專利名稱：一種多晶硅分解爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多晶硅生產(chǎn)設(shè)備，尤其是涉及一種用于硅烷法生產(chǎn)多晶硅的多晶 硅分解爐。
背景技術(shù)：
隨著綠色可再生能源的倡導(dǎo)和發(fā)展，晶體硅太陽能電池作為新興的清潔可再生能 源得到了迅速的發(fā)展，因其具有直接將太陽能轉(zhuǎn)換為電能，且壽命長、維護(hù)簡單等優(yōu)點(diǎn)而備 受人們的青睞。晶體硅太陽能電池的迅速發(fā)展，極大地刺激了多晶硅的市場需求，導(dǎo)致多晶 硅供不應(yīng)求，價(jià)格也不斷地攀升。多晶硅的緊缺和居高不下的價(jià)格已經(jīng)成為制約我國信息 產(chǎn)業(yè)和光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸。因此，提高太陽能級(jí)的高純多晶硅的國內(nèi)產(chǎn)量已迫在眉睫。目前，制備太陽能級(jí)的高純多晶硅的主要方法有改良西門子法、硅烷法等。其中， 改良西門子法，是將氯氣和氫氣合成氯化氫，氯化氫和硅粉在一定溫度下合成三氯氫硅，然 后對(duì)三氯氫硅進(jìn)行分離精餾提純，提純后的高純?nèi)葰涔枧c氫氣按比例混合后，在一定的 溫度和壓力下通入多晶硅還原爐內(nèi)，在直徑3至5毫米、長2. 3至2. 5米的導(dǎo)電硅芯上進(jìn)行 反應(yīng)沉積生成多晶硅，反應(yīng)溫度控制在1080°C左右，最終生成直徑為20厘米左右、長約2. 4 米的棒狀多晶硅，同時(shí)生成四氯化硅、二氯二氫硅、氯化氫等副產(chǎn)物。改良西門子法是目前 電子級(jí)高純多晶硅的唯一生產(chǎn)方法，也是目前太陽能級(jí)的高純多晶硅的主要生產(chǎn)方法。硅烷法采用四氯化硅氫化法、硅合金分解法、氫化物還原法以及硅直接氫化等方 法制備硅烷(SiH4)，將生成的硅烷與氫氣按比例通入一定溫度和壓力下的多晶硅分解爐 內(nèi)，在通電高溫硅芯上進(jìn)行分解生成直徑約為150mm的棒狀多晶硅產(chǎn)品，同時(shí)生成副產(chǎn)物 氫氣。該方法的優(yōu)點(diǎn)是生產(chǎn)效率高、能耗低、成本低、適合大規(guī)模生產(chǎn)，目前也在太陽能級(jí)高 純多晶硅生產(chǎn)中應(yīng)用。但是該方法卻不能成為多晶硅生產(chǎn)的主要工藝，主要有以下幾種原 因1、安全性較差、易發(fā)生爆炸，而且生產(chǎn)出的產(chǎn)品純度不高；2、使用的多晶硅分解爐生產(chǎn) 多晶硅的產(chǎn)量較小。多晶硅還原爐是改良西門子法生產(chǎn)多晶硅的主要設(shè)備，該多晶硅還原爐的產(chǎn)量較 高，但是其不能用于硅烷法生產(chǎn)多晶硅。目前，用于硅烷法生產(chǎn)多晶硅的分解爐為一種懸掛 式多晶硅分解爐，如圖4所示，其包括爐體8，爐體8的下端設(shè)置有進(jìn)氣管81，爐體8的上端 設(shè)置有出氣管82，爐體8的頂部懸掛設(shè)置有六對(duì)鉬絲83，每對(duì)鉬絲83的兩端分別為正極 和負(fù)極，鉬絲83的長度約為1米，直徑約為2毫米，爐體8的側(cè)面開設(shè)有快開操作入孔84， 通過快開操作入孔84可安裝鉬絲和取下生成的多晶硅，該多晶硅分解爐工作時(shí)硅烷氣體 