2'的反射率的隨時(shí)間變化曲線。

在圖1和2中示出的cvd反應(yīng)器4包括殼體，其向外側(cè)是氣密性的。由石墨、石英或金屬制成的基座位于所述殼體內(nèi)，用于接收物體2,3，在其上沉積有碳結(jié)構(gòu)體1。加熱器6位于基座5的下方。其可為電阻加熱器、ir加熱器或?yàn)閞f加熱器。圓盤狀的基座5被出氣構(gòu)件所環(huán)繞，所述出氣構(gòu)件通過(guò)氣體排放管16連接至泵15。處理室7位于基座5的上方。處理室7的蓋由進(jìn)氣構(gòu)件8的排氣表面形成。進(jìn)氣構(gòu)件8可為噴頭形的中空體，其在其下側(cè)具有多個(gè)出氣口9。使用進(jìn)料管線10可將工藝氣體供應(yīng)到進(jìn)氣構(gòu)件8中。

為了實(shí)施沉積碳結(jié)構(gòu)1，即例如石墨烯層、由多個(gè)層組成的石墨烯層、碳納米管或半導(dǎo)體納米線的方法，通過(guò)進(jìn)料管線10將包含碳的合適的工藝氣體例如甲烷供應(yīng)到處理室7中。于其中擱置在基座5上的物體具有籽晶結(jié)構(gòu)體，例如籽晶層或結(jié)構(gòu)化的籽晶層2，其由銅形成。在該籽晶結(jié)構(gòu)體2上形成所謂的碳納米結(jié)構(gòu)1。所述物體可具有基底3，其涂覆有籽晶結(jié)構(gòu)體2。籽晶結(jié)構(gòu)體2可具有平滑的表面。但也可將催化活性的顆粒擱置在基底3上，所述催化活性的顆粒形成籽晶結(jié)構(gòu)體2。這些顆粒具有位于納米范圍內(nèi)的直徑。在沉積納米結(jié)構(gòu)時(shí)，在基底和顆粒之間形成納米管或納米線。這些顆?？梢员舜烁糸_。

為了從籽晶結(jié)構(gòu)體分離碳納米結(jié)構(gòu)1,而使用蝕刻氣體。該蝕刻氣體在蝕刻氣體源11中產(chǎn)生。借助于在進(jìn)料管線12中供應(yīng)的載氣，將蝕刻氣體通過(guò)進(jìn)料管線10導(dǎo)入進(jìn)氣構(gòu)件8中，所述載氣為由ar、n2或h2組成的惰性氣體。在進(jìn)料管線10中，借助于進(jìn)料管線13額外地將另外的惰性氣體例如ar、n2或h2供應(yīng)到該進(jìn)料管線10中。

對(duì)于在圖1中示出的實(shí)施例，蝕刻氣體11通過(guò)在處理室7內(nèi)或在進(jìn)氣構(gòu)件8內(nèi)進(jìn)行加熱來(lái)活化。蝕刻氣體源11可為起泡器(bubbler)，如在圖2中所示的那樣。

在圖2中示出的起泡器為如下的容器，其中儲(chǔ)存了液體原料。原料可為socl2、sobr2、cocl2、nocl2、nobr2或sobr。優(yōu)選地，液體可為亞硫酰二氯。通過(guò)使惰性氣體穿過(guò)所述液體來(lái)產(chǎn)生蝕刻氣體。

對(duì)于在圖2中示出的實(shí)施例，提供外部活化器14，蝕刻氣體在其中被活化。這可通過(guò)施加蝕刻氣體由熱、uv或由等離子體來(lái)完成。在活化器14中還可布置熱源、uv源或等離子體發(fā)生器。

在蝕刻氣體的活化過(guò)程中，可進(jìn)行蝕刻氣體的預(yù)分解。

為了實(shí)施蝕刻過(guò)程，將基座5加熱至約800℃的溫度。蝕刻氣體或預(yù)分解的蝕刻氣體與籽晶結(jié)構(gòu)體2反應(yīng)，并且將該籽晶結(jié)構(gòu)體轉(zhuǎn)化成揮發(fā)性的原料，該原料與載氣一起從處理室7的排放管道16被除去。

