一種酞菁氧鈦納米片及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于納米材料技術(shù)領(lǐng)域，具體設(shè)及一種獻(xiàn)菁氧鐵納米片及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 獻(xiàn)菁化合物是一類使用廣泛的有機(jī)光導(dǎo)材料。在諸多的獻(xiàn)菁化合物中，獻(xiàn)菁氧鐵 W其出眾的光電性能受到人們的青睞。獻(xiàn)菁氧鐵具有低毒、熱穩(wěn)定性好、光穩(wěn)定性好和載流 子產(chǎn)生效率高等優(yōu)點(diǎn)。
[0003] 獻(xiàn)菁氧鐵是一種重要的電荷產(chǎn)生材料，被廣泛地應(yīng)用于靜電打印/復(fù)印，光伏器件 W及有機(jī)光導(dǎo)體等領(lǐng)域中。納米獻(xiàn)菁氧鐵的形貌和尺寸，對(duì)它的光電性能有很大的影響。已 經(jīng)有報(bào)道獻(xiàn)菁氧鐵納米顆粒的合成方法，但其方法較為復(fù)雜，產(chǎn)物純度不高，粒徑不可控， 且對(duì)環(huán)境有一定危害。目前還未有制備獻(xiàn)菁氧鐵納米片的相關(guān)報(bào)道。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的第一目的在于提供一種獻(xiàn)菁氧鐵納米片;本發(fā)明的第二目的在于提供一 種獻(xiàn)菁氧鐵納米片制備方法。
[000引本發(fā)明的第一目的是運(yùn)樣實(shí)現(xiàn)的:所述的獻(xiàn)菁氧鐵納米片為新形貌，呈片狀，大小 均勻，其直徑400-700nm，厚度為1-lOnm。
[0006] 本發(fā)明的第二目的是運(yùn)樣實(shí)現(xiàn)的:所述的獻(xiàn)菁氧鐵納米片制備方法采用有機(jī)氣相 沉積法，包括W下步驟： a) 將獻(xiàn)菁氧鐵原材料均勻地放置在爐中的加熱區(qū)域； b) 通入載氣，加熱獻(xiàn)菁氧鐵原材料至410°C-440°C，使獻(xiàn)菁氧鐵升華； C)通入的載氣將升華的獻(xiàn)菁氧鐵運(yùn)輸至生長(zhǎng)區(qū)域，所述的生長(zhǎng)區(qū)域的溫度低于加熱 區(qū)域溫度； d)在生長(zhǎng)區(qū)域，得到獻(xiàn)菁氧鐵納米片。
[0007] 有益效果:本發(fā)明制備了一種新形貌的獻(xiàn)菁氧鐵納米片。本發(fā)明提供的獻(xiàn)菁氧鐵 制備方法:氣相沉積法，產(chǎn)物純度較高，粒徑可控，一般在幾十納米到幾微米，方法簡(jiǎn)單，對(duì) 環(huán)境友好，是制備單晶較好的方法。在制備過程中主要影響產(chǎn)物的因素包括溫度梯度、沉積 時(shí)間、載氣流速、真空度、襯底溫度等。生長(zhǎng)的晶體大多數(shù)為一維柱狀或二維片狀，具體外形 依賴于分子間的弱相互作用及其協(xié)同效應(yīng)為基礎(chǔ)的堆疊方式。
【附圖說明】
[0008] 圖1:本發(fā)明的獻(xiàn)菁氧鐵納米片的沈M( 1)圖； 圖2:本發(fā)明的獻(xiàn)菁氧鐵納米片的SEM( 2 )圖； 圖3:本發(fā)明的獻(xiàn)菁氧鐵納米片的SEM( 3 )圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009] 下面結(jié)合實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說明，但不W任何方式對(duì)本發(fā)明加 W 限制，基于本發(fā)明教導(dǎo)所作的任何變換或替換，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0010] 下述實(shí)施例中所使用的實(shí)驗(yàn)方法如無特殊說明，均為常規(guī)方法。下述實(shí)施例中所 用的材料、試劑等，如無特殊說明，均可從商業(yè)途徑得到。
[0011] 本發(fā)明所述的獻(xiàn)菁氧鐵納米片為新形貌，呈片狀，大小均勻，其直徑400-700nm，厚 度為 1-lOnm。
[0012] 所述的獻(xiàn)菁氧鐵納米片的直徑為400-500nm，厚度為l-5nm。
[0013] 所述的獻(xiàn)菁氧鐵納米片的制備方法為有機(jī)氣相沉積法。
