本發(fā)明涉及包括環(huán)境阻隔涂層(EBC)的物品，例如，高溫機(jī)器零件。更具體而言，本發(fā)明涉及涂層系統(tǒng)和包括其來保護(hù)機(jī)器零件免于暴露于高溫環(huán)境的物品。本發(fā)明還涉及一種用于制作和保護(hù)物品的方法。

背景技術(shù)：

高溫材料(諸如例如，陶瓷、合金和金屬間化合物)提供吸引人的性質(zhì)來用于設(shè)計(jì)成在應(yīng)用(諸如例如，燃?xì)鉁u輪發(fā)動(dòng)機(jī)、換熱器和內(nèi)燃機(jī))中的高溫下服務(wù)的結(jié)構(gòu)。然而，這些應(yīng)用的環(huán)境特征通常包含反應(yīng)性種類(如，水蒸氣)，其在高溫下可引起材料結(jié)構(gòu)的顯著退化。例如，水蒸氣示為引起載硅材料中的顯著表面凹入和質(zhì)量損失。水蒸氣在高溫下與結(jié)構(gòu)材料反應(yīng)，以形成可揮發(fā)的含硅種類，這通常導(dǎo)致不可接受的高凹入率。

環(huán)境阻隔涂層(EBC)施加到載硅材料和易于由反應(yīng)種類(如，高溫水蒸氣)沖擊的其它材料。EBC通過阻止環(huán)境與材料表面之間的接觸來提供保護(hù)。例如，施加到載硅材料上的EBC設(shè)計(jì)成在高溫含水蒸氣的環(huán)境中相對化學(xué)穩(wěn)定。如美國專利第6, 410, 148號中所述，一個(gè)示例性常規(guī)EBC系統(tǒng)包括施加到載硅基底上的硅或二氧化硅連結(jié)層；包括沉積在連結(jié)層上的多鋁紅柱石或多鋁紅柱石堿土鋁硅酸鹽混合物的中間層；以及包括沉積在中間層上的堿土鋁硅酸鹽的頂層。在另一個(gè)實(shí)例美國專利第6, 296, 941號中，頂層為硅酸釔層，而非鋁硅酸鹽。美國專利第6, 299, 988號和美國公開案第2011/0052925號也描述了EBC。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

以上涂層系統(tǒng)可在需要的環(huán)境中提供對物品的適合的保護(hù)，但存在改善涂層性能的機(jī)會(huì)。EBC中的不同材料的實(shí)施提供了用于擴(kuò)展系列的應(yīng)用和環(huán)境的機(jī)會(huì)，但不同材料的使用還可導(dǎo)致新的技術(shù)問題，這可不利地影響EBC和/或包括EBC的物品的完整性。

因此，所需的是由改善的涂層系統(tǒng)保護(hù)的物品，其提供擴(kuò)展應(yīng)用中的效用，而不犧牲EBC和/或物品的完整性。還需要經(jīng)濟(jì)地且可重復(fù)生產(chǎn)地生產(chǎn)這些物品的方法。

在一方面，本發(fā)明提供了一種物品，其包括基底、設(shè)置在基底上的大致氣密性的密封層，以及設(shè)置在基底上在密封層與基底之間的多孔過渡層，其中該物品包括經(jīng)由基底延伸穿過多孔過渡層的一個(gè)或多個(gè)開口。

在第二方面，本發(fā)明提供了一種用于制作物品的方法。該方法包括：將連結(jié)涂層設(shè)置在基底上，將多孔過渡層設(shè)置在連結(jié)涂層上，將密封層設(shè)置在多孔過渡層上，其中密封層包括稀土硅酸鹽或堿土鋁硅酸鹽，以及形成一個(gè)或多個(gè)開口，開口經(jīng)由基底和連結(jié)涂層延伸至多孔過渡層。在不包括連結(jié)涂層的實(shí)施例中，該方法不包括將連結(jié)涂層設(shè)置在基底上。

在一些實(shí)施例中，該方法還包括：將中間層設(shè)置在多孔過渡層上，中間層包括相對于二氧化硅大致惰性的阻隔材料，以及可選將頂部涂層設(shè)置在密封層上。

附圖說明

在參照附圖閱讀以下詳細(xì)描述時(shí)，本發(fā)明的這些及其它特征、方面和優(yōu)點(diǎn)將變得更好理解，附圖中相似的標(biāo)號表示附圖各處相似的部分，在附圖中：

