室的真空度為5. 5 X KT5Pa ; (3) 、先對管芯進(jìn)行反濺射，在IlOW功率下轟擊清洗管芯背面，轟擊清洗時間為55s ; ⑷、采用磁控派射，用NiCr合金祀（Ni :50wt%、Cr :50wt% )在管芯背面沉積一層粘 附、阻擋層，沉積時，氣壓控制在0. 71Pa，襯底溫度為105°C，濺射功率為205W，沉積時間為 190s ;然后用純度為99. 99% Au靶材料在管芯背面沉積一層焊接層，沉積時，氣壓控制在 0. 71Pa，襯底溫度為105°C，濺射功率為210W，沉積時間為490s ;濺射完成后，取出模具，將 完成濺射處理的管芯擺放到芯片盒中；用X射線熒光測厚儀測量管芯的NiCr粘附、阻擋層 和Au焊接層厚度，結(jié)果如表2所示： 表2
[0012] 實施例3 對規(guī)格（長度X寬度X厚度）為2. 5mmX I. 5mmX0. 44mm的管芯背面進(jìn)行金屬化處 理，其具體步驟如下： (1) 、制作管芯放置模具 將厚度為〇. 5mm的微晶玻璃基片劃成寬度為5mm的微晶玻璃隔條，取6條微晶玻璃隔 條粘接在作為襯底的薄膜微晶玻璃基片上，所述相鄰兩個微晶玻璃隔條形成寬度為I. 53mm 的管芯放置槽，制作成具有5個管芯放置槽的管芯放置模具，如圖所示； (2) 、取5個單個管芯背面朝上分別擺放到所述管芯放置模具的管芯放置槽內(nèi)，并送 入到磁控濺射臺的濺射腔室內(nèi)，通入純度為99. 99 %的氬氣作為反應(yīng)氣體，所述氣體流量 Hsccm，控制濺射腔室的真空度為5 X KT5Pa ; (3) 、先對管芯進(jìn)行反濺射，在100W功率下轟擊清洗管芯背面，時間為60s ; ⑷、采用磁控派射，用NiCr合金祀（Ni :50wt%、Cr :50wt% )在管芯背面沉積一層 粘附、阻擋層，沉積時，氣壓控制在0. 75Pa，襯底溫度為100°C，濺射功率為200 W，時間 為200s ;然后用純度為99. 99 % Au靶材料在管芯背面沉積焊接層，沉積時，氣壓控制在 0. 75Pa，襯底溫度為100°C，濺射功率為200W，時間500s ;濺射完成后，取出模具，將完成濺 射處理的管芯擺放到芯片盒中；用X射線熒光測厚儀測量管芯的NiCr粘附、阻擋層和Au焊 接層厚度，結(jié)果如表3所示： 表3
由表1、表2和表3可以看出，實施例1~實施例3金屬化層（包括粘附、阻擋層和焊接 層）厚度> 1 μm，符合共晶燒結(jié)的要求。
[0013] 金屬化層的粘附性測試： 用AuSi焊料片分別把實施例1~實施例3做完金屬化層的管芯1、管芯2以及管芯3 共晶燒結(jié)在厚膜基片上，測試剪切力，檢測數(shù)據(jù)如表4所示： 表4 由表4 口」以有出，不及明頭施例1~頭施例
?的官心K官心2以及官心?剪切刀大小 符合GJB 548Β的標(biāo)準(zhǔn)要求。
[0014] 以上僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人 員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、 等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種單個管芯背面金屬化的方法，其特征是： 具體步驟是： (1)、管芯放置模具材料的選擇 管芯放置模具的制作材料使用微晶玻璃，其中，微晶玻璃的厚度是管芯厚度的1.1 倍~1. 2倍；（2)、管芯放置模具的制作 將微晶玻璃基片劃成寬度為5mm~6mm的微晶玻璃隔條，并粘接在作為襯底的薄膜微 晶玻璃基片上，所述相鄰兩個微晶玻璃隔條形成管芯放置槽，所述管芯放置槽的寬度比需 要金屬化的管芯的寬度寬20ym~30ym; (3) 、把單個管芯背面朝上擺放到所述管芯放置模具的管芯放置槽內(nèi)，并送入到磁控 濺射臺的濺射腔室內(nèi)，通入純度為99. 99 %的氬氣作為反應(yīng)氣體，所述氣體流量12SCCm~ 14sccm，控制濺射腔室的真空度為2XKT4Pa~5XKT5Pa; (4) 先對管芯進(jìn)行反濺射，在90W~IlOW功率下轟擊清洗管芯背面，時間為55s~ 65s； (5) 采用磁控濺射，用NiCr合金靶在管芯背面沉積一層粘附、阻擋層，沉積時，氣壓控 制在0. 65Pa~0. 75Pa，襯底溫度為95°C~105°C，濺射功率為195W~205W，時間為190s~ 210s;然后用純度為99. 99%Au靶材料在管芯背面沉積一層焊接層，沉積時，氣壓控制在 0? 65Pa~0? 75Pa，襯底溫度為95°C~105°C，濺射功率為190W~210W，時間為490s~ 510s;濺射完成后，取出模具，將完成濺射處理的管芯擺放到芯片盒中。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的單個管芯背面金屬化的方法，其特征是：沉積粘附、阻擋層 時，粘附、阻擋層的厚度為〇. 5ym~Iym。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的單個管芯背面金屬化的方法，其特征是：沉積焊接層時，焊接 層的厚度為I.IUm~I. 5ym。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的單個管芯背面金屬化的方法，其特征是：所述NiCr合金靶中 Ni的質(zhì)量百分含量為50%，Cr的質(zhì)量百分含量為50%。
【專利摘要】一種單個管芯背面金屬化的方法，將微晶玻璃基片劃成微晶玻璃隔條，并粘接在作為襯底的薄膜微晶玻璃基片上，所述相鄰兩個微晶玻璃隔條形成管芯放置槽；把單個管芯背面朝上擺放到所述管芯放置模具的管芯放置槽內(nèi)，并送入到磁控濺射臺的濺射腔室內(nèi)，通入氬氣作為反應(yīng)氣體；先對管芯進(jìn)行反濺射，然后采用磁控濺射，用NiCr合金靶在管芯背面沉積一層粘附、阻擋層，用純度為99.99％Au靶材料在管芯背面沉積一層焊接層；濺射完成后，取出模具，將完成濺射處理的管芯擺放到芯片盒中。優(yōu)點是：工藝合理，操作簡單，可對單個體積較小的管芯進(jìn)行背面金屬化處理，適合工業(yè)化生產(chǎn)。
【IPC分類】C23C14/14, C23C14/35, C23C14/02
【公開號】CN104894521
【申請?zhí)枴緾N201510240323
【發(fā)明人】馬建軍, 程夢蓮, 白艷, 張帆
【申請人】錦州七七七微電子有限責(zé)任公司
【公開日】2015年9月9日
【申請日】2015年5月12日