三氯硅烷的制備方法和三氯硅烷的制備裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種三氯硅烷的制備方法和三氯硅烷的制備裝置。一種裝置，其具備：向內(nèi)部導(dǎo)入四氯硅烷和氫，通過在800℃以上進行還原反應(yīng)，生成三氯硅烷和氯化氫的反應(yīng)生成氣體的反應(yīng)室2；將反應(yīng)室2內(nèi)部的反應(yīng)生成氣體導(dǎo)出到外部的反應(yīng)生成氣體導(dǎo)出設(shè)備4；以及向反應(yīng)生成氣體導(dǎo)出設(shè)備4所導(dǎo)出的反應(yīng)生成氣體中混入氫、四氯硅烷或氯化氫，來冷卻反應(yīng)生成氣體的冷卻氣體導(dǎo)入設(shè)備5。
【專利說明】三氯硅烷的制備方法和三氯硅烷的制備裝置
[0001]本申請是原案申請日為2007年10月26日、原案申請?zhí)枮?00780024481.8 (國際申請?zhí)枮镻CT/JP2007/070941)、發(fā)明名稱為“三氯硅烷的制備方法和三氯硅烷的制備裝置”的專利申請的分案申請。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及將四氯硅烷轉(zhuǎn)換成三氯硅烷的三氯硅烷的制備方法和三氯硅烷的制備裝置。
[0003]本申請根據(jù)2006年11月7日在日本申請的特愿2006-302056號和2007年10月22日在日本申請的特愿2007-273545號主張優(yōu)先權(quán)，將其內(nèi)容援引到本申請中。
【背景技術(shù)】
[0004]高純度多晶硅例如可以以三氯硅烷(SiHCl3:簡稱為TCS)、四氯硅烷(SiCl4:簡稱為STC)和氫作為原料，通過下式(I)所示的三氯硅烷的氫還原反應(yīng)、下式(2)所示的三氯硅烷的熱分解反應(yīng)來制備。
【權(quán)利要求】
1.三氯硅烷的制備方法，該制備方法具有以下步驟: 將四氯硅烷和氫導(dǎo)入到反應(yīng)室內(nèi)，使之在1200°c以上的溫度下進行反應(yīng)，生成包含三氯硅烷和氯化氫的混合氣體的步驟； 以及由上述反應(yīng)室導(dǎo)出上述混合氣體時，向該混合氣體中導(dǎo)入以氫為主體的冷卻氣體以將該混合氣體冷卻至650°C以下的步驟， 且將導(dǎo)入了冷卻氣體的混合氣體導(dǎo)入到冷卻器中，冷凝分離未反應(yīng)的氫，將分離的含氫氣體作為冷卻氣體進行再利用。
2.權(quán)利要求1的三氯硅烷的制備方法，其中，導(dǎo)入到混合氣體中的冷卻氣體的溫度為-60 0C ~650。。。
3.三氯硅烷的制備裝置，該制備裝置具備以下設(shè)備: 使四氯硅烷和氫在1200°C以上的溫度下進行反應(yīng)，生成包含三氯硅烷和氯化氫的混合氣體的反應(yīng)室； 連接在上述反應(yīng)室上的氣體供給設(shè)備； 將上述混合氣體導(dǎo)出到反應(yīng)室外部的混合氣體導(dǎo)出設(shè)備； 將以氫為主體的冷卻氣體導(dǎo)入到上述混合氣體中，將上述混合氣體冷卻至650°C以下的冷卻氣體導(dǎo)入設(shè)備； 導(dǎo)入上述混合氣體的冷卻器，上述混合氣體中導(dǎo)入了冷卻氣體；以及向上述冷卻氣體導(dǎo)入設(shè)備中供給經(jīng)冷卻器冷凝分離的以未反應(yīng)的氫為主體的含氫氣體的循環(huán)管路， 且該冷卻氣體導(dǎo)入設(shè)備連接在上述混合氣體導(dǎo)出設(shè)備上。
4.權(quán)利要求3的三氯硅烷制備裝置，其中，在冷卻氣體導(dǎo)入設(shè)備上連接有以氫為主體的冷卻氣體的供給管路，將以氫為主體的冷卻氣體導(dǎo)入到上述混合氣體中，將上述混合氣體冷卻至650°C以下。
【文檔編號】C01B33/107GK103553055SQ201310417262
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2007年10月26日 優(yōu)先權(quán)日:2006年11月7日
【發(fā)明者】水島一樹, 漆原誠 申請人:三菱麻鐵里亞爾株式會社