微波脈沖等離子體真空鍍膜裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及微波脈沖等離子體真空鍍膜裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]微波脈沖等離子體真空鍍膜裝置是一種對(duì)工件表面進(jìn)行鍍膜的裝置，一般包括機(jī)座、真空管道及密封微波罩，所述機(jī)座內(nèi)設(shè)置有一真空腔，所述真空腔的底部通過一抽氣口與真空管道連通，頂部設(shè)置多個(gè)開口，并通過開口與密封玻璃罩連通，所述開口與密封微波罩一一對(duì)應(yīng)，所述密封微波罩內(nèi)設(shè)置有工件固定夾，用于將待鍍膜工件固定在密封微波罩內(nèi)，所述真空管道為一直通管道，所述真空管道還與真空泵連通。鍍膜前，需通過工件固定夾將待鍍膜工件固定在密封微波罩內(nèi)，然后通過真空泵將機(jī)座的真空腔內(nèi)空氣抽走，進(jìn)而抽走密封微波罩內(nèi)的空氣，使密封微波罩內(nèi)也形成真空環(huán)境，最后通過微波脈沖對(duì)工件進(jìn)行鍍膜。
[0003]目前，微波脈沖等離子體真空鍍膜裝置的真空腔為長(zhǎng)方體裝，長(zhǎng)度一般在450mm-900mm之間，密封微波罩沿真空腔的長(zhǎng)度方向均勻設(shè)置在機(jī)座頂部。但是由于真空腔的底部只設(shè)有一抽氣口，該抽氣口與各密封微波罩之間的距離不同，導(dǎo)致各密封微波罩之間的真空度不一致，甚至同一密封微波罩內(nèi)的真空度也存在差異，影響工件成膜的厚度的均勻性和一致性，進(jìn)而影響工件鍍膜的質(zhì)量。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足和缺陷，提供一種微波脈沖等離子體真空鍍膜裝置，提高工件鍍膜的均勻性。
[0005]本實(shí)用新型的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的:微波脈沖等離子體真空鍍膜裝置，包括:一設(shè)置有第一真空腔和第二真空腔的機(jī)座、一“Y”形真空管道及兩個(gè)以上的密封微波罩，所述第一真空腔和第二真空腔的底部分別設(shè)置第一抽氣口和第二抽氣口，真空管道的第一上端接口和第二上端接口分別與第一抽氣口和第二抽氣口連接，真空管道的下端接口接真空泵，所述密封微波罩設(shè)置在機(jī)座頂面，并分別與第一真空腔或第二真空腔連通。
[0006]作為優(yōu)選，各密封微波罩與其對(duì)應(yīng)連通的真空腔的抽氣口的距離均相等。
[0007]作為優(yōu)選，所述第一真空腔和第二真空腔相互獨(dú)立。
[0008]作為優(yōu)選，所述第一抽氣口和第二抽氣口均為倒梯形狀，一方面使各真空腔的抽氣速度一致，另一方面平滑空氣排出的路徑，避免真空腔內(nèi)和密封微波罩內(nèi)空氣產(chǎn)生紊流，提高真空腔內(nèi)和密封微波罩內(nèi)空氣排出的速度和效率。
[0009]作為優(yōu)選，所述真空管道包括第一上端管道、第二上端管道和下端管道，第一上端管道的上接口與第一抽氣口連接，下接口與下端管道的上接口連接；第二上端管道的上接口與第二抽氣口連接，下接口與下端管道的上接口連接；下端管道的下接口與真空泵連接；所述第一上端管道與第二上端管道均為凹弧狀，進(jìn)一步平滑空氣流出的路徑，進(jìn)一步避免真空腔內(nèi)和密封微波罩內(nèi)空氣產(chǎn)生紊流，從而提高真空腔內(nèi)和密封微波罩內(nèi)空氣排出的速度和效率。
[0010]作為優(yōu)選，所述第一上端管道和第二上端管道是一體結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)化真空管道的結(jié)構(gòu)。
[0011]作為優(yōu)選，所述第一上端管道和第二上端管道直徑相等、長(zhǎng)度相等，進(jìn)一步確保各真空腔內(nèi)和各密封微波罩內(nèi)的真空度的一致性。
[0012]作為優(yōu)選，所述密封微波罩的個(gè)數(shù)為8個(gè)，且以兩排四列方式等間距設(shè)置在機(jī)座頂面，所述第一真空腔和第二真空腔分別與4個(gè)密封微波罩連通。
[0013]本實(shí)用新型相比現(xiàn)有技術(shù)包括以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果:
