技術特征：

1.一種碳化硅外延基板，其包含：

碳化硅單晶基板、和

在所述碳化硅單晶基板上的外延層；

所述碳化硅單晶基板具有100mm以上的直徑，

所述外延層具有10μm以上的厚度，

所述外延層具有1×10¹⁴cm^-3以上且1×10¹⁶cm^-3以下的載流子濃度，

所述外延層的面內的所述載流子濃度的標準偏差對所述面內的所述載流子濃度的平均值的比率為10％以下，

所述外延層具有主表面，

所述主表面在三維表面粗糙度測量中具有0.3nm以下的算術平均粗糙度Sa，

在所述主表面中，源于貫通螺旋位錯的凹坑的面密度為1000個cm^-2以下，

所述凹坑各自具有自所述主表面起算8nm以上的最大深度。

2.根據權利要求1所述的碳化硅外延基板，其中，

所述面密度為100個cm^-2以下。

3.根據權利要求1所述的碳化硅外延基板，其中，

所述面密度為10個cm^-2以下。

4.根據權利要求1所述的碳化硅外延基板，其中，

所述面密度為1個cm^-2以下。

5.根據權利要求1所述的碳化硅外延基板，其中，

所述直徑為150mm以上。

6.根據權利要求1所述的碳化硅外延基板，其中，

所述直徑為200mm以上。

7.根據權利要求1所述的碳化硅外延基板，其中，

所述比率為5％以下。

8.根據權利要求1所述的碳化硅外延基板，其中，

所述最大深度為20nm以上。

9.根據權利要求1所述的碳化硅外延基板，其中，

所述凹坑各自具有包含第一寬度和第二寬度的平面形狀，所述第一寬度在第一方向上延伸，所述第二寬度在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，并且

所述第一寬度為所述第二寬度的兩倍以上。

10.一種碳化硅外延基板，其包含：

碳化硅單晶基板、和

在所述碳化硅單晶基板上的外延層；

所述碳化硅單晶基板具有100mm以上的直徑，

所述外延層具有10μm以上的厚度，

所述外延層具有1×10¹⁴cm^-3以上且1×10¹⁶cm^-3以下的載流子濃度，

所述外延層的面內的所述載流子濃度的標準偏差對所述面內的所述載流子濃度的平均值的比率為10％以下，

所述外延層具有主表面，

所述主表面在三維表面粗糙度測量中具有0.3nm以下的算術平均粗糙度Sa，

在所述主表面中，源于貫通螺旋位錯的凹坑的面密度為1000個cm^-2以下，

所述凹坑各自具有包含第一寬度和第二寬度的平面形狀，所述第一寬度在第一方向上延伸，所述第二寬度在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，

所述第一寬度為所述第二寬度的兩倍以上，

所述凹坑各自具有自所述主表面起算20nm以上的最大深度。