專利名稱：多晶硅還原爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于化工行業(yè)用于多晶硅生產(chǎn)的設(shè)備，即多晶硅還原爐。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的多晶硅還原爐均采用單管噴射式，即將氫氣、三氯化硅以--定的比 例混合后由一根噴管進(jìn)入還原爐，這樣往往會(huì)造成硅棒沉積不均勻，使得吸收 率低還原不徹底。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、沉積率高、還原速度快、收率高 的多晶硅還原爐。
為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用了以下技術(shù)方案，-'種多晶硅還原爐， 包括有爐罩、底盤、多晶硅硅棒、進(jìn)料管和噴頭。爐罩安裝在底盤上，底盤上 安裝有一組或幾組多晶硅硅棒，同時(shí)底盤上還設(shè)有與底盤下部的進(jìn)料管和出料
管相連通的噴頭，噴頭為三個(gè)或三個(gè)以上。所述的噴頭由3個(gè)獨(dú)々.管道組合而 成，其中位于噴頭頂端開口的為進(jìn)料管道口，噴頭兩側(cè)面開口的分別為出料管 道口。
本實(shí)用新型采用低速三管進(jìn)料方式，大大的提高了還原速度和沉積率，使 得收率從之前的30%左右提高到了 80%左右。同時(shí)將進(jìn)料管道和出料管道組合 在一起，也使得本實(shí)用新型生產(chǎn)成本低，使用時(shí)占用場(chǎng)地小。
附閨說(shuō)明
圖l多晶硅氣還原爐結(jié)構(gòu)示意圖2多晶硅氫還原爐其噴頭結(jié)構(gòu)示意圖屮l-爐罩；2-底錄；3-多晶硅硅棒；4-進(jìn)料管；5-出料管；6-噴頭；7-導(dǎo)軌；8-進(jìn)料管道口； 9-出料管道口； 10-出料管道口。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖
對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的說(shuō)明
如圖I所示， 一種多晶硅還原爐，包括有爐罩l、底盤2、多晶硅硅榨3、 進(jìn)料管4、出料管5和噴頭6。爐罩1安裝在底盤2上，底盤2上安裝有-一組或 幾組多晶硅硅棒3，同時(shí)底盤2上還設(shè)有與底盤下部的進(jìn)料管4和出料管5相連 通的噴頭6.噴頭6為三個(gè)或三個(gè)以上。這樣便使由噴頭6進(jìn)入爐內(nèi)的進(jìn)料與多 晶硅硅棒3有充分的接觸面，大大的提高了還原速度和沉積率。如圖2所示， 所述的噴頭6由3個(gè)獨(dú)立管道組合而成，其中位于噴頭6頂端開口的為進(jìn)料管 道口 8，噴頭6兩側(cè)面開口的分別為出料管道口 9和10。將進(jìn)料管道和出料管 道組合在一起，也使得本實(shí)用新型生產(chǎn)成本低，也為充分利用生產(chǎn)場(chǎng)地提供了 有利條件。
權(quán)利要求1.一種多晶硅還原爐，包括有爐罩(1)、底盤(2)、多晶硅硅棒(3)、進(jìn)料管(4)、出料管(5)和噴頭(6)，其特征在于所述爐罩(1)安裝在底盤(2)上，底盤(2)上安裝有一組或幾組多晶硅硅棒(3)，同時(shí)底盤(2)上還設(shè)有與底盤下部的進(jìn)料管(4)和出料管(5)相連通的噴頭(6)，且噴頭(6)為三個(gè)或三個(gè)以上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于所述的噴頭(6)由3個(gè) 獨(dú)立管道組合而成，其中位于噴頭頂端開口的為進(jìn)料管道口 (8)，噴頭兩側(cè) 面開口的分別為出料管道口 (9)和出料管道口 (10)。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種多晶硅還原爐，包括有爐罩，底盤，多晶硅硅棒，進(jìn)料管和噴頭。爐罩安裝在底盤上，底盤上安裝有一組或幾組多晶硅硅棒，同時(shí)底盤上還設(shè)有與底盤下部的進(jìn)料管連通的噴頭，噴頭為三個(gè)或三個(gè)以上。本實(shí)用新型解決了現(xiàn)有的多晶硅還原爐采用單管噴射式，而造成硅棒沉積不均勻且厚而不徹底，收率低的問題。其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，還原速度大大提高的同時(shí)也大大提高了吸收率。
文檔編號(hào)C01B33/00GK201362597SQ200920078629
公開日2009年12月16日 申請(qǐng)日期2009年1月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月13日
發(fā)明者沈曉明 申請(qǐng)人:張家港市華菱化工機(jī)械有限公司