[0014]本實(shí)用新型通過在機(jī)座內(nèi)設(shè)置第一真空腔和第二真空腔并分別在第一真空腔和第二真空腔的底部分別設(shè)置第一抽氣口和第二抽氣口，提高各密封微波罩之間真空度的一致性和單一密封微波罩內(nèi)真空度的均勻性，從而確保工件的膜層的均勻性，此外，通過設(shè)置“Y”形真空管道，真空管道的第一上端接口和第二上端接口分別與第一抽氣口和第二抽氣口連接，簡(jiǎn)化該鍍膜裝置的結(jié)構(gòu)，節(jié)約成本，且節(jié)約空間。
【附圖說明】
[0015]圖1為實(shí)施例中微波脈沖等離子體真空鍍膜裝置的剖視圖；
[0016]圖2為實(shí)施例中微波脈沖等離子體真空鍍膜裝置的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面結(jié)合實(shí)施例及附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的描述，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式不限于此。
[0018]實(shí)施例
[0019]如圖1、圖2所示，微波脈沖等離子體真空鍍膜裝置，包括:一設(shè)置有相互獨(dú)立的第一真空腔101和第二真空腔102的機(jī)座1、一 “Y”形真空管道2及兩個(gè)以上密封微波罩3。所述第一真空腔和第二真空腔的底部分別設(shè)置第一抽氣口 1011和第二抽氣口 1021，真空管道的第一上端接口 2011和第二上端接口 2021分別與第一抽氣口和第二抽氣口連接，真空管道的下端接口 2031接真空泵(圖中未示出)，所述密封微波罩設(shè)置在機(jī)座頂面，并分別與第一真空腔或第二真空腔連通。所述第一抽氣口和第二抽氣口分別設(shè)置在第一真空腔底部中心位置和第二真空腔底部中心位置。在本實(shí)施例中，所述密封微波罩的個(gè)數(shù)為8個(gè)，且以兩排四列方式等間距設(shè)置在機(jī)座頂面，所述第一真空腔和第二真空腔分別與4個(gè)密封微波罩連通。各密封微波罩與其對(duì)應(yīng)連通的真空腔的抽氣口的距離均相等。該鍍膜裝置的密封微波罩、真空腔、真空管道及真空泵依次連通，形成一真空抽氣通道。
[0020]所述密封微波脈沖罩內(nèi)設(shè)置有用于固定待鍍膜工件4的工件固定夾5。鍍膜前，需通過工件固定夾將待鍍膜工件固定在密封微波罩內(nèi)，然后通過真空泵將機(jī)座的真空腔內(nèi)空氣抽走，進(jìn)而抽走密封微波罩內(nèi)的空氣，使密封微波罩內(nèi)也形成真空環(huán)境，最后通過微波脈沖對(duì)工件進(jìn)行鍍膜。在本實(shí)施例中通過設(shè)置有第一真空腔和第二真空腔，第一真空腔和第二真空腔的底部分別設(shè)置第一抽氣口和第二抽氣口，提高各密封微波罩之間真空度的一致性和單一密封微波罩內(nèi)真空度的均勻性，從而確保工件的膜層的均勻性。此外，本實(shí)施例中通過設(shè)置“Y”形真空管道，真空管道的第一上端接口和第二上端接口分別與第一抽氣口和第二抽氣口連接，簡(jiǎn)化該鍍膜裝置的結(jié)構(gòu)，節(jié)約成本，且節(jié)約空間。[0021 ] 本實(shí)施例中，所述第一抽氣口和第二抽氣口均為倒梯形狀，平滑空氣排出的路徑，避免真空腔內(nèi)和密封微波罩內(nèi)空氣產(chǎn)生紊流，提高真空腔內(nèi)和密封微波罩內(nèi)空氣排出的速度和效率。
[0022]具體地，所述真空管道包括第一上端管道201、第二上端管道202和下端管道203，第一上端管道的上接口與第一抽氣口連接，下接口與下端管道的上接口連接；第二上端管道的上接口與第二抽氣口連接，下接口與下端管道的上接口連接；下端管道的下接口與真空泵連接。所述第一上端管道的上接口為真空管道的第一上端接口，第二上端管道的上接口為真空管道的第二上端接口，下端管道的下接口為真空管道的下端接口。所述第一上端管道與第二上端管道均為凹弧狀。進(jìn)一步平滑空氣流出的路徑，進(jìn)一步避免真空腔內(nèi)和密封微波罩內(nèi)空氣產(chǎn)生紊流，從而提高真空腔內(nèi)和密封微波罩內(nèi)空氣排出的速度和效率。
