專利名稱：用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及多晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件。
背景技術(shù)：
多晶娃還原爐是多晶娃生廣中廣出最終廣品的核心設(shè)備，也是決定系統(tǒng)廣能、能耗的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。因此，多晶硅還原爐的設(shè)計(jì)和制造，直接影響到產(chǎn)品的質(zhì)量、產(chǎn)量和生產(chǎn)成本。隨著全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)的影響下，多晶硅的價(jià)格持續(xù)下降，產(chǎn)業(yè)利潤(rùn)不斷被壓縮，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈。因此，有效地降低多晶硅能耗，提高產(chǎn)品質(zhì)量，提高生產(chǎn)效率，是目前多晶硅生產(chǎn)企業(yè)需要解決的重要問(wèn)題。
目前生產(chǎn)多晶硅主要采用“改良西門(mén)子法”，通常將一定配比的三氯氫硅(SiHC13) 和氫氣(H2)混合氣從底部進(jìn)氣口噴入,在還原爐內(nèi)發(fā)生氣相還原反應(yīng),反應(yīng)生成的娃(Si) 直接沉積在爐內(nèi)的硅芯表面，隨著反應(yīng)的持續(xù)進(jìn)行，硅棒不斷生長(zhǎng)最終達(dá)到產(chǎn)品要求。由于還原爐內(nèi)部硅芯需要維持在I050°c -iioo°c進(jìn)行生產(chǎn)，外部用冷卻夾套進(jìn)行冷卻，因此，使用12對(duì)棒、18對(duì)棒等還原爐生產(chǎn)多晶硅還原能耗大，生產(chǎn)成本高，已經(jīng)不適應(yīng)目前激烈市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的要求，迫切需求一種能夠節(jié)能降耗的新型還原爐的出現(xiàn)。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在至少解決上述技術(shù)問(wèn)題之一。
為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種可以降低能耗并且可以提高產(chǎn)量的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，包括底盤(pán)本體；二十四對(duì)電極，所述二十四對(duì)電極設(shè)在所述底盤(pán)本體上且分別分布在第一至第四圈上，所述第一至第四圈為以所述底盤(pán)本體的中心為中心且由內(nèi)向外依次增大的四個(gè)同心正八邊形；進(jìn)氣系統(tǒng)，所述進(jìn)氣系統(tǒng)包括設(shè)在所述底盤(pán)本體中部的多個(gè)進(jìn)氣口 ；和排氣系統(tǒng)，所述排氣系統(tǒng)包括多個(gè)排氣口，所述排氣口設(shè)在所述底盤(pán)本體上且位于所述第四圈與所述底盤(pán)本體的外周沿之間。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，二十四對(duì)電極設(shè)在底盤(pán)本體上且分別分布在第一至第四圈上，由此，可以合理利用熱能，同時(shí)也可以避免爐體內(nèi)側(cè)壁帶走過(guò)多熱量，可以降低熱量損耗。
另外，根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，還可以具有如下附加的技術(shù)特征
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，在所述第一圈的每條邊上分布有一個(gè)電極，在所述第二圈的每條邊上分布有一個(gè)電極，所述第一圈上的八個(gè)電極與所述第二圈上的八個(gè)電極對(duì)應(yīng)以構(gòu)成八對(duì)電極。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，在所述第三圈的每條邊上分布有二個(gè)電極，在所述第四圈的每條邊上分布有二個(gè)電極，所述第三圈上的十六個(gè)電極與所述第四圈上的十六個(gè)電極對(duì)應(yīng)以構(gòu)成十六對(duì)電極。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，所述第一至第四圈的對(duì)應(yīng)邊彼此平行。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，所述多個(gè)進(jìn)氣口分別分布在所述底盤(pán)本體的中心處以及第五和第六圈上，所述第五和第六圈為以所述底盤(pán)本體的中心為中心且由內(nèi)向外依次增大的二個(gè)同心正八邊形，其中所述第五圈位于第一和第二圈之間，所述第六圈位于所述第三和第四圈之間。