范圍是優(yōu)選的，因為可防止蝕刻殘渣并且不引起玻璃基板或下硅層的蝕刻。
[0059] 然而，如果超出上述范圍，則由于不均勻的蝕刻特性而在基板內(nèi)產(chǎn)生污漬，過快的 蝕刻速度可能損壞下層，并且在處理期間蝕刻速率控制可能變得困難。
[0060] 優(yōu)選地，氟化物可以是能夠解離成氟化物離子或多原子氟離子的化合物。
[0061] 能夠解離成氟化物離子或多原子氟離子的化合物可以是選自由氟化銨、氟化鈉、 氟化鉀、氟化氫鈉和氟氫化鉀組成的組中的至少一種或多種。
[0062]包含在本發(fā)明的蝕刻液組合物中的含氮原子的化合物用于增強蝕刻液組合物的 蝕刻速率和待處理的片材數(shù)。
[0063]作為含氮原子的化合物，可以沒有限制地使用本領域已知的含氮原子的化合物， 并且代表性地可以使用在分子中含有氨基和羧酸基的化合物。
[0064]在分子中含有氨基和羧酸基的化合物可以包括例如在羧酸和氨基之間含有一個 碳原子的α-氨基酸，并且代表性地包括：一價氨基酸，諸如甘氨酸、谷氨酸、谷氨酰胺、異 亮氨酸、脯氨酸、酪氨酸、精氨酸等；和多價氨基酸，諸如亞氨基二乙酸、次氮基三乙酸、乙二 醇四乙酸。
[0065]含氮原子的化合物可以單獨使用，或以兩種或更多種組合使用。
[0066]基于組合物的總重量，含氮原子的化合物的含量可以為0. 1重量％至10重量％， 并且更優(yōu)選為1重量％至5重量％。
[0067]如果含氮原子的化合物被包含在上述范圍內(nèi)，則它可以提高蝕刻液的蝕刻速率和 待處理的片材數(shù)量。
[0068] 磷酸通過為蝕刻液提供氫離子，促使通過金屬層氧化劑蝕刻銅。此外，由于與氧化 的銅離子結(jié)合形成磷酸鹽而增加在水中的溶解性，它消除蝕刻之后法金屬層殘渣。
[0069] 基于組合物的總重量，磷酸的含量可以為0. 01重量％至10重量％，并且更優(yōu)選為 0. 01重量％至1重量％。在磷酸的量滿足上述范圍時，可以執(zhí)行預期的功能，因為可以避免 由磷酸造成的金屬層過度蝕刻和下層腐蝕的風險，并且不會引起由于磷酸含量太低而造成 銅金屬層的蝕刻速率下降的問題。
[0070] 本發(fā)明中使用的水指去離子水，使用半導體工藝所使用的水，并且優(yōu)選使用的大 于18MΩ/cm的水。
[0071] 除了上面提到的組分之外，本發(fā)明的蝕刻液組合物可以進一步包括選自蝕刻控制 劑、表面活性劑、螯合劑、腐蝕抑制劑和pH調(diào)節(jié)劑中的至少一種。
[0072] 作為本發(fā)明的實施方式，可以使用過氧化氫作為金屬層氧化劑，并且除了螯合劑 和水之外，可以額外包含選自由氟化物、含氮原子的化合物和磷酸組成的組中的一種或多 種。
[0073] 具體地，蝕刻液組合物優(yōu)選用于蝕刻銅基金屬層/鉬金屬層或銅基金屬層/鈦基 金屬層。然而，該組合物的應用不限于雙層。
[0074] 過氧化氫是氧化銅、鉬和鈦的主要成分，并且優(yōu)選使用濃度大于0并且小于等于 10%的過氧化氫。進一步地，基于組合物的總重量，它的量可以為1重量％至25重量％，優(yōu) 選為大于1重量％并且小于或等于10重量％，更優(yōu)選為大于1重量％并且小于或等于5重 量％。
[0075] 在過氧化氫的量落入上述范圍內(nèi)時，防止銅、鉬和鈦的蝕刻速率變差，可以實現(xiàn)適 當量的蝕刻，并且可以得到優(yōu)異的蝕刻輪廓。
[0076] 然而，如果它超出上述范圍，則不發(fā)生蝕刻或者發(fā)生過度蝕刻，并且因此可能發(fā)生 圖案損失以及作為金屬布線的功能損失。
[0077] 此外，對于含氮原子的化合物，優(yōu)選使用氨基酸。
[0078] 進一步地，本發(fā)明涉及了一種制造用于液晶顯示器的陣列基板的方法，包括： [0079]a)在基板上形成柵極的步驟；
[0080]b)在包含所述柵極的基板上形成柵絕緣體的步驟；
[0081]c)在所述柵絕緣體上形成半導體層的步驟；
[0082] d)在所述半導體層上形成源/漏極的步驟；和
[0083]e)形成與漏極連接的像素電極的步驟；
[0084] 其中，所述步驟a)、d)或e)包括形成金屬層并且使用根據(jù)本發(fā)明的蝕刻液組合物 蝕刻所述金屬層來形成電極的步驟。
[0085] 根據(jù)包括具有優(yōu)異蝕刻輪廓電極，由上述方法生產(chǎn)的液晶顯示器用陣列基板具有 優(yōu)異的驅(qū)動特性。
[0086] 液晶顯示器用陣列基板可以是薄膜晶體管（TFT)陣列基板。
[0087] 下面，將通過下面的實施方式更詳細地描述本發(fā)明。但是，下面的實施例用于更詳 細地解釋本發(fā)明，本發(fā)明的范圍不受下面實施例的限制。本領域技術人員可以在本發(fā)明的 范圍內(nèi)，對下面的實施例作適當修改。
[0088]〈蝕刻液組合物的制備〉