從進(jìn)氣管81進(jìn)入爐體8內(nèi)，硅烷氣體在懸掛于爐體8的頂部的鉬絲83表面上分解生成直 徑為40毫米的多晶硅，廢氣則從出氣管82排出，生成的多晶硅可通過快開操作入孔84取 出，這種多晶硅分解爐結(jié)構(gòu)簡單、使用方便，但其存在以下缺點(diǎn)1、其產(chǎn)量較小，生產(chǎn)規(guī)模較 小，不能較好地滿足市場需求；2、硅烷在高溫下通常會(huì)分解生成多晶硅和氫氣，而硅烷在這 種多晶硅分解爐內(nèi)，當(dāng)鉬絲輻射產(chǎn)生的熱量使整個(gè)多晶硅分解爐內(nèi)溫度升高時(shí)，就會(huì)有一 部分的硅烷不能在鉬絲的表面分解，直接在多晶硅分解爐內(nèi)部空間分解成細(xì)小的多晶硅顆
4粒，這種細(xì)小的多晶硅顆粒利用價(jià)值很低，并且其會(huì)隨著氣流從多晶硅分解爐的出氣管排 出，造成了一定的浪費(fèi)，降低了生產(chǎn)效率；3、當(dāng)鉬絲輻射產(chǎn)生的熱量使整個(gè)多晶硅分解爐內(nèi) 溫度升高時(shí)，為保證多晶硅分解爐的正常使用，需將爐體的壁加厚，這樣必然提高了生產(chǎn)成 本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種在保證生產(chǎn)得到的多晶硅具有較好的質(zhì) 量的同時(shí)，能夠有效提高多晶硅的生產(chǎn)產(chǎn)量，降低生產(chǎn)能耗的多晶硅分解爐。本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為一種多晶硅分解爐，包括帶冷卻 水夾套的底盤和帶冷卻水夾套的鐘罩式雙層爐體，所述的鐘罩式雙層爐體設(shè)置于所述的底 盤上，其特征在于所述的底盤上均勻設(shè)置有十二個(gè)電極單元，每個(gè)所述的電極單元的中心 設(shè)置有縱向貫穿所述的底盤的硅烷氣體進(jìn)氣管，所述的硅烷氣體進(jìn)氣管的第一端口為氣體 進(jìn)口，所述的硅烷氣體進(jìn)氣管的第二端口與所述的鐘罩式雙層爐體相連通，每個(gè)所述的電 極單元包括按正方形排列的四個(gè)電極，所述的電極縱向貫穿設(shè)置于所述的底盤上，所述的 電極的第一端位于所述的底盤的下方，所述的電極的第二端位于所述的鐘罩式雙層爐體 內(nèi)，每個(gè)所述的電極單元中以兩個(gè)所述的電極為一組，并在該組的兩個(gè)所述的電極的第二 端之間連接有一個(gè)硅芯。所述的硅芯主要由與一組中的其中一個(gè)所述的電極相連接的第一硅芯段、與一組 中的另一個(gè)所述的電極相連接的第二硅芯段及設(shè)置于所述的第一硅芯段和所述的第二硅 芯段之間的硅芯連接段組成，所述的硅烷氣體進(jìn)氣管的第二端口連接有設(shè)置于所述的鐘罩 式雙層爐體內(nèi)且與所述的硅烷氣體進(jìn)氣管相連通的立管，所述的立管沿其軸向均勻設(shè)置有 四排導(dǎo)流孔，每排所述的導(dǎo)流孔的位置對(duì)準(zhǔn)所述的第一硅芯段或所述的第二硅芯段，所述 的第一硅芯段外套設(shè)有帶導(dǎo)熱油夾套的第一硅芯套筒，所述的第二硅芯段外套設(shè)有帶導(dǎo)熱 油夾套的第二硅芯套筒，所述的導(dǎo)流孔與所述的第一硅芯套筒及所述的第二硅芯套筒之間 設(shè)置有導(dǎo)管，所述的第一硅芯套筒和所述的第二硅芯套筒之間設(shè)置有連通管，所述的第一 硅芯套筒的底部連接有縱向貫穿所述的底盤的熱油進(jìn)油管，所述的第二硅芯套筒的底部連 接有縱向貫穿所述的底盤的熱油出油管。