本申請(qǐng)要求2015年3月6日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?4/640146的美國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，該專利申請(qǐng)要求于2014年9月25日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?2/055503的美國臨時(shí)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。該申請(qǐng)和本文確認(rèn)的所有其他出版物通過引用并入本文至好像每個(gè)單獨(dú)的出版物或?qū)＠暾?qǐng)被具體且單獨(dú)地顯示為通過引用并入本文的程度。如果引入的參考文獻(xiàn)中的術(shù)語的定義或應(yīng)用與本文中規(guī)定的術(shù)語的定義不一致或相違背時(shí)，適用本文中規(guī)定的術(shù)語的定義，不適用參考文獻(xiàn)中該術(shù)語的定義。

本發(fā)明的領(lǐng)域?yàn)榫w技術(shù)。

背景技術(shù)：

背景技術(shù)描述包括可用于理解本發(fā)明的信息。不是承認(rèn)本文提供的任何信息是現(xiàn)有技術(shù)或與當(dāng)前要求保護(hù)的發(fā)明相關(guān)，也不是承認(rèn)具體或隱含引用的任何出版物是現(xiàn)有技術(shù)。

已知的石英晶體的一個(gè)問題是邊緣可能是鋒利的，并且如果掉落，則容易破損。masters'crystals^tm公開了一種“相干晶體四面體”(http://masterscrystals.com/crystal-shopping/coherence/coherence-crystal-<get)。相干晶體四面體由實(shí)驗(yàn)室生長(zhǎng)的石英組成，并被切割和拋光以具有傾斜的邊緣，“以便于舒適地處理，以及具有在意外掉落時(shí)較小的破損機(jī)會(huì)”。而遺憾的是，masters’crystals的晶體四面體顯然不具有允許用戶體驗(yàn)最佳的精神、情感和聚焦效果的尺寸和材料。

長(zhǎng)期以來，人們需要使用寶石來改善能量和振動(dòng)治愈療法。treeoflifetech^tm公開了名為vogelcrystals^tm的石英晶體，其似乎填充了鉑、金、治療寶石、礦物質(zhì)和其他順勢(shì)療法成分，理論是當(dāng)順勢(shì)療法成分放到被鉆入vogelcrystals中的孔內(nèi)并用金覆蓋時(shí)會(huì)與身體共振。遺憾的是，仍然需要能夠形成與頻率共振的不經(jīng)填充的晶體。

因此，仍然需要當(dāng)與聲學(xué)、機(jī)電和電磁輻射進(jìn)入諧波共振時(shí)可以“振鈴(ring)”的晶體，其中可以通過改進(jìn)晶體的尺寸和形狀來調(diào)諧這些共振的頻率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的主題提供了組合物和方法，其中壓電水熱生長(zhǎng)的合成石英晶體被精密切割以形成優(yōu)選地與石英晶體的分子結(jié)構(gòu)完全對(duì)準(zhǔn)的四面體。

如在本文的說明書和貫穿下面的權(quán)利要求中所使用的，除非上下文另有明確規(guī)定，否則“一個(gè)(a)”、“一個(gè)(an)”和“該(the)”的含義包括復(fù)數(shù)指代。此外，如本文的說明書中所使用的那樣，除非上下文另有明確規(guī)定，否則“在…內(nèi)(in)”的含義包括“在…內(nèi)(in)”和“在…上(on)”。

在本發(fā)明主題的一些方面，晶體可以具有從正四面體形狀改進(jìn)的形狀。改進(jìn)的四面體形狀具有在四個(gè)截平的頂點(diǎn)和六個(gè)倒角邊緣處連接的四個(gè)相同或基本相同的三角形面。六個(gè)倒角邊緣具有平均長(zhǎng)度l，平均寬度為w；其中8≤l/w≤9.5(最優(yōu)選8.735)。如本文所用，術(shù)語“基本相同”是指沿著每個(gè)維度差別在2％范圍內(nèi)的相同。

晶體的尺寸和形狀至少部分地確定本發(fā)明主題“振鈴”(或共振)的諧波共振。這種諧波可以是聲學(xué)的、機(jī)電的或電磁的。四面體形狀將趨向于橫跨截平的晶體的高度，跨越四面體內(nèi)球面(insphere)的直徑，且隨其上諧波和下諧波振蕩或共振。另外，將發(fā)生這兩者的和頻和差頻的存在。在本發(fā)明主題的一些設(shè)想的實(shí)施方式中，基本的高度共振頻率在335和345khz之間，最優(yōu)選為340.135khz，基本的內(nèi)球面共振頻率在560和570khz之間，最優(yōu)選為567.386khz，并且諧波是基本共振頻率的整數(shù)倍和約數(shù)(例如，1、2、3、4、5等等)。從不同的角度來看，將存在低于基頻的、大致泊松分布的頻譜伸展，基頻的是上限。