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，所述第一至第六圈的對(duì)應(yīng)邊彼此平行。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，所述多個(gè)進(jìn)氣口的數(shù)量為二十五個(gè)，其中在所述第五圈上分布有八個(gè)進(jìn)氣口，在所述第六圈上分布有十六個(gè)進(jìn)氣口，其中第五和第六圈中的任一圈上的進(jìn)氣口與和其相鄰的圈上的電極沿周向交錯(cuò)布置。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，所述進(jìn)氣系統(tǒng)還包括進(jìn)氣環(huán)管，所述進(jìn)氣環(huán)管位于所述底盤(pán)本體下方且與外部氣源相連通；二十五個(gè)進(jìn)氣管，所述二十五個(gè)進(jìn)氣管分別與所述二十五個(gè)進(jìn)氣口一一對(duì)應(yīng)且所述二十五個(gè)進(jìn)氣口通過(guò)所述二十五個(gè)進(jìn)氣管與所述進(jìn)氣環(huán)管相連接。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，所述多個(gè)排氣口的數(shù)量為三至十二個(gè)且分布在以所述底盤(pán)本體的中心為圓心的一個(gè)圓周上。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，所述底盤(pán)內(nèi)形成有第一冷卻腔，且所述第一冷卻腔具有第一冷卻介質(zhì)進(jìn)口和多個(gè)第一冷卻介質(zhì)出口，所述第一冷卻介質(zhì)進(jìn)口位于所述底盤(pán)的中央，而所述多個(gè)第一冷卻介質(zhì)出口與所述多個(gè)排氣口一一對(duì)應(yīng)設(shè)置，每個(gè)所述第一冷卻介質(zhì)出口連接有第一冷卻管且每個(gè)所述排氣口連接有尾氣管，所述第一冷卻管套設(shè)在所述尾氣管上。
本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐了解到。


本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中
圖I是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件的示意圖；和
圖2是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件的示意圖。
具體實(shí)施方式
下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底” “內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
此外，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。
在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，一體地連接，也可以是可拆卸連接；可以是機(jī)械連接或電連接，也可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)的具體含義。
下面參考附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件。
如圖I和圖2所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，包括底盤(pán)本體10，二十四對(duì)電極20，進(jìn)氣系統(tǒng)和排氣系統(tǒng)。
具體地說(shuō)，二十四對(duì)電極20設(shè)在底盤(pán)本體10上且分別分布在第一圈Cl、第二圈 C2、第三圈C3以及第四圈C4上。第一至第四圈為以底盤(pán)本體10中心為中心且由內(nèi)向外依次增大的四個(gè)同心正八邊形。
所述進(jìn)氣系統(tǒng)包括設(shè)在底盤(pán)本體10中部的多個(gè)進(jìn)氣口 31。
所述排氣系統(tǒng)包括多個(gè)排氣口 41，排氣口 41設(shè)在底盤(pán)本體10上且位于第四圈C4 與底盤(pán)本體10的外周沿之間。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，二十四對(duì)電極20設(shè)在底盤(pán)本體10上且分別分布在第一圈Cl、第二圈C2、第三圈C3以及第四圈C4上，由此，可以合理利用熱能，同時(shí)也可以避免爐體內(nèi)側(cè)壁帶走過(guò)多熱量，可以降低熱量損耗。
如圖2所不,根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例,在第一圈Cl的每條邊上分布有一個(gè)電極20, 在第二圈C2的每條邊上分布有一個(gè)電極20。第一圈Cl上的八個(gè)電極20與第二圈C2上的八個(gè)電極20 —一對(duì)應(yīng)以構(gòu)成八對(duì)電極。相鄰的兩對(duì)電極之間可以通過(guò)電極板(未示出)連接。