所述的第一硅芯套筒包括第一硅芯外筒和第一硅芯內(nèi)筒，所述的第一硅芯外筒與 所述的第一硅芯內(nèi)筒之間的空隙形成一個(gè)用于導(dǎo)熱油的第一空腔，所述的第二硅芯套筒包 括第二硅芯外筒和第二硅芯內(nèi)筒，所述的第二硅芯外筒與所述的第二硅芯內(nèi)筒之間的空隙 形成一個(gè)用于導(dǎo)熱油的第二空腔，所述的第一空腔與所述的第二空腔通過所述的連通管相 連通。所述的鐘罩式雙層爐體上設(shè)置有爐體冷卻水進(jìn)水管、爐體冷卻水出水管和視鏡 孔，所述的底盤上設(shè)置有底盤冷卻水進(jìn)水管和底盤冷卻水出水管，所述的底盤的中心位置 設(shè)置有縱向貫穿所述的底盤的尾氣出氣管，所述的尾氣出氣管與所述的鐘罩式雙層爐體相 連通。每個(gè)所述的硅芯相連接的兩個(gè)所述的電極中的其中一個(gè)所述的電極為正極，且另 一個(gè)所述的電極為負(fù)極。所述的電極外套設(shè)有帶冷卻水夾套的電極套筒，所述的電極套筒上設(shè)置有電極冷卻水進(jìn)水管和電極冷卻水出水管，所述的電極套筒包括電極外筒和電極內(nèi)筒，所述的電極 外筒與所述的電極內(nèi)筒之間形成一個(gè)用于導(dǎo)冷卻水的空隙，所述的空隙與所述的電極冷卻 水進(jìn)水管及所述的冷卻水出水管相連通。所述的電極的第二端與所述的硅芯之間設(shè)置有石墨夾頭，所述的電極的第二端通 過所述的石墨夾頭與所述的硅芯相連接。
所述的鐘罩式雙層爐體的材料采用超低碳不銹鋼。所述的第一硅芯套筒和所述的第二硅芯套筒的材料均采用超低碳不銹鋼。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于1、本發(fā)明通過在底盤上均勻設(shè)置十二個(gè)電極單元，而每個(gè)電極單元包括按正方形 排列的四個(gè)電極，并在每個(gè)電極單元中的一對(duì)電極之間連接一個(gè)硅芯，大大提高了多晶硅 的生產(chǎn)產(chǎn)量，擴(kuò)大了生產(chǎn)規(guī)模；而現(xiàn)有的多晶硅分解爐只設(shè)置有一對(duì)電極，多晶硅的產(chǎn)量受 到了分解爐大小的限制，從而極大地限制了生產(chǎn)規(guī)模；2、以分別采用本發(fā)明的分解爐與現(xiàn)有的分解爐生產(chǎn)同產(chǎn)量的多晶硅為基準(zhǔn)，則本 發(fā)明只需控制一臺(tái)分解爐即能達(dá)到一定的產(chǎn)量，而采用現(xiàn)有的分解爐必須同時(shí)控制多臺(tái)才 能達(dá)到一定的產(chǎn)量，控制一臺(tái)本發(fā)明的分解爐與同時(shí)控制多臺(tái)現(xiàn)有的分解爐相比，操作更 為簡單，且能夠有效降低能耗，同時(shí)能夠有效保證生產(chǎn)得到的多晶硅產(chǎn)品的質(zhì)量；3、本發(fā)明通過在硅烷氣體進(jìn)氣管的一端上連接一個(gè)立管，且在立管上沿其軸向均 勻設(shè)置四排與硅芯相對(duì)的導(dǎo)流孔，在硅芯外套設(shè)帶導(dǎo)熱油夾套的硅芯套筒，且導(dǎo)流孔通過 導(dǎo)管與硅芯套筒相連通，使用本發(fā)明的分解爐時(shí)硅烷和氫氣的混合氣體通過硅烷氣體進(jìn)氣 