技術(shù)編號：54670
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。專利摘要本申請涉及SiC生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種可移動的SiC生長坩堝平臺。該裝置在石墨塊的底部設(shè)置軌道，在防治石墨塊的不銹鋼底座頂部設(shè)置軌道，使得兩處的軌道形成軌道副，所以石墨塊可以在不銹鋼底座上滑行，這為石墨塊的移動極大地節(jié)省了人力。專利說明一種可移動的S i C生長坩堝平臺技術(shù)領(lǐng)域[0001]本申請涉及SiC生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種可移動的SiC生長坩禍平臺。背景技術(shù)[0002]人造SiC通常是在坩禍中進行生產(chǎn)的，坩禍是通過石墨平臺進行支撐的，石墨平臺起到均熱作用，在SiC生長過程中，需要反復(fù)對坩禍進行加熱和...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。