一種真空離子鍍膜設備的新型磁場結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種磁場結(jié)構(gòu)，具體為一種真空離子鍍膜設備的新型磁場結(jié)構(gòu)，屬于真空設備技術領域。
【背景技術】
[0002]如今，真空鍍膜在機械、電子、能源、信息等領域已經(jīng)得到廣泛應用。而在真空鍍膜領域中，電弧離子鍍膜技術近些年得到迅速發(fā)展，在這個方面，磁場的設計對離子鍍的成膜質(zhì)量具有極大的影響作用，現(xiàn)有技術中，真空離子鍍膜設備的磁場一般單獨使用電磁線圈或者永磁體在靶材表面產(chǎn)生磁場，磁場的形式較為單一，對靶材表面的燒蝕控制比較簡單，不能達到一個最佳狀態(tài)，制約了靶材的燒蝕效率和成膜質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型的目的在于提供一種真空離子鍍膜設備的新型磁場結(jié)構(gòu)，采用電磁線圈和永磁體或碳素鋼共同對弧靶表面磁場產(chǎn)生作用，以解決上述【背景技術】中提出的問題。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術方案:一種真空離子鍍膜設備的新型磁場結(jié)構(gòu)，包括靶座、磁鐵座和內(nèi)設的冷卻裝置，所述靶座頂端設有用于容納固定靶材的靶材凹槽，靶材兩端均設有突出輔助陽極，靶材底部安裝于陰極體凹槽內(nèi)；所述陰極體與鋁板之間設有永磁體，且永磁體緊貼于鋁板頂部表面；靶座底部通過螺紋與支架旋接；所述鋁板下方設置一帶有線圈護罩并由線圈骨架支撐的電磁線圈；靶座底部通過螺紋與支架旋接；所述冷卻裝置為固定與弧離子鍍膜裝置中心的水道。
[0005]進一步的，永磁體安裝在背部設置有鋁板的磁鐵座上。
[0006]進一步的，安裝在背部設置有鋁板的磁鐵座上的為永磁體或碳素鋼，所述的碳素鋼靠近靶材一側(cè)表面為圓弧形且碳素鋼中心設置有配合固定中心水道的螺孔。
[0007]進一步的，所述電磁線圈為一重線圈或三重線圈。
[0008]與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的有益效果是:該種真空離子鍍膜設備的新型磁場結(jié)構(gòu)設置了電磁線圈和永磁體或碳素鋼共同對弧靶表面磁場產(chǎn)生作用，調(diào)整極為方便，產(chǎn)生的磁場形狀較好，可以有效提高靶材燒蝕效率，改善成膜質(zhì)量。
【附圖說明】
[0009]附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本實用新型的實施例一起用于解釋本實用新型，并不構(gòu)成對本實用新型的限制。
[0010]附圖中:
[0011]圖1為本實用新型所述一種真空離子鍍膜設備的新型磁場結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖2為本實用新型所述一種真空離子鍍膜設備的新型磁場結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖3為本實用新型所述一種真空離子鍍膜設備的新型磁場結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖中:1、靶材；2、輔助陽極；3、陰極體；4、永磁體；5、磁鐵座；6、鋁板；7、電磁線圈；8、線圈骨架；9、線圈護罩；10、靶座；11、支架；12碳素鋼。
【具體實施方式】
[0015]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例，基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0016]請參閱圖1-3，本實用新型提供一種技術方案:一種真空離子鍍膜設備的新型磁場結(jié)構(gòu)，包括靶座10、磁鐵座5和內(nèi)設的冷卻裝置，所述靶座10頂端設有用于容納固定靶材I的靶材I凹槽，靶材I兩端均設有突出輔助陽極2，靶材I底部安裝于陰極體3凹槽內(nèi)；所述陰極體3與鋁板6之間設有永磁體4，且永磁體4緊貼于鋁板6頂部表面；靶座10底部通過螺紋與支架11旋接；所述鋁板6下方設置一帶有線圈護罩9并由線圈骨架8支撐的電磁線圈7 ;靶座10底部通過螺紋與支架11旋接；所述冷卻裝置為固定與弧離子鍍膜裝置中心的水道。
[0017]永磁體4安裝在背部設置有銷板6的磁鐵座5上；安裝在背部設置有銷板6的磁鐵座5上的為永磁體4或碳素鋼12，所述的碳素鋼12靠近靶材一側(cè)表面為圓弧形且碳素鋼12中心設置有配合固定中心水道的螺孔；所述電磁線圈7為一重線圈或三重線圈。
