專(zhuān)利名稱(chēng)：多晶硅還原爐設(shè)備墊片冷卻水結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種新型多晶硅還原爐設(shè)備墊片冷卻水結(jié)構(gòu)，屬于多晶硅材料制備技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
多晶硅是制造硅拋光片、太陽(yáng)能電池及高純硅制品的主要原料，是信息產(chǎn)業(yè)和新能源產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)原料。目前運(yùn)用最廣泛的是西門(mén)子法還原爐，其設(shè)備主墊片多為改性PTFE 墊片，然而改性PTFE墊片在高溫下工作容易變形失效。為此，一般都通過(guò)設(shè)置冷卻水流道引入冷卻水以降低墊片周?chē)ㄌm的溫度，以保證墊片的正常工作。傳統(tǒng)多晶硅還原爐墊片冷卻水流道設(shè)置在設(shè)備法蘭內(nèi)部，由于設(shè)備法蘭強(qiáng)度等原因，使得流道面積受到局限、換熱量受到限制而導(dǎo)致冷卻效果偏低，一般開(kāi)2 3爐后就需要更換墊片，大大增加了多晶硅的生產(chǎn)成本。發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種新型多晶硅還原爐設(shè)備墊片冷卻水結(jié)構(gòu)，不受設(shè)備法蘭結(jié)構(gòu)特性的限制，能夠根據(jù)需要設(shè)置冷卻水結(jié)構(gòu)的橫截面積，有效降低設(shè)備法蘭下部的溫度，進(jìn)而降低設(shè)備法蘭周?chē)鷫|片的溫度，防止墊片過(guò)熱失效。為實(shí)現(xiàn)上述多晶硅還原爐設(shè)備墊片冷卻水結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下多晶硅還原爐設(shè)備墊片冷卻水結(jié)構(gòu)，包括設(shè)備法蘭、筒體，所述設(shè)備法蘭與筒體的內(nèi)壁上設(shè)有弧形環(huán)板，所述弧形環(huán)板為環(huán)形，與所述設(shè)備法蘭、筒體形成一密閉環(huán)形空間。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述弧形環(huán)板設(shè)于所述設(shè)備法蘭與筒體下端的內(nèi)壁上。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述密閉環(huán)形空間內(nèi)設(shè)有隔板，所述隔板將密閉環(huán)形空間隔斷。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述隔板兩側(cè)分別設(shè)有冷卻水進(jìn)孔和冷卻水出孔。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述冷卻水進(jìn)孔與冷卻水出孔為若干個(gè)，以達(dá)到快速降低設(shè)備法蘭溫度，從而降低設(shè)備法蘭周?chē)鷫|片的溫度的目的。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述冷卻水出孔上設(shè)有導(dǎo)氣管，以防止氣相空間的形成。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述筒體上設(shè)有排氣孔，以防止氣相空間的形成。本實(shí)用新型的工作原理是正常工作時(shí)，冷卻水從冷卻水進(jìn)孔進(jìn)入環(huán)形空間，繞環(huán)形空間流轉(zhuǎn)一周后從冷卻水出孔流出，環(huán)形空間內(nèi)氣體通過(guò)導(dǎo)氣管或排氣孔排出。環(huán)形空間位于設(shè)備內(nèi)部下端，冷卻水流經(jīng)環(huán)形空間時(shí)與設(shè)備法蘭進(jìn)行傳熱，降低了設(shè)備法蘭下部的溫度，設(shè)備法蘭再與墊片周?chē)臻g進(jìn)行換熱，大大降低了墊片周?chē)臻g的溫度，從而防止墊片過(guò)熱產(chǎn)生的變形失效。由于本實(shí)用新型的冷卻水結(jié)構(gòu)位于設(shè)備內(nèi)部，冷卻水流道的橫截面積不受設(shè)備法蘭強(qiáng)度所制約，能根據(jù)需要設(shè)置其橫截面積以達(dá)到需要的冷卻效果。本實(shí)用新型位于設(shè)備內(nèi)部下端，通過(guò)冷卻水對(duì)設(shè)備法蘭及墊片周?chē)臻g進(jìn)行冷卻，隔斷了爐內(nèi)高溫氣體與設(shè)備墊片的接觸，防止墊片過(guò)熱產(chǎn)生的變形失效，有效保護(hù)了改性PTFE墊片的長(zhǎng)期使用，從而大大降低了多晶硅的生產(chǎn)成本。