[0089]實施例1~6和比較例1~3 :
[0090] 通過混合具有下表1中所示含量的組分，制備蝕刻液組合物。
[0091] [表 1]
[0092] (單位：重量％ )
[0093]
[0094] 實驗例1.評價蝕刻液組合物的蝕刻輪廓
[0095] (1)評價Cu單層的蝕刻速率
[0096] 使用實施例1至4和比較例1的蝕刻液組合物進行Cu單層的蝕刻。在進行蝕刻 工藝時，使用溫度大約30°C的蝕刻液組合物進行100秒蝕刻。用肉眼測量EPD(端點檢測， 金屬蝕刻計時）獲得根據(jù)時間的蝕刻速率（蝕刻rage)。通過使用SEM(HitachiCo.，Model S4700)檢驗經(jīng)蝕刻的Cu單層的輪廓截面，并且結(jié)果示于下面的表2中。
[0097] (2)評價Cu/Mo-Ti雙層的蝕刻速率
[0098] 使用實施例5至6和比較例2至3的蝕刻液組合物進行Cu/Mo-Ti雙層的蝕亥I」。在 進行蝕刻處理時，使用溫度大約30°C的蝕刻液組合物進行100秒蝕刻。用肉眼測量EPD(端 點檢測，金屬蝕刻計時）獲得根據(jù)時間的蝕刻速率（蝕刻rage)。通過使用SEM(Hitachi Co.，ModelS4700)檢驗經(jīng)蝕刻的Cu/Mo-Ti雙層的輪廓截面，并且結(jié)果示于下面的表2中。
[0099] 實驗例2.評價待處理的片材數(shù)量
[0100] 通過使用實施例1至10和比較例1至4的蝕刻液組合物進行參考試驗，并且將 4,OOOppm的銅粉添加到蝕刻液中用于該參考測試，并且完全溶解。之后，再次蝕刻進行參考 試驗，并且評價蝕刻速率的降低比率。
[0101] 〈評價標準〉
[0102] 〇：優(yōu)異（蝕刻速率的降低比率小于10% )，
[0103]Λ:良好（蝕刻速率的降低比率為10%至20% )，
[0104] X:差（蝕刻速率的降低比率超過20% )。
[0105] [表 2]
[0106]
【主權項】
1. 一種蝕刻液組合物，包括：金屬層氧化劑、螯合劑和余量的水， 其中，所述螯合劑的官能團的摩爾量相比于所述金屬層氧化劑的摩爾量是0. 1至10， 所述螯合劑的官能團是在β位兩側(cè)都具有雜原子的單元，并且 所述金屬層氧化劑的摩爾量和所述螯合劑的官能團的摩爾量從下面的等式1和等式2 獲得：2. 根據(jù)權利要求1所述的蝕刻液組合物，其中，所述金屬層氧化劑是選自由過氧化氫、 過乙酸、金屬氧化物、硝酸、過硫酸鹽、氫鹵酸和氫鹵化物組成的組中的一種或多種。3. 根據(jù)權利要求1所述的蝕刻液組合物，基于所述組合物的總重量，包括： 1重量％至40重量％的所述金屬層氧化劑； 0. 1重量％至10重量％的所述螯合劑；和 余量的水。4. 根據(jù)權利要求3所述的蝕刻液組合物，進一步包括選自由以下物質(zhì)組成的組中的一 種或多種： 0. 1重量％至5重量％的氟化物， 0. 1重量％至10重量％的含氮原子的化合物，和 0. 01重量％至10重量％的磷酸。5. 根據(jù)權利要求4所述的蝕刻液組合物，其中，所述金屬層氧化劑包含過氧化氫。6. 根據(jù)權利要求5所述的蝕刻液組合物，其中，基于所述組合物的總重量，所述金屬層 氧化劑包括1重量％至25重量％的過氧化氫；并且 所述含氮原子的化合物是氨基酸。7. 根據(jù)權利要求1所述的蝕刻液組合物，其中，所述蝕刻液組合物用于蝕刻銅基金屬 層、鉬基金屬層、鈦基金屬層或它們的多層。8. 根據(jù)權利要求7所述的蝕刻液組合物，其中，所述多層是銅基金屬層/鉬基金屬層、 銅基金屬層/鈦基金屬層或者銅基金屬層/鉬-鈦基合金層。9. 一種制造用于液晶顯示器的陣列基板的方法，包括： a) 在基板上形成柵極的步驟； b) 在包含所述柵極的基板上形成柵絕緣體的步驟； c) 在所述柵絕緣體上形成半導體層的步驟； d) 在所述半導體層上形成源/漏極的步驟；和 e) 形成與漏極連接的像素電極的步驟； 其中，所述步驟a)、d)或e)包括形成金屬層并且使用根據(jù)權利要求1至8中任一項所 述的蝕刻液組合物蝕刻所述金屬層來形成電極的步驟。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種蝕刻液組合物，該蝕刻液組合物包括金屬層氧化劑、螯合劑和余量的水，其中，所述螯合劑的官能團的摩爾量相比于所述金屬層氧化劑的摩爾量是0.1至10；以及，一種使用該組合物制造用于液晶顯示器的陣列基板的方法。
【IPC分類】C23F1/14, G02F1/136, G02F1/1333
【公開號】CN105274526
【申請?zhí)枴緾N201510368198
【發(fā)明人】崔漢永, 金炫佑, 田玹守, 趙成培, 金相泰, 李俊雨
【申請人】東友精細化工有限公司
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2015年6月29日