管進(jìn)入立管，再通過導(dǎo)流孔和導(dǎo)管分散到四個(gè)硅芯套筒內(nèi)，混合氣體在高溫通電的硅芯上 分解，生成棒狀多晶硅產(chǎn)品，本發(fā)明通過硅芯套筒內(nèi)的導(dǎo)熱油，對(duì)硅芯周圍的溫度進(jìn)行有效 控制，使絕大多數(shù)硅烷在硅芯的表面上分解，從而達(dá)到控制多晶硅生長速度的目的，大大減 少了多晶硅顆粒的形成，提高了生產(chǎn)效率，同時(shí)有效提高了多晶硅的產(chǎn)品質(zhì)量，此外由于硅 芯周圍的溫度得到了有效地控制，不僅降低了生產(chǎn)能耗，而且避免了整個(gè)多晶硅分解爐內(nèi) 的溫度升高，從而降低了對(duì)鐘罩式雙層爐體的壁厚要求，最終降低了生產(chǎn)成本。


圖1為本發(fā)明的多晶硅分解爐的縱剖結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明的多晶硅分解爐的橫剖結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為混合氣體在立管及第一硅芯套筒和第二硅芯套筒內(nèi)的流向示意圖；圖4為現(xiàn)有的懸掛式多晶硅分解爐的基本結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。如圖所示，一種多晶硅分解爐，包括帶冷卻水夾套的底盤1和帶冷卻水夾套的鐘 罩式雙層爐體2，底盤1主要由兩塊相互固定連接的上底板15和下底板16構(gòu)成，上底板15 與下底板16之間設(shè)置有用于導(dǎo)冷卻水的底盤空腔17，鐘罩式雙層爐體2設(shè)置于上底板15 上，下底板16上設(shè)置有底盤冷卻水進(jìn)水管11和底盤冷卻水出水管12，底盤冷卻水進(jìn)水管 11和底盤冷卻水出水管12均與底盤空腔17相連通，底盤1的中心位置設(shè)置有縱向貫穿上底板15和下底板16的尾氣出氣管13，尾氣出氣管13與鐘罩式雙層爐體2相連通；鐘罩式 雙層爐體2主要由外層爐體24和內(nèi)層爐體25組成，外層爐體24與內(nèi)層爐體25之間的空 隙形成一個(gè)用于導(dǎo)冷卻水的爐體空腔26，外層爐體24上設(shè)置有爐體冷卻水進(jìn)水管21和爐 體冷卻水出水管22，爐體冷卻水進(jìn)水管21和爐體冷卻水出水管22均與爐體空腔26相連 通，鐘罩式雙層爐體2上設(shè)置有貫穿外層爐體24和內(nèi)層爐體25的視鏡孔23。在此具體實(shí)施例中，在底盤1上均勻設(shè)置有十二個(gè)電極單元3，每個(gè)電極單元3的 中心設(shè)置有縱向貫穿底盤1的硅烷氣體進(jìn)氣管14，硅烷氣體進(jìn)氣管14的第一端口 141為 氣體進(jìn)口，硅烷氣體進(jìn)氣管14的第二端口 142與鐘罩式雙層爐體2相連通，每個(gè)電極單元 3包括按正方形排列的四個(gè)電極31，電極31縱向貫穿設(shè)置于底盤1上，電極31的第一端位 于下底板16的下方，電極31的第二端位于鐘罩式雙層爐體2內(nèi)，每個(gè)電極單元3中以兩個(gè) 電極31為一組，并在該組的兩個(gè)電極31的第二端之間連接有一個(gè)硅芯4，即一個(gè)電極單元 3中的四個(gè)電極31，將其中兩個(gè)電極31作為一組，將另兩個(gè)電極31作為另一組，每一組電 極之間連接一個(gè)硅芯4，這樣在一個(gè)電極單元3內(nèi)連接有兩個(gè)硅芯4。