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一種可移動(dòng)的SiC生長(zhǎng)坩堝平臺(tái)的制作方法

文檔序號(hào):54670閱讀:383來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:一種可移動(dòng)的SiC生長(zhǎng)坩堝平臺(tái)的制作方法
【專利摘要】本申請(qǐng)涉及SiC生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種可移動(dòng)的SiC生長(zhǎng)坩堝平臺(tái)。該裝置在石墨塊的底部設(shè)置軌道,在防治石墨塊的不銹鋼底座頂部設(shè)置軌道,使得兩處的軌道形成軌道副,所以石墨塊可以在不銹鋼底座上滑行,這為石墨塊的移動(dòng)極大地節(jié)省了人力。
【專利說(shuō)明】
一種可移動(dòng)的S i C生長(zhǎng)坩堝平臺(tái)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本申請(qǐng)涉及SiC生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種可移動(dòng)的SiC生長(zhǎng)坩禍平臺(tái)。
【背景技術(shù)】
[0002]人造SiC通常是在坩禍中進(jìn)行生產(chǎn)的,坩禍?zhǔn)峭ㄟ^(guò)石墨平臺(tái)進(jìn)行支撐的,石墨平臺(tái)起到均熱作用,在SiC生長(zhǎng)過(guò)程中,需要反復(fù)對(duì)坩禍進(jìn)行加熱和冷卻,而石墨平臺(tái)一般比較沉重,搬運(yùn)費(fèi)力,這給工作和生產(chǎn)帶來(lái)了極大不便。另外,石墨平臺(tái)也需要經(jīng)歷反復(fù)不斷的膨脹和收縮,石墨平臺(tái)的膨脹和收縮會(huì)導(dǎo)致坩禍的中心位置發(fā)生偏移,使得坩禍在使用過(guò)程中不穩(wěn)定,容易晃動(dòng),一旦坩禍在使用過(guò)程中發(fā)生晃動(dòng),極易導(dǎo)致坩禍內(nèi)的溫場(chǎng)不均勻,嚴(yán)重影響SiC的質(zhì)量。
[0003]基于上述問(wèn)題,設(shè)計(jì)發(fā)明一種可移動(dòng)的SiC生長(zhǎng)坩禍平臺(tái)就顯得尤為必要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷,本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N新型的SiC生長(zhǎng)坩禍平臺(tái),該裝置在石墨塊的底部設(shè)置軌道,在防治石墨塊的不銹鋼底座頂部設(shè)置軌道,使得兩處的軌道形成軌道副,所以石墨塊可以在不銹鋼底座上滑行,這為石墨塊的移動(dòng)極大地節(jié)省了人力。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本申請(qǐng)所采用的技術(shù)方案如下:
[0006]—種可移動(dòng)的SiC生長(zhǎng)坩禍平臺(tái),包括第一石墨平臺(tái)和第二石墨平臺(tái),所述的第一石墨平臺(tái)和第二石墨平臺(tái)相對(duì)的兩側(cè)通過(guò)兩個(gè)彈性鎖扣件連接在一起;所述的第一石墨平臺(tái)和第二石墨平臺(tái)放置在不銹鋼底座上,且不銹鋼底座的頂部和石墨塊的底部設(shè)有導(dǎo)軌;
[0007]所述的第一石墨平臺(tái)和第二石墨平臺(tái)相對(duì)的一側(cè),在每個(gè)平臺(tái)上分別設(shè)有半圓,兩半圓大小及相對(duì)位置為對(duì)應(yīng)的,兩個(gè)半圓內(nèi)側(cè)設(shè)置有加熱套,坩禍正好放置于該加熱套內(nèi)。
[0008]所述的不銹鋼底座的底部設(shè)置有四個(gè)萬(wàn)向輪;
[0009]加熱套的設(shè)置,使得坩禍?zhǔn)軣峋鶆颍?br>[0010]由于兩個(gè)石墨平臺(tái)通過(guò)彈性鎖扣件連接在一起,對(duì)石墨平臺(tái)起到了固定作用,石墨平臺(tái)受熱膨脹時(shí),會(huì)想著外側(cè)移動(dòng),而彈簧能緩沖這種壓力,避免了石墨平臺(tái)對(duì)坩禍的擠壓,避免了坩禍由于受壓過(guò)大而破碎;石墨塊的底部設(shè)置軌道,在防治石墨塊的不銹鋼底座頂部設(shè)置軌道,使得兩處的軌道形成軌道副,所以石墨塊可以在不銹鋼底座上滑行,這為石墨塊的移動(dòng)極大地節(jié)省了人力。