圖1為本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的示意性截面圖。

圖2為本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施例的簡化示意性截面圖。

具體實(shí)施方式

如本文中使用的那樣，可在本文中稱為"密封層"的大致氣密性的密封層是指可防止環(huán)境中的氣體從涂布側(cè)接近基底的層/涂層或多個(gè)層/涂層。如本文使用的用語"大致氣密性"意思是涂層具有低于大約2x10^-14cm²(大約2x10^-6Darcy)的氣體透過率，這是常用測量技術(shù)的檢測極限。在一些非限制性實(shí)施例中，密封層包括能夠在處于或高于涂層的散料的熔化溫度以下的已知溫度("密封溫度")下形成可流動(dòng)相(如，液相或玻璃相)的材料("密封材料")。該液相或玻璃相在適于允許可流動(dòng)相流入且至少部分地填充缺陷(如裂紋或孔隙)的密封溫度下具有一定粘性，從而加強(qiáng)了涂層阻擋不利的種類從外部環(huán)境移入基底中的能力。例如，美國公開案第2011/0052925號中描述了可用于本發(fā)明的非限制性密封層的實(shí)例。

圖1繪出了本發(fā)明的示例性物品200。在該特定實(shí)施例中，密封層210設(shè)置在基底202上?；?02可由任何適合的材料制成，如，陶瓷、金屬合金或金屬間材料。在一些實(shí)施例中，基底包括陶瓷，例如，氧化物、氮化物或碳化物?；?02可包括含硅的材料，如，氮化硅、二硅化鉬或碳化硅。在某些實(shí)施例中，該材料為陶瓷基質(zhì)復(fù)合材料，如，由基質(zhì)相和增強(qiáng)相制成的材料；在特定實(shí)施例中，基質(zhì)相和增強(qiáng)相包括碳化硅(SiC)。在某些實(shí)施例中，物品200為燃?xì)廨啓C(jī)組件的構(gòu)件，諸如例如，燃燒襯套、過渡件、護(hù)罩、導(dǎo)葉或葉片。在一些實(shí)施例中，密封層保護(hù)基底202免于暴露于高溫下的水蒸氣的能力可有利于其應(yīng)用于載硅的渦輪構(gòu)件。將理解的是，盡管本發(fā)明的實(shí)施例的應(yīng)用可參照載硅基底上的應(yīng)用描述為用于保護(hù)免受水蒸氣的沖擊，但此引用是示例性的，且本發(fā)明的實(shí)施例包括除載硅材料之外的基底材料。

在一些實(shí)施例中，連結(jié)涂層204設(shè)置在基底202上，在密封層210與基底202之間。例如，連結(jié)涂層204可用于減輕熱應(yīng)力，或阻止例如基底202與密封層210之間的化學(xué)反應(yīng)。在一些實(shí)施例中，連結(jié)涂層204是非氧化物層，其用作阻止和/或防止基底的氧化的吸氧劑。

在一些實(shí)施例中，諸如例如，在基底202為載硅材料的情況下，連結(jié)涂層204可包括硅。例如，在一些實(shí)施例中，連結(jié)涂層204包括元素硅或硅化物。在一些實(shí)施例中，連結(jié)涂層204包括碳化硅和/或氮化硅。在一些實(shí)施例中，連結(jié)涂層204包括碳化物、氮化物和/或硅化物。

在各種應(yīng)用中，用于基底(例如，基于碳化硅的陶瓷基質(zhì)復(fù)合物)的物品(例如，包括環(huán)境阻隔涂層(EBC)的物品)使用硅作為連結(jié)涂層(即，硅連結(jié)涂層)。然而，這可將例如EBC/CMC系統(tǒng)的溫度應(yīng)用限于低于硅的熔點(diǎn)。因此，在一些實(shí)施例中，連結(jié)涂層包括比硅更耐高溫的材料。此實(shí)施例提供的效用在于，它們允許物品(例如，例如在熱區(qū)段部分上使用陶瓷基質(zhì)復(fù)合物(CMC)的渦輪)受益于較高的焚燒溫度。

