專利名稱：一種多晶硅還原爐電極的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于光伏或半導(dǎo)體領(lǐng)域，提供了一種錐頭不易損壞的多晶硅還原爐電扱。
背景技術(shù)：
參閱圖1，圖I所示為現(xiàn)有的多晶硅還原爐電極的示意圖，該多晶硅還原爐電極9包括電極本體91和設(shè)于電極本體一端的錐頭92，電極本體91和錐頭92 —體成型，錐頭92 用來與石墨座(未示出)的錐孔配合。電極9在使用一段時間后，錐頭92經(jīng)常由于還原爐倒?fàn)t原因而被砸損，從而破壞錐頭92的錐度，造成錐頭92的錐度與石墨座的錐孔的錐度不吻合，安裝后石墨座會產(chǎn)生搖晃，導(dǎo)致倒?fàn)t率大幅上升，影響生產(chǎn)。為了提高石墨座與電極9之間的安裝質(zhì)量，需要及時對破壞的錐頭92進(jìn)行修復(fù)。修復(fù)時，可先去除錐頭92表面的鍍銀層，然后在錐頭92上面用銅焊條實(shí)施堆焊，堆焊后將錐頭92放在機(jī)床上重新加工，以獲得需要的錐度。但是，上述電極9以及電極9的錐頭92的修復(fù)方法具有如下缺陷。(I)由于電極本體91和錐頭92—體成型，再加上錐頭92的尺寸相對較小，在還原爐倒?fàn)t過程中錐頭92很容易被砸損，破壞錐頭92的錐度，導(dǎo)致電極9的使用壽命有限。(2)錐頭92的大端的直徑一般為17 20mm，尺寸較小，導(dǎo)致錐頭92的錐面與與石墨座的維孔的接觸面積小，石墨座安裝到維頭92上后不穩(wěn)定，倒?fàn)t率尚。(3)在錐頭92表面用銅焊條堆焊的エ藝不好把握，往往難以保證堆焊質(zhì)量，進(jìn)而影響錐頭92的修復(fù)質(zhì)量。(4) 一些錐頭92損傷非常嚴(yán)重的電極9無法簡單堆焊后加工修復(fù)，需要更換錐頭92，但是因?yàn)殄F頭92太小，新的錐頭92無法有效焊接到電極本體91上，導(dǎo)致電極9只能作報(bào)廢處理，造成很大的浪費(fèi)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種多晶硅還原爐電極，解決了現(xiàn)有的多晶硅還原爐電極的錐頭在還原爐倒?fàn)t過程中易損壞的問題。為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種多晶硅還原爐電極，包括ー電極本體，所述電極本體一端設(shè)有ー錐頭，所述錐頭與一石墨座的錐孔配合，所述電極本體和錐頭固定連接。具體地，所述電極本體和錐頭之間通過螺紋連接和焊接的方式固定連接在一起。[0011 ] 具體地，所述錐頭與一石墨座的錐孔配合，所述錐頭包括一上端面和一下端面，所述下端面的直徑大于所述上端面的直徑，所述錐頭的下端面處開設(shè)有一圓形凹槽，所述凹槽內(nèi)加工有內(nèi)螺紋，所述電極本體的一端加工有與所述凹槽的內(nèi)螺紋配合的外螺紋，所述凹槽的開ロ處加工有坡ロ，所述錐頭通過所述凹槽開ロ處的坡ロ與所述電極本體焊接在一起。[0012]具體地，所述錐頭的錐度為6 10°優(yōu)選地，所述錐頭的錐度為8。具體地，所述錐頭的下端面的直徑為45 55_。優(yōu)選地，所述錐頭的下端面的直徑為50mm。與現(xiàn)有的多晶硅還原爐電極的電極本體和錐頭一體成型不同，本實(shí)用新型的多晶硅還原爐電極的電極本體和錐頭分別制造，然后再固定連接在一起，比如電極本體和錐頭之間通過螺紋連接和焊接的方式固定連接在一起，因而增大了錐頭的強(qiáng)度，提高了錐頭的抗變形能力，電極在還原爐倒?fàn)t過程中錐頭不易被砸損，延長了電極的使用壽命。

為了更清楚地說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I是現(xiàn)有技術(shù)提供的多晶硅還原爐電極的示意圖。圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的多晶硅還原爐電極的示意圖。圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的錐頭的示意圖。圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的電極本體的示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。如圖2所示，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種多晶硅還原爐電極1，包括ー電極本體11，電極本體11 一端設(shè)有ー錐頭12,錐頭12與一石墨座(未不出)的錐孔配合,從而使電極I與石墨座連接在一起。