在圖3中左側(cè)示出的實(shí)施例示出了包括基底3的物體，其中所述基底可為介電體并且所述物體包括施加在該基底上的籽晶結(jié)構(gòu)體2。籽晶結(jié)構(gòu)體2可由銅形成并且為具有平滑表面的層。在籽晶結(jié)構(gòu)體2上沉積有石墨烯層1。其可為由石墨烯形成的單層。也可層疊地沉積數(shù)個(gè)石墨烯層。在上述蝕刻過(guò)程中，蝕刻氣體或該蝕刻氣體的第一反應(yīng)產(chǎn)物穿透石墨烯層1并將籽晶結(jié)構(gòu)體2轉(zhuǎn)化成氣態(tài)的第二反應(yīng)產(chǎn)物，從而形成在圖3中右側(cè)示出的結(jié)果，其中石墨烯1直接地?cái)R置在基底3上。

圖4在左側(cè)示出了已沉積在籽晶結(jié)構(gòu)體2上的石墨烯層1，其中所述籽晶結(jié)構(gòu)體為銅板。銅板2通過(guò)蝕刻過(guò)程被去除，從而僅保留石墨烯1，如在圖4中右側(cè)所示出的那樣。

對(duì)于在圖5中示出的實(shí)施例，碳結(jié)構(gòu)體1例如以納米線或納米管的形式在由銅形成的籽晶結(jié)構(gòu)體2下生長(zhǎng)，所述籽晶結(jié)構(gòu)體2由擱置在基底3的表面上的顆粒組成。為了沉積這種類型的碳結(jié)構(gòu)體1，在基底3上施加銅顆?；蛴闪硪环N合適的催化活性的材料形成的顆粒。碳結(jié)構(gòu)體1然后在基底3和所述顆粒之間生長(zhǎng)。在圖5中左側(cè)示意性地示出了相關(guān)的結(jié)構(gòu)。在蝕刻過(guò)程之后，籽晶結(jié)構(gòu)體2被除去，使得納米管1或納米線直接地?cái)R置在基底3上，如在圖5中右側(cè)所示出的那樣。

對(duì)于在圖6中示出的實(shí)施例，左側(cè)示出了如下的物體，其中基底3具有橫向的經(jīng)結(jié)構(gòu)化的籽晶結(jié)構(gòu)體2。在這種籽晶結(jié)構(gòu)體2上沉積了納米管1。在圖6中右側(cè)示出的其中納米管1直接地?cái)R置在基底3上的狀態(tài)通過(guò)上述蝕刻過(guò)程來(lái)實(shí)現(xiàn)，其中籽晶結(jié)構(gòu)體2通過(guò)干蝕刻工藝除去。

在圖1和圖2中示出的裝置中，既可實(shí)施沉積過(guò)程又可實(shí)施通過(guò)引入蝕刻氣體進(jìn)行的分離過(guò)程。

圖7至9示意性地示出了剖切包括基底3的物體的橫截面，在所述基底上施加了具有平滑的表面2'的金屬籽晶結(jié)構(gòu)體2。表面2'上沉積了作為石墨烯層或石墨烯層序列(graphenschichtenfolge)或者作為納米管或納米線的碳結(jié)構(gòu)體1。表面2'由此形成碳結(jié)構(gòu)體1和籽晶結(jié)構(gòu)體2之間的界面。用光源18(其可為半導(dǎo)體激光器)來(lái)產(chǎn)生入射光束19。該入射光束在界面2'處被反射。出射光束20落入檢測(cè)器21中。光源18和檢測(cè)器21可被布置在處理室中，使得在蝕刻過(guò)程中可連續(xù)地測(cè)量在界面2'處被反射的光束19,20的強(qiáng)度變化。在一個(gè)實(shí)施例中，入射光束19以>20°的銳角入射至界面2'。然而，入射光束19也可與界面2'成直角地入射至界面2'。