[0011]綜上所述,本申請(qǐng)?zhí)峁┑腟iC生長(zhǎng)坩禍,具有穩(wěn)定性好,使用方便等優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說(shuō)明】
一種可移動(dòng)的SiC生長(zhǎng)坩堝平臺(tái)的制作方法附圖
[0012]圖1為一種可移動(dòng)的SiC生長(zhǎng)坩禍平臺(tái)主視示意圖;
[0013]圖2為一種可移動(dòng)的SiC生長(zhǎng)坩禍平臺(tái)俯視示意圖;
[0014]附圖標(biāo)記
[0015]圖中I為第一石墨平臺(tái),2為彈性鎖扣件,3為第二石墨平臺(tái),4為導(dǎo)軌,5為不銹鋼底座,7為i甘禍,8為加熱套。
具體實(shí)施例
[0016]實(shí)施例1
[0017]—種可移動(dòng)的SiC生長(zhǎng)坩禍平臺(tái),包括第一石墨平臺(tái)I和第二石墨平臺(tái)3,所述的第一石墨平臺(tái)I和第二石墨平臺(tái)3相對(duì)的兩側(cè)通過(guò)兩個(gè)彈性鎖扣件2連接在一起;所述的第一石墨平臺(tái)I和第二石墨平臺(tái)3放置在不銹鋼底座5上,且不銹鋼底座5的頂部和石墨塊的底部設(shè)有導(dǎo)軌4;
[0018]所述的第一石墨平臺(tái)I和第二石墨平臺(tái)3相對(duì)的一側(cè),在每個(gè)平臺(tái)上分別設(shè)有半圓,兩半圓大小及相對(duì)位置為對(duì)應(yīng)的,兩個(gè)半圓內(nèi)側(cè)設(shè)置有加熱套8,坩禍7正好放置于該加熱套內(nèi)。
[0019]所述的不銹鋼底座的底部設(shè)置有四個(gè)萬(wàn)向輪6;
[0020]加熱套的設(shè)置,使得坩禍?zhǔn)軣峋鶆颍?br>[0021]由于兩個(gè)石墨平臺(tái)通過(guò)彈性鎖扣件連接在一起,對(duì)石墨平臺(tái)起到了固定作用,石墨平臺(tái)受熱膨脹時(shí),會(huì)想著外側(cè)移動(dòng),而彈簧能緩沖這種壓力,避免了石墨平臺(tái)對(duì)坩禍的擠壓,避免了坩禍由于受壓過(guò)大而破碎;石墨塊的底部設(shè)置軌道,在防治石墨塊的不銹鋼底座頂部設(shè)置軌道,使得兩處的軌道形成軌道副,所以石墨塊可以在不銹鋼底座上滑行,這為石墨塊的移動(dòng)極大地節(jié)省了人力。
[0022]綜上所述,本申請(qǐng)?zhí)峁┑腟iC生長(zhǎng)坩禍,具有穩(wěn)定性好,使用方便等優(yōu)點(diǎn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種可移動(dòng)的SiC生長(zhǎng)坩禍平臺(tái),其特征在于,包括第一石墨平臺(tái)(I)和第二石墨平臺(tái)(3),所述的第一石墨平臺(tái)(I)和第二石墨平臺(tái)(3)相對(duì)的兩側(cè)通過(guò)兩個(gè)彈性鎖扣件(2)連接在一起;所述的第一石墨平臺(tái)(I)和第二石墨平臺(tái)(3)放置在不銹鋼底座(5)上,且不銹鋼底座(6)的頂部和石墨塊的底部設(shè)有導(dǎo)軌(4)。2.如權(quán)利要求1所述的可移動(dòng)的SiC生長(zhǎng)坩禍平臺(tái),其特征在于,所述的第一石墨平臺(tái)(I)和第二石墨平臺(tái)(3)相對(duì)的一側(cè),在每個(gè)平臺(tái)上分別設(shè)有半圓,兩半圓大小及相對(duì)位置為對(duì)應(yīng)的,兩個(gè)半圓內(nèi)側(cè)設(shè)置有加熱套(8),坩禍(7)正好放置于該加熱套內(nèi)。3.如權(quán)利要求1所述的可移動(dòng)的SiC生長(zhǎng)坩禍平臺(tái),其特征在于,所述的不銹鋼底座的底部設(shè)置有四個(gè)萬(wàn)向輪(6)。
【文檔編號(hào)】C30B23/00GK205711035SQ201620384192
【公開日】2016年11月23日
【申請(qǐng)日】2016年4月29日
【發(fā)明人】宗艷民
【申請(qǐng)人】山東天岳晶體材料有限公司
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