專利名稱：：西門(mén)子法多晶硅尾氣處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種西門(mén)子法多晶硅尾氣處理方法。
背景技術(shù)：
：由于電子市場(chǎng)和太陽(yáng)能市場(chǎng)對(duì)多晶硅的大量需求，西門(mén)子法硅企業(yè)大量上馬，而污染問(wèn)題也相繼暴光，并且尾氣的治理已成為硅企業(yè)發(fā)展的瓶頸，為此解決西門(mén)子法多晶硅尾氣的治理問(wèn)題成了企業(yè)發(fā)展的重中之重。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種西門(mén)子法多晶硅尾氣處理方法，該方法工藝簡(jiǎn)單、成本低廉、設(shè)備投資少。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案是一種西門(mén)子法多晶硅尾氣處理方法，包括以下步驟(1)配料將四氯化硅與水按摩爾比0.50.8:12.4混勻；(2)反應(yīng)對(duì)混合物料進(jìn)行加熱回流，溫度為100150°C，回流時(shí)間為24小時(shí)；(3)分離反應(yīng)完畢后，將產(chǎn)生的固體產(chǎn)物與氣體產(chǎn)物和原料四氯化硅分離；(4)冷凝分離用冷凝法分離氣體產(chǎn)物和原料四氯化硅。步驟(1)中四氯化硅與水的摩爾比為1:2。步驟(2)中反應(yīng)條件為溫度100ll(TC，回流時(shí)間為22.5小時(shí)。步驟(3)中反應(yīng)條件為溫度在6(TC以上。步驟(4)中反應(yīng)條件為冷凝溫度為3050°C。本發(fā)明的工作原理利用四氯化硅與水之間的反應(yīng)，將四氯化硅無(wú)害化處理SiCl4+2H20=Si02+4HC1;生成的二氧化硅產(chǎn)物為固態(tài)，容易與其它成分進(jìn)行分離。再利用氯化氫與多余的四氯化硅原料的沸點(diǎn)相差較大，采用冷凝方式達(dá)到分離的目的。本發(fā)明具有的優(yōu)點(diǎn)處理速度快，處理量大，處理成本低，沒(méi)有二次污染。下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。圖1為本發(fā)明的流程框圖。具體實(shí)施例方式實(shí)施例l按如圖l所示的流程，取四氯化硅148g和水43g混合，103t:，回流反應(yīng)2小時(shí)，6(TC過(guò)濾、洗滌、干燥，即得到53g高純二氧化硅產(chǎn)品。尾氣在5(TC冷凝，水吸收得到33%鹽酸371g。實(shí)施實(shí)例2取四氯化硅158g，水30g混合，150°C，回流反應(yīng)3小時(shí)、7(TC過(guò)濾、洗滌、干燥，即得到58g高純二氧化硅產(chǎn)品。尾氣經(jīng)冷凝，水吸收得到30%鹽酸401g。實(shí)施實(shí)例3取四氯化硅188g，水48g混合，101°C，經(jīng)過(guò)回流反應(yīng)、85°C過(guò)濾、洗滌、干燥，即得到62g高純二氧化硅產(chǎn)品。尾氣經(jīng)冷凝，水吸收得到32%鹽酸483g。實(shí)施例4取四氯化硅88g，水11.8g混合，142t:，經(jīng)過(guò)回流反應(yīng)、95t:過(guò)濾、洗滌、干燥，即得到18g高純二氧化硅產(chǎn)品。尾氣經(jīng)冷凝，水吸收得到32%鹽酸38g。各實(shí)施實(shí)例高純二氧化硅檢測(cè)分析結(jié)果見(jiàn)附表1表1各實(shí)施實(shí)例高純二氧化硅檢測(cè)分析結(jié)果<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。權(quán)利要求一種西門(mén)子法多晶硅尾氣處理方法，包括以下步驟(1)配料將四氯化硅與水按摩爾比0.5～0.8∶1～2.4混勻；(2)反應(yīng)對(duì)混合物料進(jìn)行加熱回流，溫度為100～150℃，回流時(shí)間為2～4小時(shí)；(3)分離反應(yīng)完畢后，將產(chǎn)生的固體產(chǎn)物與氣體產(chǎn)物和原料四氯化硅分離；(4)冷凝分離用冷凝法分離氣體產(chǎn)物和原料四氯化硅。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的西門(mén)子法多晶硅尾氣處理方法，其特征在于步驟(1)中四氯化硅與水的摩爾比為1:2。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的西門(mén)子法多晶硅尾氣處理方法，其特征在于步驟(2)中反應(yīng)條件為溫度100ll(TC，回流時(shí)間為22.5小時(shí)。4.根據(jù)權(quán)利要求l所述的西門(mén)子法多晶硅尾氣處理方法，其特征在于步驟(3)中反應(yīng)條件為溫度在6(TC以上。5.根據(jù)權(quán)利要求l所述的西門(mén)子法多晶硅尾氣處理方法，其特征在于步驟(4)中反應(yīng)條件為冷凝溫度為3050°C。全文摘要本發(fā)明公開(kāi)了一種西門(mén)子法多晶硅尾氣處理方法，包括以下步驟(1)配料將四氯化硅與水按摩爾比0.5～0.8∶1～2.4混勻；(2)反應(yīng)對(duì)混合物料進(jìn)行加熱回流，溫度為100～150℃，回流時(shí)間為2～4小時(shí)；(3)分離反應(yīng)完畢后，將產(chǎn)生的固體產(chǎn)物與氣體產(chǎn)物和原料四氯化硅分離；(4)冷凝分離用冷凝法分離氣體產(chǎn)物和原料四氯化硅。本發(fā)明處理速度快，處理量大，處理成本低，沒(méi)有二次污染。文檔編號(hào)C01B33/03GK101745300SQ20081018354公開(kāi)日2010年6月23日申請(qǐng)日期2008年12月18日優(yōu)先權(quán)日2008年12月18日發(fā)明者侯振海,張軍,王宏達(dá)申請(qǐng)人:王宏達(dá)