圖9示出了在蝕刻過(guò)程開始時(shí)、于時(shí)間點(diǎn)t0的物體。

圖10定性地示出了在蝕刻過(guò)程中于界面2'處的反射率變化曲線。在時(shí)間點(diǎn)t0，入射光束19在籽晶結(jié)構(gòu)體2的平滑的、具有高反射率的表面處被反射，使得通過(guò)反射光束的強(qiáng)度可測(cè)取的反射率r具有最大值。

在蝕刻過(guò)程中，籽晶結(jié)構(gòu)體2的材料在界面2'處被銷蝕，使得界面2'隨蝕刻過(guò)程的進(jìn)行而變得粗糙。反射率減小，從而檢測(cè)器21檢測(cè)到減小的強(qiáng)度/反射率。這在圖8中于時(shí)間點(diǎn)t1示出。當(dāng)僅有基底表面3'的局部被籽晶結(jié)構(gòu)體2的材料占據(jù)時(shí)，強(qiáng)度/反射率穿過(guò)最小值并且再次升高。基底表面3'具有高的反射率，因?yàn)樗瞧交?。在時(shí)間點(diǎn)t2處強(qiáng)度/反射率達(dá)到最大值。其不再升高。這標(biāo)志著光束19僅在基底表面3'處被反射，該基底表面此時(shí)形成碳結(jié)構(gòu)體1和基底3之間的界面。

如果強(qiáng)度/反射率r達(dá)到在最小值后的最大值，或確定反射率不再升高，則蝕刻過(guò)程結(jié)束。

前述實(shí)施例旨在說(shuō)明被本申請(qǐng)整體所涵蓋的發(fā)明，其至少通過(guò)以下的特征組合分別單獨(dú)地對(duì)現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行開發(fā)：

從籽晶結(jié)構(gòu)體2分離沉積的碳結(jié)構(gòu)體1例如石墨烯、碳納米管或半導(dǎo)體納米線的方法，其包括以下步驟：

-在cvd反應(yīng)器4的處理室7中提供沉積在籽晶結(jié)構(gòu)體2上的碳結(jié)構(gòu)體；

-加熱具有籽晶結(jié)構(gòu)體2和碳結(jié)構(gòu)體1的基底至處理溫度；

-供應(yīng)具有通式aomxn、aomxnyp或amxn的至少一種蝕刻氣體，其中a選自包含s、c、n的元素的組，其中o為氧，其中x、y為不同的鹵素，并且m、n、p為大于零的自然數(shù)；

-通過(guò)與所述蝕刻氣體的化學(xué)反應(yīng)將籽晶結(jié)構(gòu)體2轉(zhuǎn)化成氣態(tài)的反應(yīng)產(chǎn)物；

-借助于載氣流移除所述氣態(tài)的反應(yīng)產(chǎn)物。

一種方法，其特征在于，所述籽晶結(jié)構(gòu)體為金屬結(jié)構(gòu)體。

一種方法，其特征在于，所述籽晶結(jié)構(gòu)體包含來(lái)自以下元素的組的至少一種元素：cu、ni、co、fe、ru、ir、ga、gd、mo、mn、ag、au、b、si、ge。

一種方法，其特征在于，所述籽晶結(jié)構(gòu)體2布置在基底3和碳結(jié)構(gòu)體1之間或在碳結(jié)構(gòu)體上方并在該基底中，以及該籽晶結(jié)構(gòu)體由顆粒、在基底3上的層形成或由基底本身形成。

一種方法，其特征在于，所述蝕刻氣體特別地通過(guò)輸入熱、通過(guò)紫外光或通過(guò)等離子體活化，其中特別地設(shè)成，該蝕刻氣體通過(guò)在cvd反應(yīng)器4內(nèi)、特別地在那里的進(jìn)氣構(gòu)件8內(nèi)或在處理室7內(nèi)加熱來(lái)進(jìn)行。