實(shí)驗(yàn)已經(jīng)表明，如果用除了本文規(guī)定的之外的尺寸或材料切割晶體，則不存在振鈴或極大地消音(例如，消音大于25％、大于33％、大于50％、大于75％或甚至大于90％)。另外，根據(jù)本發(fā)明的主題設(shè)定尺寸和切割的晶體具有正好是或近似是1.54421的折射率(例如，電磁輻射以比真空中慢1.54-1.55倍行進(jìn))，具有在某些諧波下增強(qiáng)的機(jī)電共振和電磁共振之間的相互作用。此特性被認(rèn)為是給予或貢獻(xiàn)了本發(fā)明主題的一些晶體的實(shí)驗(yàn)用戶所要求的精神、情感和聚焦效果。本發(fā)明的目的是提供一種與水(其分子為四面體)和活體物質(zhì)(其細(xì)胞充滿水)共振的晶體。

設(shè)想的是，本發(fā)明主題的晶體可以包括具有表面粗糙度≤20埃rms，更優(yōu)選≤15埃rms，甚至更優(yōu)選≤5埃rms的面。本發(fā)明主題的一些晶體的附加特征可以在申請(qǐng)人的申請(qǐng)?zhí)枮?2/055503的美國臨時(shí)申請(qǐng)中找到，其全部?jī)?nèi)容并入本文。應(yīng)當(dāng)理解，第62/055503號(hào)申請(qǐng)中提供的公開內(nèi)容針對(duì)具體實(shí)施方式，并且不應(yīng)被解釋為限制本文提供的本發(fā)明主題的范圍。

在一些優(yōu)選實(shí)施方式中，六個(gè)倒角邊緣中的每一個(gè)的長(zhǎng)度l基本相同。如上所述，術(shù)語“基本相同”是指具有差別2％或差別少于2％的尺度。在一些設(shè)想的實(shí)施方式中，六個(gè)邊緣的長(zhǎng)度相差不超過0.1％。

另外地或可選地，本發(fā)明主題的一些晶體可以包括具有寬度w的倒角邊緣，該寬度與任何其它倒角邊緣的寬度相差不超過2％，或甚至不超過0.1％。

倒角邊緣的長(zhǎng)度與寬度的比優(yōu)選地在8:1和9:1之間。在設(shè)想的實(shí)施方式中，8.3≤l/w≤9.2，更優(yōu)選8.7≤l/w≤8.8。在另外的實(shí)施方式中，l/w將等于8.7348，甚至等于8.734782608。

本文中值的范圍的敘述僅僅意在作為簡(jiǎn)單地指示落在該范圍內(nèi)的每個(gè)單獨(dú)值的簡(jiǎn)寫方法。除非另有說明，否則將每個(gè)單獨(dú)的值并入本說明書中，如同在本文中單獨(dú)列舉一樣。本文所述的所有方法可以以任何合適的順序進(jìn)行，除非本文另有說明或者與上下文明顯矛盾。關(guān)于本文中某些實(shí)施方式提供的任何和所有示例或示例性語言(例如“諸如”)的使用僅旨在更好地說明本發(fā)明，并且不對(duì)所要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍構(gòu)成限制。說明書中的任何語言不應(yīng)被解釋為表示對(duì)本發(fā)明的實(shí)踐至關(guān)重要的任何非要求保護(hù)的要素。

在本發(fā)明主題的其他方面，截平的頂點(diǎn)優(yōu)選地與四個(gè)基本相同的三角形面中的至少一個(gè)是完全平行的(或平行度至少在1度內(nèi)，更優(yōu)選平行度在至少0.5度內(nèi)，甚至更優(yōu)選平行度在0.1度內(nèi))。另外，四個(gè)截平的頂點(diǎn)中的每一個(gè)可以是六邊形，具有三個(gè)基本相同長(zhǎng)度y的邊緣，和三個(gè)基本相同長(zhǎng)度z的邊緣。在具有基本相同長(zhǎng)度的三個(gè)邊緣不相同的情況下，可以考慮長(zhǎng)度(y或z)是三個(gè)邊緣的平均值。頂點(diǎn)邊緣的長(zhǎng)度y除以倒角邊緣的寬度w可以有所變化，使得1.3≤y/w≤1.7，更優(yōu)選1.4≤y/w≤1.6，甚至更優(yōu)選的是y/w＝1.458-1.459。頂點(diǎn)邊緣的長(zhǎng)度z除以倒角邊緣的寬度w可以有所變化，使得0.8≤z/w≤1.2。從不同的角度來看，z/w可以等于1±2％，更優(yōu)選1。