用于耐高溫連結(jié)涂層的許多潛在選擇在氧化時(shí)生成了氣態(tài)反應(yīng)產(chǎn)物。例如，碳化物氧化來釋放一氧化碳或二氧化碳，氮化物氧化來釋放氮?dú)?，且一些硅化物氧化來釋放金屬氧化物，其在一些情況下可為氣態(tài)。這些氣態(tài)反應(yīng)產(chǎn)物引起傳統(tǒng)EBC中的剝落，因?yàn)樗鼈儼饷苄詫?，且因此不允許這些氣態(tài)產(chǎn)物的穿透。結(jié)果，氣泡累積在氣密層下方，這在一定時(shí)間內(nèi)導(dǎo)致EBC的剝落。因此，盡管擴(kuò)展的非硅連結(jié)涂層提供了優(yōu)點(diǎn)(如，擴(kuò)展的溫度應(yīng)用)，但它們還可引入新問題，如，氣態(tài)反應(yīng)產(chǎn)物引起的氣泡造成的潛在物品剝落，從而需要新的EBC/CMC設(shè)計(jì)。

本發(fā)明尤其通過包括設(shè)置在基底202上在密封層210與基底202之間的多孔過渡層208和通過包括經(jīng)由基底202延伸至多孔過渡層208的一個(gè)或多個(gè)開口212解決了其它反應(yīng)產(chǎn)物引起的氣泡造成的剝落問題。如圖1中所示的實(shí)施例中，在連結(jié)涂層204存在的情況下，一個(gè)或多個(gè)開口212還延伸穿過連結(jié)涂層。

多孔過渡層208的孔隙度允許了氣態(tài)反應(yīng)產(chǎn)物的再分布。多孔過渡層包括氧化物或非氧化物陶瓷或它們的組合，其與基底和密封層在熱和化學(xué)上相容。例如，在基底由基于碳化硅的CMC構(gòu)成且多孔層旁邊的密封層內(nèi)的構(gòu)件由稀土硅酸鹽構(gòu)成的情況中，一些實(shí)施例中的多孔層可為稀土硅酸鹽。在另一個(gè)實(shí)施例中，其可為碳化硅。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將容易認(rèn)識到，多孔過渡層的期望孔隙度可取決于本發(fā)明的物品的預(yù)期應(yīng)用和物品中使用的其它材料的性質(zhì)來改變(例如，取決于連結(jié)涂層的性質(zhì)，在存在的情況下)。盡管多孔過渡層可具有實(shí)現(xiàn)層的預(yù)期目的的任何孔隙度，但在一些實(shí)施例中多孔過渡層具有10%到90%的孔隙度(例如，10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%或90%)，包括任何和所有范圍和其中的子范圍(例如，15%到85%，12%到75%等)，優(yōu)選20%到50%。在一些實(shí)施例中，多孔過渡層將具有指定的且可選的預(yù)定的平均孔隙直徑，其也可取決于本發(fā)明的物品的應(yīng)用和性質(zhì)改變。在一些實(shí)施例中，多孔過渡層具有0.1μm到100μm的平均孔隙直徑(例如，0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1, 2, 3, 4, 5, 10, 15, 20, 25, 30, 35, 40, 45, 50, 55, 60, 65, 70, 75, 80, 85, 90, 95或100μm)，包括任何和所有范圍和其中的子范圍(例如，0.1到20μm、0.1到15μm，等)。

如上文所述的多孔層的化學(xué)成分和物理特征在物品的使用期間經(jīng)歷變化，且因此可轉(zhuǎn)移出上文指定的范圍。例如，燒結(jié)和粗化可發(fā)生，這導(dǎo)致減小的孔隙度和增大的孔隙直徑。在碳化硅用于形成多孔層的情況中，氧化將該層部分地或完全地轉(zhuǎn)化成基于二氧化硅的層。用于制作多孔層的材料可以以其純凈形式施加，或與第二相混合，或作為具有少量摻雜劑的合金，以根據(jù)特定應(yīng)用要求來加強(qiáng)層的性質(zhì)。

物品200包括開口212，其經(jīng)由基底202延伸至多孔過渡層208。開口212用作氣態(tài)種類的散逸孔，其首先經(jīng)由多孔過渡層208再分配。開口212可以以任何期望或技術(shù)/可接受的方式產(chǎn)生。例如，在一些實(shí)施例中，開口212通過鉆穿多孔過渡層208之前的層來產(chǎn)生(例如，鉆穿基底202和連結(jié)涂層204)。在一些實(shí)施例中，開口212延伸到多孔過渡層208中。一個(gè)或多個(gè)開口212可具有等同或不同的直徑，且直徑可取決于物品的性質(zhì)和應(yīng)用來選擇。在一些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)開口具有1到1000μm的平均直徑(例如，1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900或1000μm)，包括任何和所有范圍和其中的子范圍(例如，1到20μm，20到40μm等)。盡管上文提到了平均直徑，但開口的截面可為任何形狀，包括但不限于圓形、橢圓形、正方形、矩形、三角形或任何其它規(guī)則或不規(guī)則的幾何形狀。開口之間的間距可為周期性或隨機(jī)的，且可取決于應(yīng)用要求而為從10μm到100mm的范圍。在縱向上，開口可穿過基底和涂層為直的或曲折的。