在此，將與每個(gè)硅芯4 相連接的兩個(gè)電極31中的其中一個(gè)電極31作為正極，將另一個(gè)電極31作為負(fù)極。在此， 電極31外套設(shè)有帶冷卻水夾套的電極套筒32，電極套筒32上設(shè)置有電極冷卻水進(jìn)水管33 和電極冷卻水出水管34，電極套筒32包括電極外筒321和電極內(nèi)筒322，電極外筒321與電 極內(nèi)筒322之間形成一個(gè)用于導(dǎo)冷卻水的空隙323，空隙323與電極冷卻水進(jìn)水管33及冷 卻水出水管34相連通。在此，電極31的第二端與硅芯4之間設(shè)置有石墨夾頭35，電極31 的第二端通過石墨夾頭35與硅芯4相連接。在本實(shí)施例中，將十二個(gè)電極單元，且每個(gè)電 極單元包括四個(gè)電極，即將共四十八個(gè)電極(二十四對(duì)電極)設(shè)置在一臺(tái)多晶硅分解爐中， 與現(xiàn)有的只設(shè)置有一對(duì)電極的多晶硅分解爐相比，有效提高了生產(chǎn)產(chǎn)量，擴(kuò)大了生產(chǎn)規(guī)模， 且由于使用本發(fā)明的分解爐為統(tǒng)一控制實(shí)現(xiàn)產(chǎn)量的提高，而現(xiàn)有的多晶硅分解爐若想生產(chǎn) 相同的產(chǎn)量，則需同時(shí)控制多臺(tái)分解爐，不僅操作復(fù)雜、能耗高，而且生產(chǎn)得到的多晶硅的 質(zhì)量得不到保證。在此具體實(shí)施例中，硅芯4主要由與一組中的其中一個(gè)電極31相連接的第一硅芯 段41、與一組中的另一個(gè)電極31相連接的第二硅芯段42及設(shè)置于第一硅芯段41和第二硅 芯段42之間的硅芯連接段43組成，硅烷氣體進(jìn)氣管14的第二端口 142連接有設(shè)置于鐘罩 式雙層爐體2內(nèi)且與硅烷氣體進(jìn)氣管14相連通的立管5，立管5沿其軸向均勻設(shè)置有四排 導(dǎo)流孔51，在此每排導(dǎo)流孔51的個(gè)數(shù)可根據(jù)實(shí)際情況決定，每排導(dǎo)流孔51的位置對(duì)準(zhǔn)第一 硅芯段41或第二硅芯段42，第一硅芯段41外套設(shè)有帶導(dǎo)熱油夾套的第一硅芯套筒6，第二 硅芯段42外套設(shè)有帶導(dǎo)熱油夾套的第二硅芯套筒7，導(dǎo)流孔51與第一硅芯套筒6及第二硅 芯套筒7之間設(shè)置有導(dǎo)管52，第一硅芯套筒6和第二硅芯套筒7之間設(shè)置有連通管53，第 一硅芯套筒6的底部連接有縱向貫穿底盤1的熱油進(jìn)油管61，第二硅芯套筒7的底部連接 有縱向貫穿底盤1的熱油出油管71。在此具體實(shí)施例中，第一硅芯套筒6包括第一硅芯外筒62和第一硅芯內(nèi)筒63，第 一硅芯外筒62與第一硅芯內(nèi)筒63之間的空隙形成一個(gè)用于導(dǎo)熱油的第一空腔64，第二硅 芯套筒7包括第二硅芯外筒72和第二硅芯內(nèi)筒73，第二硅芯外筒72與第二硅芯內(nèi)筒73之 間的空隙形成一個(gè)用于導(dǎo)熱油的第二空腔74，第一空腔64與第二空腔74通過連通管53相 連通，立管5通過導(dǎo)管52分別與第一硅芯內(nèi)筒63和第二硅芯內(nèi)筒73相連通