在第三圈C3的每條邊上分布有二個(gè)電極20，在第四圈C4的每條邊上分布有二個(gè)電極20。第三圈C3上的十六個(gè)電極20與第四圈C4上的十六個(gè)電極20—一對(duì)應(yīng)以構(gòu)成十六對(duì)電極。相鄰的兩對(duì)電極之間可以通過(guò)電極板(未示出)連接。由此，可以簡(jiǎn)化對(duì)電極 20的控制，并可以最大程度的合理利用熱能。使電極20的分布合理，最大程度地提高底盤(pán)本體10的使用效率。
當(dāng)然，上述實(shí)施例僅是本發(fā)明的一個(gè)最佳實(shí)施例，本發(fā)明第一圈至第四圈上的電極30還可以具有其他的分布形式。例如，在第一圈Cl的每條邊上分布有一個(gè)電極30，且第一圈Cl上的每相鄰兩個(gè)電極30構(gòu)成一對(duì)電極,用于在第一圈Cl上構(gòu)成四對(duì)電極；在第二圈C2的每條邊上分布有一個(gè)電極30,且第二圈C2上的每相鄰兩個(gè)電極30構(gòu)成一對(duì)電極, 用于在第二圈C2上構(gòu)成四對(duì)電極；在第三圈C3的每條邊上分布有二個(gè)電極30，且第三圈 C3上的每相鄰兩個(gè)電極30構(gòu)成一對(duì)電極,用于在第三圈C3上構(gòu)成八對(duì)電極；在第四圈C4 的每條邊上分布有二個(gè)電極30,且第四圈C4上的每相鄰兩個(gè)電極30構(gòu)成一對(duì)電極,用于在第四圈C4上構(gòu)成八對(duì)電極。
此外，上述第一圈至第四圈上的電極30的分布形式以及采用上述電極分布形式的組合形式，都在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)，這對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員是可以理解的。
根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例,如圖2所不，第一圈Cl、第二圈C2、第三圈C3以及第四圈 C4的對(duì)應(yīng)邊彼此平行。由此，可以使根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的多晶硅還原爐布局合理且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例，多個(gè)進(jìn)氣口 31分別分布在底盤(pán)本體10中心處以及第五圈C5和第六圈C6上。第五圈C5和第六圈C6為以底盤(pán)本體10中心為中心且由內(nèi)向外依次增大的二個(gè)同心正八邊形。其中第五圈C5位于第一圈Cl和第二圈C2之間,第六圈C6 位于第三圈C3和第四圈C4之間。由此，可以使工藝氣體在多晶硅還原爐的反應(yīng)腔室(未示出)內(nèi)均勻分布，可以提高單爐產(chǎn)量。
有利地，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)具體示例，第一圈Cl、第二圈C2、第三圈C3、第四圈C4、第五圈C5以及第六圈C6的對(duì)應(yīng)邊彼此平行。由此，可以使根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的多晶硅還原爐布局合理且進(jìn)一步簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)。
有利地，根據(jù)本發(fā)明一些示例，多個(gè)進(jìn)氣口 31的數(shù)量為二十五個(gè)。其中在第五圈 C5上分 布有八個(gè)進(jìn)氣口 31，在第六圈C6上分布有十六個(gè)進(jìn)氣口 31。其中第五圈C5和第六圈C6中的任一圈上的進(jìn)氣口 31與和其相鄰的圈上的電極20沿周向交錯(cuò)布置。由此，可以使進(jìn)氣口 31的布局更為合理，可以有效地與二十四對(duì)電極相配合。
進(jìn)一步地，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，所述進(jìn)氣系統(tǒng)還包括，進(jìn)氣環(huán)管(未示出)和二十五個(gè)進(jìn)氣管(未示出)。
具體地，所述進(jìn)氣環(huán)管位于底盤(pán)本體10下方且與外部氣源相連通。
二十五個(gè)所述進(jìn)氣管分別與二十五個(gè)進(jìn)氣口 31——對(duì)應(yīng)且二十五個(gè)進(jìn)氣口 31通過(guò)二十五個(gè)所述進(jìn)氣管與所述進(jìn)氣環(huán)管相連接。由此，可以使每個(gè)進(jìn)氣口 31的進(jìn)氣量都保持一致，從而可以保證多晶硅還原爐的反應(yīng)腔室(未示出)內(nèi)氣流流暢均勻。