例如，在連結(jié)涂層氧化時(shí)，氣態(tài)產(chǎn)物經(jīng)由多孔過渡層208傳導(dǎo)至開口212，氣態(tài)產(chǎn)物從開口212散逸。

圖2繪出了本發(fā)明的另一個(gè)示例性物品300。在這個(gè)特定實(shí)施例中，物品包括基底腔214，且開口212進(jìn)入腔214中。在一些實(shí)施例中(未示出)，腔214為開口室，其可選壓力等于外部環(huán)境(例如，燃燒環(huán)境)，且可選由干空氣的通流保護(hù)。在其它實(shí)施例中(例如，圖2中所示的實(shí)施例中)，腔214為獨(dú)立的封閉室，其與外部(例如，燃燒)環(huán)境隔離開。在此實(shí)施例中，在長時(shí)間使用時(shí)，生成氣體的反應(yīng)(例如，氧化)可引起腔214內(nèi)的氣體壓力累積，這可升高到可威脅物品和/或EBC完整性的水平。在此情況中，來自腔214的氣體的定期放出是期望的，且可通過可選的通風(fēng)口216實(shí)現(xiàn)。在一些實(shí)施例中，通風(fēng)口216為受控的閥，或允許熱膨脹的密封件，其在高溫下閉合且在低溫下開啟，使得例如腔214內(nèi)的壓力可在使用周期期間釋放。

在一些實(shí)施例中，中間層(未示出)可設(shè)置在密封層210與連結(jié)涂層204之間(例如，在密封層210與多孔過渡層208之間，或在多孔過渡層208與連結(jié)涂層204之間)。在一些實(shí)施例中，連結(jié)涂層204包括硅或二氧化硅，且中間層包括阻隔材料，其相對于二氧化硅大致惰性，以促進(jìn)涂層系統(tǒng)中的化學(xué)穩(wěn)定性。"大致惰性"意思是氧化硅與隔層材料之間僅存在最多附帶相互作用(可溶性或反應(yīng)性)。稀土二硅酸鹽(如釔、鐿、鎦、鈧和其它稀土元素的二硅酸鹽)是適合的阻隔材料的非限制性實(shí)例。

如圖1中所示，在一些實(shí)施例中，頂部涂層206設(shè)置在密封層210上。頂部涂層206可用于提供絕熱(熱障涂層)、環(huán)境保護(hù)(環(huán)境阻隔涂層)或這些功能的組合。適合的頂部涂層材料的選擇將取決于物品經(jīng)歷的環(huán)境的類型，下覆涂層和基底的成分、處理的成本和本領(lǐng)域中已知的其它因素。在一些實(shí)施例中，頂部涂層206為陶瓷材料。許多類別的陶瓷材料可用作熱和/或環(huán)境阻隔涂層；這些材料包括但不限于硅酸鹽、鋁硅酸鹽和氧化釔穩(wěn)定的氧化鋯。在某些實(shí)施例中，頂部涂層206包含稀土單硅酸鹽和/或稀土二硅酸鹽；在特定實(shí)施例中，頂部涂層206為雙層涂層，具有稀土單硅酸鹽的外層和稀土二硅酸鹽的內(nèi)層。與這些單硅酸鹽和二硅酸鹽材料相關(guān)聯(lián)的稀土元素在一些實(shí)施例中可包括釔、鐿、鎦和鈧中的一種或多種。特定的實(shí)例為外層為單硅酸釔，且內(nèi)層為稀土二硅酸鹽(諸如例如，二硅酸釔)。