[0018]具體原理:其中垂直磁場影響靶面弧斑的運動區(qū)域，而弧斑的運動范圍直接影響靶材I的燒蝕效率，通過調(diào)整垂直磁場的大小與分布，從而對弧斑的運動狀態(tài)施加影響，可以有效提高靶材I的燒蝕效率；水平磁場則直接影響靶面弧斑運動的快慢，靶面弧斑運動的越快，從靶面飛濺出的液滴與大顆粒越少，從而成膜質(zhì)量越好其中永磁體4也可以替換成碳素鋼12，碳素鋼12可以與電磁線圈7構(gòu)成極靴，從而改變磁場線的分布。該碳素鋼12靠近革El材I 一側(cè)可以將表面改變?yōu)閳A弧形，從而可以有效改變弧革G表面磁場的分布，尤其對于水平磁場的增強尤其明顯，對于成膜質(zhì)量提高較為明顯。該碳素鋼12中心有螺紋，以配合固定在中心水道，以保證碳素鋼12相對于靶材表面是平行的。電磁線圈7也可以改變成為多重線圈，其位置不變，在此多弧靶采用三組線圈結(jié)構(gòu)，其三組線圈的電流可以進行單獨控制，通過三組線圈的電流調(diào)節(jié)，可以改變弧靶表面垂直磁場的大小與分布，進而改變護板的運動范圍，可以大幅度提高靶材I的燒蝕效率。該矩形平面多弧靶還包括以一線圈護罩，該護罩圍設于最外層電磁線圈外并與該組電磁線圈形成極靴。該線圈護罩9圍設于最外層電磁線圈7外并位于靶材I和碳素鋼12下方。極靴是電磁體、永磁體4和電機磁極的一種結(jié)構(gòu)，在通過采用兩個結(jié)構(gòu)相同的磁路在磁極端面形成極靴，通過這樣的設置能夠獲得較好線性分布的磁場、并屏蔽多余的磁場。該圓形平面多弧靶還包括一線圈骨架8，該電磁線圈骨架8設于該靶座10下方并位于該線圈護罩9內(nèi)側(cè)，與該線圈護罩9形成用于容納改組電磁線圈7的空間，該空間的形狀與改組電磁線圈7的形狀相適配
[0019]本實用新型為一種真空離子鍍膜設備的新型磁場結(jié)構(gòu)設置了電磁線圈7和永磁體4或碳素鋼12共同對弧靶表面磁場產(chǎn)生作用，調(diào)整極為方便，產(chǎn)生的磁場形狀較好，可以有效提高靶材I燒蝕效率，改善成膜質(zhì)量。
[0020]最后應說明的是:以上所述僅為本實用新型的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本實用新型，盡管參照前述實施例對本實用新型進行了詳細的說明，對于本領域的技術人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種真空離子鍍膜設備的新型磁場結(jié)構(gòu)，包括靶座(10)、磁鐵座(5)和內(nèi)設的冷卻裝置，其特征在于:所述靶座(10)頂端設有用于容納固定靶材(I)的靶材(I)凹槽，靶材(I)兩端均設有突出輔助陽極(2)，靶材(I)底部安裝于陰極體(3)凹槽內(nèi)；所述陰極體(3)與鋁板(6)之間設有永磁體(4)，且永磁體(4)緊貼于鋁板(6)頂部表面；靶座(10)底部通過螺紋與支架(11)旋接；所述鋁板(6)下方設置一帶有線圈護罩(9)并由線圈骨架(8)支撐的電磁線圈(7);靶座(10)底部通過螺紋與支架(11)旋接；所述冷卻裝置為固定與弧離子鍍膜裝置中心的水道。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空離子鍍膜設備的新型磁場結(jié)構(gòu)，其特征在于:永磁體(4)安裝在背部設置有鋁板(6)的磁鐵座(5)上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空離子鍍膜設備的新型磁場結(jié)構(gòu)，其特征在于:安裝在背部設置有鋁板(6)的磁鐵座(5)上的為永磁體(4)或碳素鋼(12)，所述的碳素鋼(12)靠近靶材一側(cè)表面為圓弧形且碳素鋼(12)中心設置有配合固定中心水道的螺孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空離子鍍膜設備的新型磁場結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述電磁線圈(7)為一重線圈或三重線圈。
【專利摘要】本實用新型公開了一種真空離子鍍膜設備的新型磁場結(jié)構(gòu)，包括靶座、磁鐵座和內(nèi)設的冷卻裝置，所述靶座頂端設有用于容納固定靶材的靶材凹槽，靶材兩端均設有突出輔助陽極，靶材底部安裝于陰極體凹槽內(nèi)；所述陰極體與鋁板之間設有永磁體，且永磁體緊貼于鋁板頂部表面；靶座底部通過螺紋與支架旋接；所述鋁板下方設置一帶有線圈護罩并由線圈骨架支撐的電磁線圈；靶座底部通過螺紋與支架旋接；所述冷卻裝置為固定與弧離子鍍膜裝置中心的水道，其中設置了電磁線圈和永磁體或碳素鋼共同對弧靶表面磁場產(chǎn)生作用，調(diào)整極為方便，產(chǎn)生的磁場形狀較好，可以有效提高靶材燒蝕效率，改善成膜質(zhì)量。
【IPC分類】C23C14-32
【公開號】CN204281846
【申請?zhí)枴緾N201420755162
【發(fā)明人】劉野, 張緒躍, 劉曉華
【申請人】大連維鈦克科技股份有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2014年12月5日