根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，多個(gè)排氣口 41的數(shù)量為三至十二個(gè)且分布在以底盤(pán)本體10的中心為圓心的一個(gè)圓周上，優(yōu)選地，多個(gè)排氣口 51的數(shù)量為四個(gè)，由此，可以使反應(yīng)尾氣及時(shí)排出。進(jìn)一步地，如圖2所示，多個(gè)排氣口 51設(shè)在介于第五圈C5與反應(yīng)腔室1020 的內(nèi)壁之間的圓周上。用于在位于第四圈C4上的電極30和反應(yīng)腔室1020的內(nèi)壁之間形成隔熱層，從而避免爐體20帶走反應(yīng)腔室1020內(nèi)過(guò)多的熱量，降低了還原爐的熱量損耗， 節(jié)能環(huán)保。
如圖I所示，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，底盤(pán)本體10內(nèi)形成有第一冷卻腔101，且第一冷卻腔101具有第一冷卻介質(zhì)進(jìn)口 102和多個(gè)第一冷卻介質(zhì)出口 103，第一冷卻介質(zhì)進(jìn)口 102位于底盤(pán)本體10的中央，而多個(gè)第一冷卻介質(zhì)出口 103與多個(gè)進(jìn)氣口 31——對(duì)應(yīng)設(shè)置，每個(gè)第一冷卻介質(zhì)出口 103連接有第一冷卻管且每個(gè)排氣口 41連接有尾氣管，所述第一冷卻管套設(shè)在所述尾氣管上。由此，可以簡(jiǎn)化多晶硅還原爐的設(shè)計(jì)并可以改善生產(chǎn)條件，可以保證安全生產(chǎn)。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，二十四對(duì)電極20在分別分布在第一至第四圈上且分別布置成八對(duì)和十六對(duì)電極20。該電極20的布局有利于最大化合理利用熱能，同時(shí)避免爐筒內(nèi)側(cè)的冷卻壁面帶走過(guò)多熱量，降低熱量損耗。在第五和第六圈上分別設(shè)有八個(gè)和十六個(gè)進(jìn)氣口 31，在沿以底盤(pán)本體10的中心為圓心的圓周上均勻設(shè)有四個(gè)排氣口 41，這樣的設(shè)計(jì)取消了中央出氣口，避免了中央出氣口附近由于憋壓造成的流動(dòng)死區(qū)，提高了多晶硅還原爐的反應(yīng)腔室內(nèi)下部區(qū)域的生產(chǎn)效率。使用外圈出氣的結(jié)構(gòu)， 使得還原爐內(nèi)氣流循環(huán)時(shí)，直接從外圈排出，避免反應(yīng)副產(chǎn)物回到中央的氣流上升區(qū)，造成物料反混。通過(guò)模擬計(jì)算表明底盤(pán)本體10的布局有以下優(yōu)點(diǎn)(1)由于每根硅棒大體有對(duì)應(yīng)的3個(gè)等距進(jìn)氣源，還原爐內(nèi)流場(chǎng)能均勻分布，有利于硅棒均勻生長(zhǎng)；(2)硅棒間距完全一致，每根硅棒都有對(duì)應(yīng)3個(gè)等距輻射熱源，還原爐熱場(chǎng)分布均勻；(3)外圈出氣使熱氣體走外部，使還原爐中氣場(chǎng)能夠最大化合理利用熱能，同時(shí)避免爐筒內(nèi)側(cè)的冷卻壁面帶走過(guò)多熱量，降低熱量損耗。同時(shí)，該優(yōu)化設(shè)計(jì)使得還原爐的制造成本有效降低，占地空間小，有利于大規(guī)模用于生產(chǎn)。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，通過(guò)對(duì)多晶硅還原爐的底盤(pán)本體10的結(jié)構(gòu)尺寸，以及電極20、進(jìn)氣口 31和排氣口 41的分布進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)后，每公斤多晶硅能耗可以降低10%-20%，單爐產(chǎn)量可達(dá)到5-6. 5噸，可有效降低多晶硅生產(chǎn)成本。
在本說(shuō)明書(shū)的描述中，參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說(shuō)明書(shū)中，對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和宗旨的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
權(quán)利要求