一種方法，其特征在于，所述蝕刻氣體包含元素氯，并且特別地為socl2。

一種方法，其特征在于，所述蝕刻氣體為由多種互不相同的氣體組成的氣體混合物。

一種方法，其特征在于，在蝕刻氣體源11中提供所述蝕刻氣體，特別地，在該蝕刻氣體源中液體被蒸發(fā)。

一種方法，其特征在于，與所述蝕刻氣體一起將具有通式rx的添加劑氣體供應(yīng)到所述處理室中，其中r為氫或金屬，以及x為鹵素。

一種方法，其特征在于，籽晶結(jié)構(gòu)體2轉(zhuǎn)化成氣態(tài)的反應(yīng)產(chǎn)物的進(jìn)度通過(guò)測(cè)取該籽晶結(jié)構(gòu)體的表面2'的反射率來(lái)確定，其中特別地為測(cè)取所述反射率使用光源18和檢測(cè)器21，所述光源產(chǎn)生在該籽晶結(jié)構(gòu)體的表面2'處被反射的入射光束19，所述檢測(cè)器測(cè)量反射的光束20的強(qiáng)度，其中入射光束19與表面2'的表面延伸垂直地或成角度地入射和/或所述光束連續(xù)地或以脈沖的方式產(chǎn)生。

一種方法，其特征在于，當(dāng)檢測(cè)器20測(cè)取到的出射光束20的強(qiáng)度在經(jīng)過(guò)最小值之后達(dá)到最大值時(shí)，結(jié)束向處理室引入所述蝕刻氣體。

一種方法，其特征在于，在從籽晶結(jié)構(gòu)體2分離碳結(jié)構(gòu)體1之前，在同一處理室7中將碳結(jié)構(gòu)體1沉積在籽晶結(jié)構(gòu)體2上。

一種裝置，其特征在于用于提供蝕刻氣體的源，所述源特別地具有容器11，液體被儲(chǔ)存在所述容器(11)中中，由該液體通過(guò)蒸發(fā)可產(chǎn)生蝕刻氣體。

一種裝置，其特征在于光源18和檢測(cè)器21，其中光源18產(chǎn)生光束，該光束在碳結(jié)構(gòu)體1和籽晶結(jié)構(gòu)體2之間的邊界層處被反射，并且具有如下的檢測(cè)器21，其測(cè)取在所述邊界層處被反射的光束的強(qiáng)度。

一種裝置，其特征在于如下的控制器，當(dāng)檢測(cè)器21測(cè)取到的反射光束20的強(qiáng)度在經(jīng)過(guò)最小值后不再上升時(shí)，該控制器與檢測(cè)器21共同作用并關(guān)閉蝕刻氣體向處理室7中的進(jìn)氣。

所有公開的特征(本身，但也相互組合)是本發(fā)明必不可少的。在此，在本申請(qǐng)的公開內(nèi)容中還將相關(guān)/所附的優(yōu)先權(quán)文件(在先申請(qǐng)的副本)的公開內(nèi)容通過(guò)引入并入本文，也用于在本申請(qǐng)的權(quán)利要求中結(jié)合這些文件的特征的目的。從屬權(quán)利要求以其特征單獨(dú)地表征本發(fā)明對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的擴(kuò)展，特別地基于這些權(quán)利要求來(lái)做出區(qū)分。

附圖標(biāo)記

1碳結(jié)構(gòu)體

2籽晶結(jié)構(gòu)體

2'界面

3基底

3'界面

4cvd反應(yīng)器

5基座

6加熱器

7處理室

8進(jìn)氣構(gòu)件

9出氣口

10進(jìn)料管線

11蝕刻氣體源

12進(jìn)料管線

13惰性氣體進(jìn)料管線

14活化破壞器

15泵

16排放管道

18光源

19入射光束

20出射光束

21檢測(cè)器

r反射率

t0時(shí)間點(diǎn)

t1時(shí)間點(diǎn)

t2時(shí)間點(diǎn)