專利名稱：節(jié)能型多晶硅還原爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多晶硅還原爐，主要是用三氯氫硅和氫氣在加熱的硅芯上 進行化學氣相沉積生產(chǎn)多晶硅的還原爐。
背景技術(shù)：
目前，國內(nèi)外生產(chǎn)多晶硅的主要工藝技術(shù)是"改良西門子法"用氯氣和氫 氣合成氯化氫，氯化氫和硅粉在一定溫度下合成三氯氫硅，然后對三氯氫硅進 行分離精餾提純，提純后的高純?nèi)葰涔枧c氫氣按比例混合后，在一定的溫度 和壓力下通入多晶硅還原爐內(nèi)，在通電高溫硅芯上進行沉積反應生成多晶硅， 反應溫度控制在1080攝氏度左右，最終生成棒狀多晶硅產(chǎn)品，同時生成四氯化 硅、二氯二氫硅、氯化氫等副產(chǎn)物。
多晶硅還原爐是"改良西門子法"生產(chǎn)多晶硅的主要設(shè)備，由底盤、含夾 套冷卻水的鐘罩式雙層爐體、電極、視鏡孔、混和氣進氣管、混和氣尾氣出氣 管、爐體冷卻水進水管、爐體冷卻水出水管、底盤冷卻水進水管、底盤冷卻水 出水管及其他附屬部件組成，爐體主體采用不銹鋼材質(zhì)，以減少設(shè)備材質(zhì)對產(chǎn) 品的污染。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是一種節(jié)能型多晶硅還原爐，主要通過在還原爐底盤上設(shè)置十三對 電極來降低能量消耗，提高單臺還原爐產(chǎn)品產(chǎn)量。
節(jié)能型多晶硅還原爐主要由底盤、含夾套冷卻水的鐘罩式雙層爐體、電極、 視鏡孔、混和氣進氣管、混和氣尾氣出氣管、爐體冷卻水進水管、爐體冷卻水 出水管、底盤冷卻水進水管、底盤冷卻水出水管及其他附屬部件組成，爐體主體采用不銹鋼材質(zhì)，以減少設(shè)備材質(zhì)對產(chǎn)品的污染，每對電極分正、負極均勻 的設(shè)置在底盤上，混和氣進氣管分為數(shù)個噴口設(shè)置在底盤上，其特征是在還原
爐底盤上分兩個圓周均勻布置13對電極，外周布置8對電極，內(nèi)周布置5對電 極。
該種設(shè)計使還原爐內(nèi)部結(jié)構(gòu)緊湊合理，內(nèi)外圈耗電功率接近，相比現(xiàn)有的 十二對電極的還原爐，生產(chǎn)多晶硅時在耗電相當?shù)那闆r下，每爐每次產(chǎn)量提高 約10%左右。
圖1為該節(jié)能型多晶硅還原爐主視圖 圖2為該節(jié)能型多晶硅還原爐底盤俯視圖具體實施方式
本發(fā)明涉及的節(jié)能型多晶硅還原爐主視圖如圖1所示，1為含夾套冷卻水 的鐘罩式雙層爐體，2為視鏡孔，3為底盤，4為底盤冷卻水進水管，5為底盤 冷卻水出水管，6為混和氣進氣管，7為進氣管噴口， 8為混和氣尾氣出氣管，9 為爐體冷卻水進水管，IO為爐體冷卻水出水管，ll為連接硅芯與電極的石墨夾 頭，12為電極，13為硅芯，14為夾套冷卻水導流板，進氣管噴口7噴出的三氯 氫硅和氫氣的混合氣在高溫通電硅芯13上進行化學氣相沉積反應，生成棒狀多 晶硅產(chǎn)品。
本發(fā)明涉及的節(jié)能型多晶硅還原爐底盤俯視圖如圖2所示，7為進氣管噴 口， 8為混和氣尾氣出氣管，12為電極，在還原爐底盤上分兩個圓周均勻布置 13對電極，外周布置8對電極，內(nèi)周布置5對電極。
權(quán)利要求1、節(jié)能型多晶硅還原爐主要由底盤、含夾套冷卻水的鐘罩式雙層爐體、電極、視鏡孔、混和氣進氣管、混和氣尾氣出氣管、爐體冷卻水進水管、爐體冷卻水出水管、底盤冷卻水進水管、底盤冷卻水出水管及其他附屬部件組成，爐體主體采用不銹鋼材質(zhì)，以減少設(shè)備材質(zhì)對產(chǎn)品的污染，每對電極分正、負極均勻的設(shè)置在底盤上，混和氣進氣管分為數(shù)個噴口設(shè)置在底盤上，其特征是在還原爐底盤上分兩個圓周均勻布置13對電極，外周布置8對電極，內(nèi)周布置5對電極。
專利摘要節(jié)能型多晶硅還原爐主要由底盤、含夾套冷卻水的鐘罩式雙層爐體、電極、視鏡孔、混和氣進氣管、混和氣尾氣出氣管、爐體冷卻水進水管、爐體冷卻水出水管、底盤冷卻水進水管、底盤冷卻水出水管及其他附屬部件組成，爐體主體采用不銹鋼材質(zhì)，以減少設(shè)備材質(zhì)對產(chǎn)品的污染，每對電極分正、負極均勻的設(shè)置在底盤上，混和氣進氣管分為數(shù)個噴口均勻設(shè)置在底盤上，其特征是在還原爐底盤上分兩個圓周均勻布置13對電極，外周布置8對電極，內(nèi)周布置5對電極，該種設(shè)計使還原爐內(nèi)部結(jié)構(gòu)緊湊合理，內(nèi)外圈耗電功率接近，相比現(xiàn)有的十二對電極的還原爐，生產(chǎn)多晶硅時在耗電相當?shù)那闆r下，每爐每次產(chǎn)量提高約10％左右。
文檔編號C01B33/00GK201162066SQ20082000691
公開日2008年12月10日 申請日期2008年2月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月2日
發(fā)明者鈞 嚴, 朱青松, 王存惠 申請人:江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司