圖1是本實(shí)用新型的還原爐墊片冷卻水結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實(shí)用新型的還原爐墊片冷卻水結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記1設(shè)備法蘭 2筒體3弧形環(huán)板4隔板5導(dǎo)氣管 6冷卻水進(jìn)孔 7冷卻水出孔 8排氣孔。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述。實(shí)施例1如圖1所示，本實(shí)用新型包括設(shè)備法蘭1、筒體2、弧形環(huán)板3、隔板4、導(dǎo)氣管5、冷卻水進(jìn)孔6、冷卻水出孔7、弧形環(huán)板3、焊接于設(shè)備法蘭1及筒體2下端的內(nèi)壁上，弧形環(huán)板 3呈一環(huán)狀，與設(shè)備法蘭1及筒體2下端圍成一密閉環(huán)形空間，隔板4焊接于密閉環(huán)形空間中將密閉環(huán)形空間隔斷，隔板4兩側(cè)設(shè)有一個(gè)冷卻水進(jìn)孔6和一個(gè)冷卻水出孔7，冷卻水出孔7上設(shè)置了導(dǎo)氣管5，防止氣相空間的形成。實(shí)施例2如圖2所示，本實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別是，筒體2上開(kāi)有排氣孔8，替代實(shí)施例1 的導(dǎo)氣管5，密閉環(huán)形空間內(nèi)的氣體通過(guò)排氣孔8排出。本實(shí)施例的工作過(guò)程是正常工作時(shí)，冷卻水從冷卻水進(jìn)孔6進(jìn)入環(huán)形空間，繞環(huán)形空間流轉(zhuǎn)一周后從冷卻水出孔7流出，環(huán)形空間內(nèi)氣體通過(guò)導(dǎo)氣管5或排氣孔8排出。 環(huán)形空間位于設(shè)備內(nèi)部下端，冷卻水流經(jīng)環(huán)形空間時(shí)與設(shè)備法蘭1進(jìn)行傳熱，降低了設(shè)備法蘭1下部的溫度，設(shè)備法蘭1再與墊片周?chē)臻g進(jìn)行換熱，極大的降低了墊片周?chē)臻g的溫度，防止墊片過(guò)熱變形失效。
權(quán)利要求1.多晶硅還原爐設(shè)備墊片冷卻水結(jié)構(gòu)，包括設(shè)備法蘭、筒體，其特征在于所述設(shè)備法蘭與筒體的內(nèi)壁上設(shè)有弧形環(huán)板，所述弧形環(huán)板為環(huán)形，與所述設(shè)備法蘭、筒體形成一密閉環(huán)形空間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐設(shè)備墊片冷卻水結(jié)構(gòu)，其特征在于所述弧形環(huán)板設(shè)于所述設(shè)備法蘭與筒體下端的內(nèi)壁上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐設(shè)備墊片冷卻水結(jié)構(gòu)，其特征在于所述密閉環(huán)形空間內(nèi)設(shè)有隔板，所述隔板將密閉環(huán)形空間隔斷。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多晶硅還原爐墊片冷卻水結(jié)構(gòu)，其特征在于所述隔板兩側(cè)分別設(shè)有冷卻水進(jìn)孔和冷卻水出孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多晶硅還原爐設(shè)備墊片冷卻水結(jié)構(gòu)，其特征在于所述冷卻水進(jìn)孔與冷卻水出孔為若干個(gè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多晶硅還原爐設(shè)備墊片冷卻水結(jié)構(gòu)，其特征在于所述冷卻水出孔上設(shè)有導(dǎo)氣管。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐設(shè)備墊片冷卻水結(jié)構(gòu)，其特征在于所述筒體上設(shè)有排氣孔。
專(zhuān)利摘要多晶硅還原爐設(shè)備墊片冷卻水結(jié)構(gòu)，包括設(shè)備法蘭、筒體，設(shè)備法蘭與筒體下端的內(nèi)壁上設(shè)有弧形環(huán)板，所述弧形環(huán)板為環(huán)形，與所述設(shè)備法蘭、筒體形成一密閉環(huán)形空間。密閉環(huán)形空間內(nèi)設(shè)有隔板，隔板兩側(cè)設(shè)有冷卻水進(jìn)孔和冷卻水出孔，密閉空間內(nèi)還設(shè)置了導(dǎo)氣管或排氣孔，防止氣相空間形成。本實(shí)用新型提供的多晶硅還原爐設(shè)備墊片冷卻水結(jié)構(gòu)不受設(shè)備法蘭結(jié)構(gòu)特性的限制，能夠根據(jù)需要設(shè)置冷卻水結(jié)構(gòu)的橫截面積，有效降低設(shè)備法蘭下部的溫度，進(jìn)而降低設(shè)備法蘭周?chē)鷫|片的溫度，防止墊片過(guò)熱失效。
文檔編號(hào)C01B33/035GK202131106SQ20112023630
公開(kāi)日2012年2月1日 申請(qǐng)日期2011年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月6日
發(fā)明者吳海龍, 茅陸榮, 趙翠, 邵斌 申請(qǐng)人:上海森松環(huán)境技術(shù)工程有限公司