本發(fā)明主題的各種目的、特征、方面和優(yōu)點(diǎn)將從以下對(duì)優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)描述以及附圖中變得更加清楚，其中相同的附圖標(biāo)記表示相同的部件。

附圖說明

圖1a為本發(fā)明主題的晶體的俯視示圖。

圖1b為本發(fā)明主題的晶體的側(cè)視示圖。

具體實(shí)施方式

以下討論提供了本發(fā)明主題的多個(gè)示例性實(shí)施方式。盡管每個(gè)實(shí)施方式都表示本發(fā)明要素的單一組合，但本發(fā)明主題被認(rèn)為包括所公開要素的所有可能的組合。因此，如果一個(gè)實(shí)施方式包括要素a、b和c，并且第二實(shí)施方式包括要素b和d，則即使未明確地公開，本發(fā)明的主題也被認(rèn)為包括a、b、c或d的其他剩余組合。

本發(fā)明的主題提供了組合物和方法，其中壓電水熱生長(zhǎng)的合成石英晶體被精確切割以形成與沿著z(或c)和x+軸的石英晶體的分子結(jié)構(gòu)完全對(duì)準(zhǔn)的四面體。石英應(yīng)該是晶體的，不包括熔融的或無定形的二氧化硅(sio2)(或基本上沒有熔融的或無定形的二氧化硅(sio2))。從不同的角度來看，對(duì)準(zhǔn)優(yōu)選在z和x+軸上一個(gè)弧度范圍內(nèi)。

本發(fā)明主題的晶體優(yōu)選地被切割以符合幾何方程。在優(yōu)選實(shí)施方式中，起始的四面體的未切割邊緣源于質(zhì)子與普朗克半徑之間的幾何平均值，并應(yīng)用到質(zhì)子至晶體未切割的四面體邊緣，且給出e＝26.9610mm的未切割邊緣常數(shù)(根值)，以及通過幾何推導(dǎo)給出高度h，因此，四面體的未切割高度h(其中根值為26.9610mm)＝22.0136mm。另外地或可選地，4個(gè)頂點(diǎn)中的每一個(gè)的切割αc被定義為其中為“黃金比例”。邊緣的倒角被定義為：本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，黃金比例與斐波納契系數(shù)和系列中的數(shù)字n相關(guān)，并且可以使用以下等式來計(jì)算：

在一些優(yōu)選的實(shí)施方式中，晶體從極純的合成生長(zhǎng)的sio2水熱成材的具有光學(xué)性能的石英的、被精確晶格取向的塊切割?？梢栽O(shè)想本發(fā)明主題的一些晶體可以是右旋石英晶體。還可以設(shè)想，可以從單個(gè)合成石英棒切割多個(gè)晶體。例如，可以由從長(zhǎng)度為76.1-76.3mm、寬度為240-265mm、并且深度為23-23.3mm的石英棒切割出的25片20mm×20mm×20mm的合成石英制造25塊晶體。作為另一個(gè)示例，可以從具有88.0±0.1mm(x)×30.0±0.2mm(z)×240mm或以上(y)的尺寸并且具有至少300萬的紅外q值(在電氣領(lǐng)域的振蕩精度)的合成石英棒制造晶體。

晶體優(yōu)選以使得在制造過程中不使用或不通過任何工序產(chǎn)生熔融或無定形sio2的方式切割，因?yàn)槿廴谑?huì)變成無定形態(tài)并且不能像純的合成結(jié)晶石英一樣在電或能源領(lǐng)域中工作。

從不同的角度來看，優(yōu)選地切割晶體使得不超過兩個(gè)分子層的材料可以在最終產(chǎn)品中的任何切割平面或邊緣處熔合。這可以在切割和拋光工藝不將晶體加熱到接近或超過573℃的溫度下實(shí)現(xiàn)，573℃為熔融石英的轉(zhuǎn)變溫度。因此，本發(fā)明主題的晶體優(yōu)選從純的合成結(jié)晶塊切割，并且在制造過程中避免過度加熱。