上文所述的各種涂層中的任何一個(gè)的厚度大體上選擇成在給定使用時(shí)間內(nèi)提供足夠的保護(hù)，同時(shí)將熱應(yīng)力保持在可忍受的水平。此外，涂層厚度還可由選擇的涂布方法在沉積區(qū)域上產(chǎn)生連續(xù)層的能力來確定。各種涂層的近似厚度范圍的非限制性實(shí)例包括以下：對于密封層，從大約25微米到大約1000微米；對于多孔過渡層，從大于25微米到大約1000微米；對于連結(jié)涂層，從大約25微米到大約200微米；對于中間層，從大約50微米到大約100微米；對于頂部連結(jié)涂層，從大約50微米到大約500微米。對于上文所述的雙層頂部涂層的實(shí)施例，單硅酸釔外層在某些實(shí)施例中可從大約25微米到大約50微米。

上文所述的涂層可使用涂層技術(shù)來沉積，這可導(dǎo)致大量開裂和內(nèi)部開放孔隙度。等離子噴涂技術(shù)和基于漿料的涂布過程是生成具有此特征的涂層的涂布方法的實(shí)例。在此情況下，密封層的存在用于較大地提高氣密性，且因此涂層的保護(hù)效力。此外，在一些實(shí)施例中，密封層可在密封裂紋或可發(fā)生在處理之后的對涂層的其它破壞中有效，包括例如在構(gòu)件的安裝或構(gòu)件的使用期間產(chǎn)生的破壞。

為了觸發(fā)密封層的可選的自密封性質(zhì)，密封層可加熱至密封溫度(上文所述)，在此溫度下，密封層的至少一部分將流動(dòng)；可流動(dòng)的部分因此移入裂紋和孔隙中，且在固結(jié)時(shí)，密封將在其它情況下用于不利種類(如水蒸氣)從環(huán)境進(jìn)入基底的通路的這些缺陷。取決于涂層的性質(zhì)、處理的經(jīng)濟(jì)性和其它因素，加熱步驟可直接在沉積密封層之后，在所有涂層沉積之后但在將完成的物品投入使用之前，或甚至在其使用期間(如果允許使用溫度足夠高)執(zhí)行。

密封溫度在有效時(shí)間內(nèi)保持，以允許可流動(dòng)材料到達(dá)且至少部分地填充或另外密封缺陷的時(shí)間。實(shí)現(xiàn)其所需的時(shí)間長度大體上基于待密封的缺陷的數(shù)目和性質(zhì)以及密封層中可用的可流動(dòng)材料量而選擇。在一個(gè)實(shí)施例中，密封層在大約30分鐘到大約10小時(shí)的范圍的時(shí)間內(nèi)加熱至大約950攝氏度到大約1350攝氏度的范圍中的密封溫度；在特定實(shí)施例中，該時(shí)間在大約30分鐘到大約4小時(shí)的范圍中。在一些實(shí)施例中，溫度在從大約30分鐘到大約4小時(shí)的范圍的時(shí)間內(nèi)在從大約950攝氏度到大約1050攝氏度的范圍中，而在其它實(shí)施例中，溫度在大約30分鐘到大約4小時(shí)的范圍中在大約1250攝氏度到大約1350攝氏度。密封該涂層的加熱步驟可在空氣、真空、惰性氣氛或其它環(huán)境中執(zhí)行，這至少部分地取決于加熱的材料的要求(即，基底和其它涂層，如果存在)。

應(yīng)用于沉積多孔層的方法選擇成符合如上文所述的幾何要求。在一些實(shí)施例中，層由熱噴涂在選擇成針對特定孔隙度的參數(shù)下施加，如，控制噴槍能量、平衡距離和粉末進(jìn)料的顆粒尺寸。在其它實(shí)施例中，犧牲相加至粉末進(jìn)料來提高孔隙度。例如，有機(jī)顆粒如但不限于聚苯乙烯顆粒在涂布過程期間加至粉末進(jìn)料，這可在隨后的步驟期間燒光，且在涂層中留下孔隙。在另一個(gè)實(shí)例中，可溶鹽加入且隨后溶解來生成孔隙。在又一個(gè)實(shí)例中，玻璃顆粒可加入粉末進(jìn)料，在施加層之后，玻璃相通過將部件浸入氫氟酸溶液來濾除，以留下多孔結(jié)構(gòu)。在又一個(gè)實(shí)例中，玻璃層沉積，且然后后續(xù)熱處理應(yīng)用于導(dǎo)致玻璃的局部結(jié)晶或相分離，隨后涂層浸入酸溶液中，以濾除一個(gè)相且留下多孔結(jié)構(gòu)。