如圖3和圖4所示，與現(xiàn)有的多晶硅還原爐電極的電極本體和錐頭一體成型不同，本實(shí)用新型的多晶硅還原爐電極I的電極本體11和錐頭12分別制造，然后再固定連接在一起，因而增大了錐頭12的強(qiáng)度，提高了錐頭12的抗變形能力，電極I在還原爐倒?fàn)t過程中錐頭不易被砸損，延長了電極I的使用壽命。本實(shí)施例中，所述電極本體11和錐頭12之間通過螺紋連接和焊接的方式固定連接在一起，具體為錐頭12包括一上端面121和一下端面122，下端面122的直徑大于上端面121的直徑，在錐頭12的下端面122處開設(shè)有一圓形凹槽123，凹槽123內(nèi)加工有內(nèi)螺紋124，電極本體11的一端加工有與凹槽123的內(nèi)螺紋124配合的外螺紋111，從而實(shí)現(xiàn)電極本體11和錐頭12之間的螺紋連接；凹槽123的開ロ處加工有坡ロ 125，錐頭12通過123凹槽開ロ處的坡ロ 125與電極本體11焊接在一起，從而實(shí)現(xiàn)電極本體11和錐頭12之間的焊接。由于電極本體11和錐頭12之間通過螺紋連接和焊接的方式固定連接在一起，増大了錐頭12的強(qiáng)度，提高了錐頭12的抗變形能力，由于錐頭12的強(qiáng)度和抗變形能力得到了提高，因此，電極I在還原爐倒?fàn)t過程中錐頭12不易被砸損，延長了電極I的使用壽命。本實(shí)施例中，所述錐頭12的錐度為6 10°，優(yōu)選8° ;錐頭12的下端面122的直徑為45 55mm，優(yōu)選50mm。與現(xiàn)有的錐頭相比，本實(shí)用新型的錐頭12的尺寸比現(xiàn)有的錐頭的尺寸增大兩倍以上，増大了錐頭12與石墨座的錐孔的接觸面積，提高了電極I安裝后的穩(wěn)定性，減小了倒?fàn)t率，還增加了錐頭12與石墨座之間的電流載流面積。同時，錐頭12的尺寸増大后，還有效提高了錐頭12的強(qiáng)度，降低了硅料倒棒對錐頭12的傷害。
以上所述是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.ー種多晶娃還原爐電極,其特征在于，包括一電極本體，所述電極本體一端設(shè)有ー錐頭，所述錐頭與一石墨座的錐孔配合，所述電極本體和錐頭固定連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種多晶硅還原爐電極，其特征在于，所述電極本體和錐頭之間通過螺紋連接和焊接的方式固定連接在一起。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的ー種多晶硅還原爐電極，其特征在于，所述錐頭包括一上端面和一下端面，所述下端面的直徑大于所述上端面的直徑，所述錐頭的下端面處開設(shè)有一圓形凹槽，所述凹槽內(nèi)加工有內(nèi)螺紋，所述電極本體的一端加工有與所述凹槽的內(nèi)螺紋配合的外螺紋，所述凹槽的開ロ處加工有坡ロ，所述錐頭通過所述凹槽開ロ處的坡ロ與所述電極本體焊接在一起。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的ー種多晶硅還原爐電極，其特征在于，所述錐頭的錐度為6 10。。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的ー種多晶硅還原爐電極，其特征在干，所述錐頭的錐度為8°。
6.根據(jù)權(quán)利要求f5任一項(xiàng)所述的一種多晶硅還原爐電極，其特征在于，所述錐頭的下端面的直徑為45 55mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的ー種多晶硅還原爐電極，其特征在于，所述錐頭的下端面的直徑為50mm。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種多晶硅還原爐電極，包括一電極本體，電極本體一端設(shè)有一錐頭，錐頭與一石墨座的錐孔配合，電極本體和錐頭固定連接。與現(xiàn)有的多晶硅還原爐電極的電極本體和錐頭一體成型不同，本實(shí)用新型的多晶硅還原爐電極的電極本體和錐頭分別制造，然后再固定連接在一起，比如電極本體和錐頭之間通過螺紋連接和焊接的方式固定連接在一起，因而增大了錐頭的強(qiáng)度，提高了錐頭的抗變形能力，電極在還原爐倒?fàn)t過程中錐頭不易被砸損，延長了電極的使用壽命。
文檔編號C01B33/021GK202358925SQ201120480718
公開日2012年8月1日 申請日期2011年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月28日
發(fā)明者肖龍千, 黃琰 申請人:江西賽維Ldk太陽能多晶硅有限公司