[0023]在本實(shí)施例中，所述第一上端管道和第二上端管道是一體結(jié)構(gòu)，具體為一半圓形管道，管道中部開設(shè)一開口作為第一上端管道和第二上端管道的公共下接口，半圓形管道的兩端開口分別為第一上端管道的上接口和第二上端管道的上接口，使第一上端管道和第二上端管道直徑相等、長(zhǎng)度相等。采用一體化設(shè)計(jì)，簡(jiǎn)化真空管道的結(jié)構(gòu)，節(jié)約成本和空間，同時(shí)進(jìn)一步確保各真空腔內(nèi)和各密封微波罩內(nèi)的真空度的一致性。
[0024]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.微波脈沖等離子體真空鍍膜裝置，其特征在于，包括:一設(shè)置有第一真空腔(101)和第二真空腔(102)的機(jī)座(I)、一“Y”形真空管道(2)及兩個(gè)以上的密封微波罩(3)，所述第一真空腔和第二真空腔的底部分別設(shè)置第一抽氣口(1011)和第二抽氣口(1021)，真空管道的第一上端接口(2011)和第二上端接口(2021)分別與第一抽氣口和第二抽氣口連接，真空管道的下端接口(2031)接真空泵，所述密封微波罩設(shè)置在機(jī)座頂面，并分別與第一真空腔或第二真空腔連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波脈沖等離子體真空鍍膜裝置，其特征在于:各密封微波罩與其對(duì)應(yīng)連通的真空腔的抽氣口的距離均相等。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波脈沖等離子體真空鍍膜裝置，其特征在于:所述第一真空腔和第二真空腔相互獨(dú)立。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波脈沖等離子體真空鍍膜裝置，其特征在于:所述第一抽氣口和第二抽氣口均為倒梯形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波脈沖等離子體真空鍍膜裝置，其特征在于:所述真空管道包括第一上端管道(201)、第二上端管道(202)和下端管道(203)，第一上端管道的上接口與第一抽氣口連接，下接口與下端管道的上接口連接；第二上端管道的上接口與第二抽氣口連接，下接口與下端管道的上接口連接；下端管道的下接口與真空泵連接；所述第一上端管道與第二上端管道均為凹弧狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微波脈沖等離子體真空鍍膜裝置，其特征在于:所述第一上端管道和第二上端管道是一體結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微波脈沖等離子體真空鍍膜裝置，其特征在于:所述第一上端管道和第二上端管道直徑相等、長(zhǎng)度相等。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的微波脈沖等離子體真空鍍膜裝置，其特征在于:所述密封微波罩的個(gè)數(shù)為8個(gè)，且以兩排四列方式等間距設(shè)置在機(jī)座頂面，所述第一真空腔和第二真空腔分別與4個(gè)密封微波罩連通。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及微波脈沖等離子體真空鍍膜裝置，包括：一設(shè)置有第一真空腔和第二真空腔的機(jī)座、一“Y”形真空管道及兩個(gè)以上的密封微波罩，所述第一真空腔和第二真空腔的底部分別設(shè)置第一抽氣口和第二抽氣口，真空管道的第一上端接口和第二上端接口分別與第一抽氣口和第二抽氣口連接，真空管道的下端接口接真空泵，所述密封微波罩設(shè)置在機(jī)座頂面，并分別與第一真空腔或第二真空腔連通。提高各密封微波罩之間真空度的一致性和單一密封微波罩內(nèi)真空度的均勻性，從而確保工件的膜層的均勻性，簡(jiǎn)化該鍍膜裝置的結(jié)構(gòu)，節(jié)約成本，且節(jié)約空間。
【IPC分類】C23C14-28
【公開號(hào)】CN204298452
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420640302
【發(fā)明人】高忠義
【申請(qǐng)人】惠州歐博萊光電技術(shù)有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2014年10月29日