在此具體實(shí)施例中，鐘罩式雙層爐體2的內(nèi)層爐體25、上底板15、第一硅芯套筒6、 第二硅芯套筒7、立管5、硅烷氣體進(jìn)氣管14、尾氣出氣管13及視鏡孔23均采用超低碳奧氏 體不銹鋼材料制成，采用超低碳奧氏體不銹鋼作為材料，可有效減少多晶硅分解爐對(duì)生產(chǎn) 出的多晶硅的污染。使用本發(fā)明的多晶硅分解爐時(shí)，如圖3所示硅烷和氫氣的混合氣體通過硅烷氣體 進(jìn)氣管14進(jìn)入與其相連通的立管5內(nèi)，再通過設(shè)置于立管5上的導(dǎo)流孔51和設(shè)置于導(dǎo)流 孔51與第一硅芯套筒6和第二硅芯套筒7之間的導(dǎo)管52分散到第一硅芯套筒6和第二硅 芯套筒7內(nèi)，混合氣體在高溫通電的硅芯4上分解，生成棒狀多晶硅產(chǎn)品，尾氣通過尾氣出 氣管13排出。
權(quán)利要求
一種多晶硅分解爐，其特征在于包括帶冷卻水夾套的底盤和帶冷卻水夾套的鐘罩式雙層爐體，所述的鐘罩式雙層爐體設(shè)置于所述的底盤上，所述的底盤上均勻設(shè)置有十二個(gè)電極單元，每個(gè)所述的電極單元的中心設(shè)置有縱向貫穿所述的底盤的硅烷氣體進(jìn)氣管，所述的硅烷氣體進(jìn)氣管的第一端口為氣體進(jìn)口，所述的硅烷氣體進(jìn)氣管的第二端口與所述的鐘罩式雙層爐體相連通，每個(gè)所述的電極單元包括按正方形排列的四個(gè)電極，所述的電極縱向貫穿設(shè)置于所述的底盤上，所述的電極的第一端位于所述的底盤的下方，所述的電極的第二端位于所述的鐘罩式雙層爐體內(nèi)，每個(gè)所述的電極單元中以兩個(gè)所述的電極為一組，并在該組的兩個(gè)所述的電極的第二端之間連接有一個(gè)硅芯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅分解爐，其特征在于所述的硅芯主要由與一組中 的其中一個(gè)所述的電極相連接的第一硅芯段、與一組中的另一個(gè)所述的電極相連接的第二 硅芯段及設(shè)置于所述的第一硅芯段和所述的第二硅芯段之間的硅芯連接段組成，所述的硅 烷氣體進(jìn)氣管的第二端口連接有設(shè)置于所述的鐘罩式雙層爐體內(nèi)且與所述的硅烷氣體進(jìn) 氣管相連通的立管，所述的立管沿其軸向均勻設(shè)置有四排導(dǎo)流孔，每排所述的導(dǎo)流孔的位 置對(duì)準(zhǔn)所述的第一硅芯段或所述的第二硅芯段，所述的第一硅芯段外套設(shè)有帶導(dǎo)熱油夾套 的第一硅芯套筒，所述的第二硅芯段外套設(shè)有帶導(dǎo)熱油夾套的第二硅芯套筒，所述的導(dǎo)流 孔與所述的第一硅芯套筒及所述的第二硅芯套筒之間設(shè)置有導(dǎo)管，所述的第一硅芯套筒和 所述的第二硅芯套筒之間設(shè)置有連通管，所述的第一硅芯套筒的底部連接有縱向貫穿所述 的底盤的熱油進(jìn)油管，所述的第二硅芯套筒的底部連接有縱向貫穿所述的底盤的熱油出油 管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種多晶硅分解爐，其特征在于所述的第一硅芯套筒包括第 一硅芯外筒和第一硅芯內(nèi)筒，所述的第一硅芯外筒與所述的第一硅芯內(nèi)筒之間的空隙形成 一個(gè)用于導(dǎo)熱油的第一空腔，所述的第二硅芯套筒包括第二硅芯外筒和第二硅芯內(nèi)筒，所 述的第二硅芯外筒與所述的第二硅芯內(nèi)筒之間的空隙形成一個(gè)用于導(dǎo)熱油的第二空腔，所 述的第一空腔與所述的第二空腔通過所述的連通管相連通。