刻液的蝕刻速率和處理的片材數(shù)量。
[0059] 磷酸通過向蝕刻液提供氫離子促進(jìn)金屬層氧化劑對銅的蝕刻。此外，由于與被氧 化的銅離子結(jié)合形成磷酸鹽而增加了在水中的溶解性，它消除了蝕刻后的金屬層殘渣。
[0060] 基于組合物的總重量，磷酸的量為0.Olwt%~10wt%，并且更優(yōu)選為0.Olwt%~ lwt%。當(dāng)磷酸的量滿足上述范圍時，可執(zhí)行預(yù)期的功能，因為可避免由磷酸所導(dǎo)致的過度 蝕刻金屬層和腐蝕下層的風(fēng)險，并且不會引起由于磷酸的含量太低銅金屬層的蝕刻速率變 低的問題。
[0061] 本發(fā)明中使用的水是指去離子水，使用用于半導(dǎo)體工藝的水，并且優(yōu)選使用大于 18ΜΩ/〇ιι的水。
[0062] 除上面提到的組分外，本發(fā)明的蝕刻液組合物還可包括選自蝕刻控制劑、表面活 性劑、螯合劑、腐蝕抑制劑和pH調(diào)節(jié)劑中的至少一種。
[0063] 用本發(fā)明的蝕刻液組合物蝕刻的金屬層沒有特別限制，但本發(fā)明的蝕刻液組合物 能夠優(yōu)選用于蝕刻銅基金屬層、鉬基金屬層、鈦基金屬層或由這些層組成的多層。
[0064] 銅基金屬層是指銅層或銅合金層，鉬基金屬層是指鉬層或鉬合金層，以及鈦基金 屬層是指鈦層或鈦合金層。
[0065] 多層包括：例如，鉬基金屬層/銅基金屬層的雙層，其中，銅基金屬層是下層并且 鉬基金屬層是上層；銅基金屬層/鉬基金屬層的雙層，其中，鉬金屬層是下層并且銅基金屬 層是上層；銅基金屬層/鉬基和鈦基金屬層的雙層；以及大于三層的多層，其中，銅基金屬 層和鉬基金屬層交錯層疊，諸如鉬基金屬層/銅基金屬層/鉬基金屬層，或者銅基金屬層/ 鉬基金屬層/銅基金屬層。
[0066] 此外，多層包括：例如，鈦基金屬層/銅基金屬層的雙層，其中，銅金屬層是下層并 且鈦基金屬層是上層；銅基金屬層/鈦基金屬層的雙層，其中，鈦金屬層是下層并且銅基金 屬層是上層；以及大于三層的多層，其中，銅基金屬層和鈦基金屬層交錯層疊，諸如鈦基金 屬層/銅基金屬層/鈦基金屬層，或者銅基金屬層/鈦基金屬層/銅基金屬層。
[0067] 通過多重考慮構(gòu)成上層或下層的材料或者與層的粘合性等，能夠確定多層的層間 組合結(jié)構(gòu)。
[0068] 銅合金層、鉬合金層或鈦合金層是指作為合金而生產(chǎn)的金屬層，在該合金中，銅、 鉬或鈦為主要組分并且根據(jù)膜性質(zhì)使用其它不同的金屬。例如，鉬合金層是指以作為鉬為 主要組分并且含有選自鈦（Ti)、鉭（Ta)、鉻（Cr)、鎳（Ni)、釹（Nd)和銦（In)中的一種或多 種的合金而生產(chǎn)的層。
[0069] 作為本發(fā)明蝕刻液組合物的【具體實施方式】，過氧化氫可用作金屬層氧化劑，并且 可包含氟化物、含氮原子的化合物、磷酸、化學(xué)式1的聚乙二醇以及余量的水。
[0070] 過氧化氫是對銅、鉬和鈦進(jìn)行氧化的主要組分，并且，基于組合物的總重量，其量 可為lwt%~25wt%，優(yōu)選為大于lwt%并且小于等于10wt%，更優(yōu)選為大于lwt%并且小 于等于5wt% 〇
[0071] 當(dāng)過氧化氫的量落入上述范圍內(nèi)時，防止銅、鉬和鈦的蝕刻速率變差，可以實現(xiàn)適 當(dāng)量的蝕刻，并且可得到優(yōu)異的蝕刻輪廓。
[0072] 然而，如果過氧化氫的量超出上述范圍，則不會發(fā)生蝕刻或者會發(fā)生過度蝕刻，因 此可能發(fā)生圖案損失以及作為金屬布線的功能損失。
[0073] 構(gòu)成本發(fā)明蝕刻液組合物的組分優(yōu)選具有半導(dǎo)體工藝用純度。
[0074] 進(jìn)一步，本發(fā)明涉及一種制造用于液晶顯示器的陣列基板的方法，包括：
[0075]a)在基板上形成柵極的步驟；
[0076] b)在包括柵極的基板上形成柵絕緣體的步驟；
[0077]c)在柵絕緣體上形成半導(dǎo)體層的步驟；
[0078] d)在半導(dǎo)體層上形成源極/漏極的步驟；以及
[0079]e)形成與漏極連接的像素電極的步驟；
[0080] 其中，步驟a)、d)或e)包括形成金屬層并且使用根據(jù)本發(fā)明的蝕刻液組合物蝕刻 金屬層來形成電極的步驟。
[0081] 由上述方法生產(chǎn)的液晶顯示器用陣列基板因為包括具有優(yōu)異蝕刻輪廓的電極而 具有優(yōu)異的驅(qū)動特性。
[0082] 液晶顯示器用陣列基板可以是薄膜晶體管（TFT)陣列基板。
[0083] 在下文中，通過提供的實施方式對本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述。然而，下述實施例用 于更詳細(xì)地說明本發(fā)明，本發(fā)明的范圍不受下述實施例的限制。下述實施例在本發(fā)明的范 圍內(nèi)可由本領(lǐng)域技術(shù)人員適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行修改。
[0084]〈制備蝕刻液組合物〉
[0085] 實施例1~6和比較例1~6 :
[0086] 通過以下表1中描述的含量混合組分制備了蝕刻液組合物。
[0087][表1]