圖1a-1b示出了根據(jù)上述方程切割的本發(fā)明主題的晶體的俯視示圖和側(cè)視示圖。應(yīng)當(dāng)注意的是，根據(jù)本發(fā)明主題的方程切割的晶體可以基于任何合適的根數(shù)，且該根數(shù)不限于26.9610mm。

如圖1a-1b所示，本發(fā)明主題的晶體100包括四個(gè)截平的頂點(diǎn)110a、110b、110c和110d，以及六個(gè)倒角的邊緣120a、120b、120c、120d、120e和120f。在所示的實(shí)施方式中，每個(gè)截平的頂點(diǎn)都是六邊形，其中三個(gè)邊具有2.684mm±0.2mm的第一長(zhǎng)度，且其中剩余的三個(gè)邊具有1.840mm±0.2mm的第二長(zhǎng)度。優(yōu)選地，截平的頂點(diǎn)的邊在第一長(zhǎng)度和第二長(zhǎng)度之間交替，并且從第一邊的端部到第二相鄰邊的端部的距離為3.918mm±0.2mm。六個(gè)倒角邊緣中的每一個(gè)都是矩形形狀，尺寸為(16.072mm±0.2mm)×(1.840mm±0.2mm)。

晶體100可以由具有未切割邊緣或具有例如26.9610mm的根值的晶體產(chǎn)生，并且未切割高度為22.0136mm±0.2mm，其中根據(jù)以下方式切割晶體：

●高度h，通過幾何推導(dǎo)：

另外，

●4個(gè)頂尖/頂點(diǎn)中的每一個(gè)的切割或截?cái)唳羉被定義為其中是“黃金比例”。

●邊緣的倒角被定義為：本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，黃金比例與斐波納契系數(shù)和系列中的數(shù)字n相關(guān)，并且可以使用以下等式來計(jì)算：

這種切割晶體的最終高度為16.817mm±0.2mm。

雖然上述示例代表根據(jù)上述方程的晶體切割，假設(shè)根值為26.9610mm，但是應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明主題的可選晶體可以根據(jù)上述方程切割，但是可以使用不同的根數(shù)(例如，20mm(較小的根值)、34mm(較大的根值))。任何合適的根值可以與上述方程組合使用，以獲得適當(dāng)?shù)母叨?、切割和倒角以提供所需的“振鈴”或共振?/p>

在本發(fā)明主題的一些實(shí)施方式中，根據(jù)本文所述的方程并且具有26.9610mm的根值的晶體切割將具有以下最終的公差：

●公差：

○尺寸和厚度：±0.050mm

○(w±0.1mm)×(h±0.1mm)×(l+0.5/-0.1mm)(l≥2.5mm)

○(w±0.1mm)×(h±0.1mm)×(l+0.1/-0.1mm)(l<2.5mm)

●平坦度值是峰谷值(peak-to-valley)＝λ/4，其中λ＝633nm。

●角度公差：δθ≤0.1°，δφ≤0.1°。

●有效孔徑為中心區(qū)域的90％。

●損傷閾值[gw/cm²]>0.5，對(duì)于1064nm、tem00、10ns、10hz(ar涂覆)；損傷閾值[gw/cm²]>0.3，對(duì)于532nm、tem00、10ns、10hz(ar涂覆)。

●波前失真<λ/8@633nm。

●內(nèi)部質(zhì)量-沒有可見的散射路徑或中心[由50mw綠色激光檢查]。

●測(cè)量是nist認(rèn)證的。

●平行度通常為4弧分或在初始樣品更好。

●初次采樣時(shí)，劃痕(scratch-dig)通常為80-50，但可能無法保證。

對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明顯的是，在不脫離本文的發(fā)明構(gòu)思的情況下，除了已經(jīng)描述的那些之外，更多的修改是可能的。因此，除了所附權(quán)利要求的精神外，本發(fā)明的主題不受限制。此外，在解釋說明書和權(quán)利要求書時(shí)，所有術(shù)語應(yīng)以符合上下文的最廣泛的方式進(jìn)行解釋。特別地，術(shù)語“包括(comprises)”和“包括(comprising)”應(yīng)被解釋為以非排他性方式指代要素、組件或步驟，指示所引用的要素、組件或步驟可以為目前的或使用的或與未明確引用的其他要素、組件或步驟組合。如果說明書和權(quán)利要求涉及選自由a、b、c...及n組成的組中的至少一個(gè)，那么該文字應(yīng)該被解釋為僅要求組中的一個(gè)要素，而不是a加n，或b加n等。