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的一種多晶硅分解爐，其特征在于所述的鐘罩式 雙層爐體上設(shè)置有爐體冷卻水進(jìn)水管、爐體冷卻水出水管和視鏡孔，所述的底盤上設(shè)置有 底盤冷卻水進(jìn)水管和底盤冷卻水出水管，所述的底盤的中心位置設(shè)置有縱向貫穿所述的底 盤的尾氣出氣管，所述的尾氣出氣管與所述的鐘罩式雙層爐體相連通。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種多晶硅分解爐，其特征在于每個(gè)所述的硅芯相連接的兩 個(gè)所述的電極中的其中一個(gè)所述的電極為正極，且另一個(gè)所述的電極為負(fù)極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種多晶硅分解爐，其特征在于所述的電極外套設(shè)有帶冷卻 水夾套的電極套筒，所述的電極套筒上設(shè)置有電極冷卻水進(jìn)水管和電極冷卻水出水管，所 述的電極套筒包括電極外筒和電極內(nèi)筒，所述的電極外筒與所述的電極內(nèi)筒之間形成一個(gè) 用于導(dǎo)冷卻水的空隙，所述的空隙與所述的電極冷卻水進(jìn)水管及所述的冷卻水出水管相連通。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種多晶硅分解爐，其特征在于所述的電極的第二端與所述 的硅芯之間設(shè)置有石墨夾頭，所述的電極的第二端通過所述的石墨夾頭與所述的硅芯相連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種多晶硅分解爐，其特征在于所述的鐘罩式雙層爐體的材料采用超低碳不銹鋼。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種多晶硅分解爐，其特征在于所述的第一硅芯套筒和所述 的第二硅芯套筒的材料均采用超低碳不銹鋼。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種多晶硅分解爐，包括底盤和鐘罩式雙層爐體，底盤上均勻設(shè)置有十二個(gè)電極單元，每個(gè)電極單元的中心設(shè)置有縱向貫穿底盤的硅烷氣體進(jìn)氣管，硅烷氣體進(jìn)氣管的第一端口為氣體進(jìn)口，硅烷氣體進(jìn)氣管的第二端口與鐘罩式雙層爐體相連通，每個(gè)電極單元包括按正方形排列的四個(gè)電極，電極縱向貫穿設(shè)置于底盤上，電極的第一端位于底盤的下方，電極的第二端位于鐘罩式雙層爐體內(nèi)，每個(gè)電極單元中以兩個(gè)電極為一組，并在該組的兩個(gè)電極的第二端之間連接有一個(gè)硅芯，這種結(jié)構(gòu)的分解爐大大提高了多晶硅的生產(chǎn)產(chǎn)量，擴(kuò)大了生產(chǎn)規(guī)模，且有效降低了能耗，同時(shí)保證了生產(chǎn)得到的多晶硅產(chǎn)品的質(zhì)量。
文檔編號(hào)C01B33/029GK101830467SQ20101012333
公開日2010年9月15日 申請(qǐng)日期2010年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月11日
發(fā)明者劉新安, 劉明亮, 柴新剛 申請(qǐng)人:化學(xué)工業(yè)第二設(shè)計(jì)院寧波工程有限公司