[0014] 所述的有機(jī)氣相沉積法的制備步驟為:a)放入獻(xiàn)菁氧鐵原料至爐中的加熱區(qū)域； b)在載氣氛圍下，加熱獻(xiàn)菁氧鐵原料至410-440°C，使獻(xiàn)菁氧鐵升華;C)通過該載氣，引導(dǎo) 該升華的獻(xiàn)菁氧鐵離開該加熱區(qū)域，至生長(zhǎng)區(qū)域，所述生長(zhǎng)區(qū)域的溫度低于所述加熱區(qū)域 的溫度;d)在生長(zhǎng)區(qū)域，得到獻(xiàn)菁氧鐵納米片。
[0015] 獻(xiàn)菁氧鐵分子結(jié)構(gòu)如下所示：
實(shí)施例1: 按實(shí)驗(yàn)步驟依次清洗石英管及襯底，并安裝好實(shí)驗(yàn)設(shè)備，通入氮?dú)?0分鐘后，開始加熱 至390°C，然后再Wl-8°C/min的速度階梯升溫至目標(biāo)溫度440°C并保溫ISOmin。氮?dú)鈱⑸A 后的獻(xiàn)菁氧鐵從加熱區(qū)域運(yùn)輸至生長(zhǎng)區(qū)域，該生長(zhǎng)區(qū)域的溫度接近室溫。保溫完成后停止 加熱，持續(xù)通氣30min，獻(xiàn)菁氧鐵納米材料的制備結(jié)束。
[0016] 所述的獻(xiàn)菁氧鐵納米片呈片狀，大小均勻，其直徑約為400-700nm，厚度為1-lOnm。
[0017] 實(shí)施例2: 在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上，改變實(shí)驗(yàn)條件：目標(biāo)溫度設(shè)為420°C，W8-15°C/min的速度升溫 至目標(biāo)溫度，并保溫300min。在生長(zhǎng)區(qū)域得到獻(xiàn)菁氧鐵納米片。
[0018] 所述的獻(xiàn)菁氧鐵納米片呈片狀，大小均勻，其直徑約為400-500nm，厚度為l-5nm。
[0019] 實(shí)施例3: 在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上，改變實(shí)驗(yàn)條件：目標(biāo)溫度設(shè)為410°C，Wl-8°C/min的速度升溫至 目標(biāo)溫度，并保溫300min。在生長(zhǎng)區(qū)域得到獻(xiàn)菁氧鐵納米片。
[0020] 所述的獻(xiàn)菁氧鐵納米片呈片狀，大小均勻，其直徑約為500-700nm，厚度為1-lOnm。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種酞菁氧鈦納米片，其特征在于所述的酞菁氧鈦納米片的直徑為400-700nm，厚度 為1-lOnm。2. 如權(quán)利要求1所述的酞菁氧鈦納米片，其特征在于所述的酞菁氧鈦納米片的直徑為 400_500nm，厚度為 l_5nm。3. -種如權(quán)利要求1所述的酞菁氧鈦納米片的制備方法，其特征在于所述酞菁氧鈦納 米片的制備方法為有機(jī)氣相沉積法。4. 如權(quán)利要求3所述的酞菁氧鈦納米片的制備方法，其特征在于所述有機(jī)氣相沉積法 的制備步驟為： a) 放入酞菁氧鈦原料至爐中的加熱區(qū)域； b) 在載氣氛圍下，加熱酞菁氧鈦原料至410-440°C，使酞菁氧鈦升華； c) 通過該載氣，引導(dǎo)該升華的酞菁氧鈦離開該加熱區(qū)域，至生長(zhǎng)區(qū)域，所述生長(zhǎng)區(qū)域 的溫度低于所述加熱區(qū)域的溫度； d) 在生長(zhǎng)區(qū)域，得到酞菁氧鈦納米片。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種酞菁氧鈦納米片及其制備方法，所述的酞菁氧鈦納米片呈大小均勻的片狀，其直徑約為400-700nm，厚度為1-10nm。所述的酞菁氧鈦納米片制備方法采用有機(jī)氣相沉積法，包括以下步驟：a)放入酞菁氧鈦原料至爐中的加熱區(qū)域；b)在載氣氛圍下，加熱酞菁氧鈦原料至410-440℃，使酞菁氧鈦升華；c)通過該載氣，引導(dǎo)該升華的酞菁氧鈦離開該加熱區(qū)域，至生長(zhǎng)區(qū)域，所述生長(zhǎng)區(qū)域的溫度低于所述加熱區(qū)域的溫度；d)在生長(zhǎng)區(qū)域，得到酞菁氧鈦納米片。本發(fā)明的酞菁氧鈦納米片為新形貌，性能優(yōu)異，其操作簡(jiǎn)單，成本低，無污染，可以大量制備。
【IPC分類】B82Y30/00, B82Y40/00, C23C14/12, C23C14/24
【公開號(hào)】CN105543779
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610030173
【發(fā)明人】王海, 普小云, 喬振芳, 鄒濤隅, 羅利, 楊鎰吉, 王曉燕
【申請(qǐng)人】昆明學(xué)院
【公開日】2016年5月4日
【申請(qǐng)日】2016年1月18日