[0088](單位：wt% )
[0089]

[0104] 實驗例1 :評估蝕刻液組合物對于Cu/Mo-Ti雙層的蝕刻輪廓
[0105] 使用實施例1~6和比較例1~6的蝕刻液組合物進(jìn)行了Cu/Mo-Ti雙層的蝕刻。 當(dāng)進(jìn)行蝕刻時使用溫度約為30°C的蝕刻液組合物進(jìn)行100秒的蝕刻。通過肉眼測量EPD(終 點檢測（EndPointDetection)，金屬蝕刻計時）獲得了根據(jù)時間的蝕刻速率。使用SEM(日 立公司，型號S4700)檢測了經(jīng)蝕刻的Cu/Mo-Ti雙層的輪廓剖面，結(jié)果示于下表2中。
[0106] 實驗例2:評估處理的片材數(shù)量
[0107] 使用實施例1~6和比較例1~6的蝕刻液組合物進(jìn)行了參考測試，并且向用于 參考測試的蝕刻液中添加4000ppm的銅粉并完全溶解。之后，用進(jìn)行參考測試的蝕刻液再 次進(jìn)行蝕刻，并且對蝕刻速率的減小比例進(jìn)行了評估。
[0108]〈評估標(biāo)準(zhǔn)〉
[0109] 〇：優(yōu)異（蝕刻速率的減小比例小于10% )
[0110] Λ:良好（蝕刻速率的減小比例為10%~20% )
[0111] X:差（蝕刻速率的減小比例大于20% )
[0112] [表 2]
[0113]
【主權(quán)項】
1. 一種蝕刻液組合物，包括：金屬層氧化劑；氟化物；含氮原子的化合物；磷酸；下述 化學(xué)式1的聚乙二醇；以及余量的水， 其中，基于1克所述蝕刻液組合物，下述化學(xué)式1的聚乙二醇的重復(fù)單元的毫摩爾量用 于表示環(huán)氧乙烷水平，并且所述蝕刻液組合物的環(huán)氧乙烷水平為0. 4~2，其中η是2~100的整數(shù)，并且 札和R2各自獨(dú)立地為氫、C1~C4的脂肪族烴基或苯基。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其中，R JP R2各自獨(dú)立地為氫或甲基。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其中，所述金屬層氧化劑是選自由過氧化氫、 過乙酸、酸化金屬、硝酸、過硫酸鹽、氫鹵酸和氫鹵化物組成的組中的一種或多種。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，基于所述組合物的總重量，包括： lwt%~40wt%的所述金屬層氧化劑； 0· lwt%~5wt%的所述氟化物； 0. lwt%~10wt%的所述含氮原子的化合物； 0· Olwt% ~10wt% 的磷酸； 所述化學(xué)式1的聚乙二醇的Wt%量是使所述環(huán)氧乙烷水平為0. 4~2 ;以及 余量的水。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的蝕刻液組合物，其中，所述金屬層氧化劑包括過氧化氫。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的蝕刻液組合物，基于所述組合物的總重量，包括lwt %~ 25wt %的過氧化氫，其中，所述含氮原子的化合物是氨基酸。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其中，所述蝕刻液組合物用于蝕刻銅基金屬 層、鉬基金屬層、鈦基金屬層或它們的多層。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的蝕刻液組合物，其中，所述多層是銅基金屬層/鉬金屬層、銅 基金屬層/鈦基金屬層，或銅基金屬層/鉬-鈦基合金層。9. 一種制造用于液晶顯示器的陣列基板的方法，包括： a) 在基板上形成柵極的步驟； b) 在包括所述柵極的所述基板上形成柵絕緣體的步驟； c) 在所述柵絕緣體上形成半導(dǎo)體層的步驟； d) 在所述半導(dǎo)體層上形成源極/漏極的步驟；以及 e) 形成與所述漏極連接的像素電極的步驟； 其中，步驟a)、d)或e)包括形成金屬層并且使用根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的 蝕刻液組合物蝕刻所述金屬層來形成電極的步驟。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種蝕刻液組合物，包括：金屬層氧化劑；氟化物；含氮原子的化合物；磷酸；聚乙二醇；以及余量的水，其中，基于1克上述蝕刻液組合物，聚乙二醇的重復(fù)單元的毫摩爾量用于表示環(huán)氧乙烷水平，并且蝕刻液組合物的環(huán)氧乙烷水平為0.4～2；并且公開了一種使用該組合物制造用于液晶顯示器的陣列基板的方法。
【IPC分類】C23F1/26, H01L27/12, C23F1/18, H01L21/28
【公開號】CN105274527
【申請?zhí)枴緾N201510354318
【發(fā)明人】崔漢永, 金炫佑, 田玹守, 趙成培, 金相泰, 李俊雨
【申請人】東友精細(xì)化工有限公司
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2015年6月24日