相似的技術(shù)可應(yīng)用于漿料涂層，其中控制參數(shù)來便于部分燒結(jié)，或犧牲相的另外使用可用于達(dá)成包含適當(dāng)?shù)目紫抖鹊慕Y(jié)構(gòu)。部分燒結(jié)可通過低溫下緊湊的粗顆粒的固相或液體燒結(jié)，或使用粘結(jié)劑來便于以最小體積收縮變窄或多峰粉末混合物的燒結(jié)來達(dá)成。如上文所述的犧牲相可為有機(jī)或含碳相，或可侵蝕掉的可溶鹽或玻璃相。大體上，制作多孔陶瓷的本領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的任何技術(shù)都可應(yīng)用于本發(fā)明。

本說明書中引用的所有公開案和專利參考文獻(xiàn)都在此通過引用并入本文中，如同各個(gè)獨(dú)立公開案具體且獨(dú)立指出來通過引用而如其完整闡釋那樣。

通過引用并入的主題不認(rèn)作是任何權(quán)利要求限制的備選方案，除非另外明確指出。

在本說明書中各處提到一個(gè)或多個(gè)范圍的情況下，各個(gè)范圍均旨在為簡化格式來呈現(xiàn)信息，其中范圍理解為涵蓋如同其完全在本文中闡釋的范圍內(nèi)的各個(gè)離散點(diǎn)。

將理解的是，以上描述旨在為示范性而非限制性的。例如，上述實(shí)施例(和/或其方面)可與彼此組合使用。此外，可制作出許多改型來使特定情形或材料適于各種實(shí)施例的教導(dǎo)內(nèi)容，而不脫離其范圍。盡管本文所述的材料的大小和類型旨在限定各種實(shí)施例的參數(shù)，但它們絕不是限制性的，且僅為示例性的。本領(lǐng)域的技術(shù)人員在查閱以上描述時(shí)將清楚許多其它實(shí)施例。因此，各種實(shí)施例的范圍應(yīng)當(dāng)參照所附權(quán)利要求連同此權(quán)利要求所述的等同方案的完整范圍確定。在所附權(quán)利要求中，用語"包括(including)"和"其中(in which)"用作相應(yīng)用語"包括(comprising)"和"其中(wherein)"的通俗英文同義詞。此外，在以下權(quán)利要求中，用語"第一"、"第二"和"第三"等至用作標(biāo)記，且不旨在對其對象施加數(shù)字要求。此外，以下權(quán)利要求的限制并未以裝置加功能的格式撰寫，且不旨在基于35 U.S.C.§112的第六段理解，除非且直到此權(quán)利要求限制明確地使用短語"裝置"后接沒有另一個(gè)結(jié)構(gòu)的功能的聲明。將理解的是，本文所述的所有此類目的或優(yōu)點(diǎn)不一定可根據(jù)任何特定實(shí)施例實(shí)現(xiàn)。因此，例如，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識到，本文所述的系統(tǒng)和技術(shù)可以以一種方式體現(xiàn)或執(zhí)行，使得實(shí)現(xiàn)或優(yōu)化如本文教導(dǎo)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)或優(yōu)點(diǎn)組合，而不需要實(shí)現(xiàn)如本文教導(dǎo)或建議的其它目的或優(yōu)點(diǎn)。

盡管僅結(jié)合了有限數(shù)目的實(shí)施例詳細(xì)描述本發(fā)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明不限于此公開實(shí)施例。相反，本發(fā)明可改變以結(jié)合迄今未描述的但與本發(fā)明的精神和范圍相當(dāng)?shù)娜魏螖?shù)目的變型、改型、置換或等同布置。此外，盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的各種實(shí)施例，但將理解的是，本公開內(nèi)容的方面可僅包括一些所述實(shí)施例。因此，本發(fā)明未看作前述描述限制，但僅由所附權(quán)利要求的范圍限制。

本書面描述使用了實(shí)例來公開本發(fā)明，包括最佳模式，且還使本領(lǐng)域的任何技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明，包括制作和使用任何裝置或系統(tǒng)，以及執(zhí)行任何并入的方法。本發(fā)明的專利范圍由權(quán)利要求限定，且可包括本領(lǐng)域的技術(shù)人員想到的其它實(shí)例。如果此類其它實(shí)施例具有并非不同于權(quán)利要求的書面語言的結(jié)構(gòu)元件，或如果它們包括與權(quán)利要求的書面語言無實(shí)質(zhì)差別的等同結(jié)構(gòu)元件，則期望此類其它實(shí)例在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。