1.一種用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，其特征在于，包括底盤(pán)本體；二十四對(duì)電極，所述二十四對(duì)電極設(shè)在所述底盤(pán)本體上且分別分布在第一至第四圈上，所述第一至第四圈為以所述底盤(pán)本體的中心為中心且由內(nèi)向外依次增大的四個(gè)同心正八邊形；進(jìn)氣系統(tǒng)，所述進(jìn)氣系統(tǒng)包括設(shè)在所述底盤(pán)本體中部的多個(gè)進(jìn)氣口 ；和排氣系統(tǒng)，所述排氣系統(tǒng)包括多個(gè)排氣口，所述排氣口設(shè)在所述底盤(pán)本體上且位于所述第四圈與所述底盤(pán)本體的外周沿之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，其特征在于，在所述第一圈的每條邊上分布有一個(gè)電極，在所述第二圈的每條邊上分布有一個(gè)電極，所述第一圈上的八個(gè)電極與所述第二圈上的八個(gè)電極對(duì)應(yīng)以構(gòu)成八對(duì)電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，其特征在于，在所述第三圈的每條邊上分布有二個(gè)電極，在所述第四圈的每條邊上分布有二個(gè)電極，所述第三圈上的十六個(gè)電極與所述第四圈上的十六個(gè)電極--對(duì)應(yīng)以構(gòu)成十六對(duì)電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，其特征在于，所述第一至第四圈的對(duì)應(yīng)邊彼此平行。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，其特征在于，所述多個(gè)進(jìn)氣口分別分布在所述底盤(pán)本體的中心處以及第五和第六圈上，所述第五和第六圈為以所述底盤(pán)本體的中心為中心且由內(nèi)向外依次增大的二個(gè)同心正八邊形，其中所述第五圈位于第一和第二圈之間，所述第六圈位于所述第三和第四圈之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，其特征在于，所述第一至第六圈的對(duì)應(yīng)邊彼此平行。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，其特征在于，所述多個(gè)進(jìn)氣口的數(shù)量為二十五個(gè)，其中在所述第五圈上分布有八個(gè)進(jìn)氣口，在所述第六圈上分布有十六個(gè)進(jìn)氣口，其中第五和第六圈中的任一圈上的進(jìn)氣口與和其相鄰的圈上的電極沿周向交錯(cuò)布置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，其特征在于，所述進(jìn)氣系統(tǒng)還包括進(jìn)氣環(huán)管，所述進(jìn)氣環(huán)管位于所述底盤(pán)本體下方且與外部氣源相連通；二十五個(gè)進(jìn)氣管，所述二十五個(gè)進(jìn)氣管分別與所述二十五個(gè)進(jìn)氣口一一對(duì)應(yīng)且所述二十五個(gè)進(jìn)氣口通過(guò)所述二十五個(gè)進(jìn)氣管與所述進(jìn)氣環(huán)管相連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，其特征在于，所述多個(gè)排氣口的數(shù)量為三至十二個(gè)且分布在以所述底盤(pán)本體的中心為圓心的一個(gè)圓周上。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，其特征在于，所述底盤(pán)內(nèi)形成有第一冷卻腔，且所述第一冷卻腔具有第一冷卻介質(zhì)進(jìn)口和多個(gè)第一冷卻介質(zhì)出口，所述第一冷卻介質(zhì)進(jìn)口位于所述底盤(pán)的中央，而所述多個(gè)第一冷卻介質(zhì)出口與所述多個(gè)排氣口 一一對(duì)應(yīng)設(shè)置，每個(gè)所述第一冷卻介質(zhì)出口連接有第一冷卻管且每個(gè)所述排氣口連接有尾氣管，所述第一冷卻管套設(shè)在所述尾氣管上。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，包括底盤(pán)本體；二十四對(duì)電極，所述二十四對(duì)電極設(shè)在所述底盤(pán)本體上且分別分布在第一至第四圈上，所述第一至第四圈為以所述底盤(pán)本體的中心為中心且由內(nèi)向外依次增大的四個(gè)同心正八邊形；進(jìn)氣系統(tǒng)，所述進(jìn)氣系統(tǒng)包括設(shè)在所述底盤(pán)本體中部的多個(gè)進(jìn)氣口；和排氣系統(tǒng)，所述排氣系統(tǒng)包括多個(gè)排氣口，所述排氣口設(shè)在所述底盤(pán)本體上且位于所述第四圈與所述底盤(pán)本體的外周沿之間。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，可以合理利用熱能，同時(shí)也可以避免爐體內(nèi)側(cè)壁帶走過(guò)多熱量，可以降低熱量損耗。
文檔編號(hào)C01B33/035GK102910632SQ20121047007
公開(kāi)日2013年2月6日 申請(qǐng)日期2012年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月19日
發(fā)明者嚴(yán)大洲, 肖榮暉, 毋克力, 湯傳斌, 汪紹芬, 姚心 申請(qǐng)人:中國(guó)恩菲工程技術(shù)有限公司