lvayHTM1、 HTM9,及Solvay橙Hex-Ir(phq) 3, 20重量％。這些溶液使用已經(jīng)由0. 45ym過濾器過濾的 甲苯制備成10毫克/毫升的濃度。溶液于室溫?cái)嚢韪粢?。在旋涂前，這些溶液再次經(jīng)由 0. 45ym過濾器過濾。
[0057] 裝置制備如下。30x30mmIT0及石英基板通過在tepol溶液及去離子水中擦洗及 超聲波處理而清洗。然后，在polyLED布置室內(nèi)的密封STB中貯存隔夜。IT0基板以10分 鐘臭氧處理進(jìn)行處理，其后，以lOOOrpm進(jìn)行300y1的PED0T旋涂10秒，并且蓋上蓋子。經(jīng) PED0T涂覆的基板被置于KKTC的在空氣中的熱板上以對其預(yù)干燥，而其它樣品被旋涂。所 有樣品在套箱中于160°C烘烤20分鐘。然后，基板1~13以可交聯(lián)的HTL，SolvayHTM1旋 涂。該步驟以lOOOrpm進(jìn)行10秒，其后以500rpm進(jìn)行30秒來完成。然后，樣品于180°C烘 烤10分鐘誘發(fā)交聯(lián)作用。IT0基板15~20以HTM9以lOOOrpm旋涂10秒，其后以500rpm 旋涂30秒，其后，于140°C烘烤5分鐘?；灞恢糜谡翦兤髦谐练e40nm、10nm、5nm或3nm的 M〇03?；?~11及13以Solvay橙溶液以lOOOrpm，然后500rpm旋涂10秒，然后30秒。 發(fā)光層于140°C烘烤10分鐘。最后，基板1~11及13置于蒸鍍器中沉積30nm的TPBI，lnm 的LiF，及100nm的鋁，作為陰極堆疊體?；?5~20的噴灑測試使用0. 1毫升/分鐘流 速的甲苯從10mm高度，以25mm/s之工作臺速度進(jìn)行。為了這些操作，獲得下列裝置。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種制造多層半導(dǎo)體組件的方法，該方法包含以下步驟： 提供載體； 通過溶液印刷用于形成第一裝置層的第一材料溶液而在該載體上提供第一裝置層；及 通過在該第一裝置層上溶液印刷第二材料溶液而提供第二裝置層，該第二材料溶液包 含溶于溶劑中的第二裝置層材料； 其中，該方法包含在提供該第二裝置層之前提供用于配置在該第一裝置層與該第二裝 置層之間的障壁中間層的步驟，該障壁中間層包含不溶于該溶劑的中間層材料，其中，該中 間層材料為半導(dǎo)體材料，且該障壁中間層被配置以使該第一裝置層與該第二裝置層之間能 進(jìn)行電交互作用。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該半導(dǎo)體材料具有大于或等于該第一裝置層或該 第二裝置層的能帶隙距離的能帶隙。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，提供該障壁中間層包含用于在該第一裝置層上 形成該障壁中間層的原子層沉積步驟。
4. 如權(quán)利要求3所述的方法，其中，該原子層沉積步驟至少包含相對移動(dòng)該載體及一 種或多種前體氣體源彼此通過的步驟。
5. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，提供該障壁中間層，該障壁中間層具有 取決于該中間層材料的厚度，用于有效地避免該溶劑到達(dá)該第一裝置層，及用于在該第一 裝置層與該第二裝置層之間實(shí)現(xiàn)該電交互作用。
6. 如權(quán)利要求5所述的方法，其中，提供該障壁中間層，該障壁中間層具有對于半導(dǎo)體 型障壁中間層為至少一個(gè)單層的范圍內(nèi)的該厚度。
7. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，該中間層材料包含半導(dǎo)體材料，且其 中，該半導(dǎo)體材料包含由以下材料組成的組中的至少一種：經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的氧化物半 導(dǎo)體材料，及包含化學(xué)計(jì)量不足的氧化物的氧化物半導(dǎo)體材料，諸如，經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的 ZnO、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的SnOx，諸如，ITO,經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的ZrOx、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的 InOx、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的RuOx、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的WOx、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的EuOx、經(jīng)摻 雜或未經(jīng)摻雜的NiOx、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的VOx、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的PbOx、經(jīng)摻雜或未經(jīng) 摻雜的CeOx、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的MoOx、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的Ni2O3，或經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的 ZnxSny0z;&非氧化物半導(dǎo)體材料，諸如，經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的ZnS，及經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的 ZnSe、ZnTe、CdS，及CdSe;及有機(jī)半導(dǎo)體材料，諸如，AlxGayIni_x_yN，或其它半導(dǎo)體氮化物或 硫化物。
8. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，該多層半導(dǎo)體裝置包含多層有機(jī)半導(dǎo) 體組件。
9. 如權(quán)利要求8所述的方法，其中，該多層有機(jī)半導(dǎo)體組件為有機(jī)發(fā)光二極管（OLED) 或有機(jī)光伏組件（OPV)。
10. -種多層半導(dǎo)體組件，使用如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的方法制造，該半導(dǎo)體 組件包含： 載體； 位于該載體上的第一裝置層；及 第二裝置層，該第二裝置層使用第二材料溶液的溶液印刷步驟形成于該第一裝置層 上； 該半導(dǎo)體組件進(jìn)一步包含：位于該第一裝置層與該第二裝置層之間的障壁中間層，該 障壁中間層包含不溶于在該第二裝置層的溶液印刷期間使用的溶劑中的中間層材料，其 中，該中間層材料是半導(dǎo)體材料，且該障壁中間層被配置成能使在該第一裝置層與該第二 裝置層之間進(jìn)行電交互作用。
11. 如權(quán)利要求10所述的多層半導(dǎo)體組件，其中，該半導(dǎo)體材料具有大于或等于該第 一裝置層或該第二裝置層的能帶隙距離的能帶隙。
12. 如權(quán)利要求10或11所述的多層半導(dǎo)體組件，其中，該障壁中間層具有對于半導(dǎo)體 型障壁中間層為至少一個(gè)單層的范圍內(nèi)的該厚度。
13. 如權(quán)利要求10至12中任一項(xiàng)所述的多層半導(dǎo)體組件，其中，該中間層材料包含由 以下材料組成的組中的至少一種：經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的氧化物半導(dǎo)體材料，及包含化學(xué)計(jì) 量不足的氧化物的氧化物半導(dǎo)體材料，諸如，經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的ZnO、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜 的SnOx，諸如，IT0,經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的ZrOx、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的InOx、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻 雜的RuOx、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的WOx、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的EuOx、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的NiOx、 經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的VOx、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的PbOx、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的CeOx、經(jīng)摻雜或 未經(jīng)摻雜的MoOx、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的Ni2O3，或經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的ZnxSnyOz;及非氧化物 半導(dǎo)體材料，諸如，經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的ZnS，及經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的ZnSe、ZnTe、CdS，及 CdSe;及有機(jī)半導(dǎo)體材料，諸如，AlxGayIni_x_yN，或其它半導(dǎo)體氮化物或硫化物。
14. 如權(quán)利要求10至13中任一項(xiàng)所述的多層半導(dǎo)體組件，其中，該多層半導(dǎo)體組件為 多層有機(jī)半導(dǎo)體組件，諸如，有機(jī)發(fā)光二極管（OLED)。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種多層半導(dǎo)體組件的制造方法。依據(jù)此方法，第一裝置層通過在載體上溶液印刷第一材料而提供于該載體上。第二裝置層通過在該第一裝置層上溶液印刷第二材料溶液而提供，該第二材料溶液包含溶于溶劑的第二裝置層材料。在溶液印刷第二裝置層之前，障壁中間層被添加于第一層上，以配置在該第一裝置層與該第二裝置層之間。障壁中間層包含不溶于該溶劑的中間層材料，且被配置成能在第一裝置層與第二裝置層之間進(jìn)行電交互作用。本發(fā)明進(jìn)一步提供一種半導(dǎo)體組件。
【IPC分類】H01L51-44, H01L51-50, C23C16-455, H01L51-52, H01L51-00
【公開號】CN104769154
【申請?zhí)枴緾N201380058681
【發(fā)明人】卡洛勒斯·伊達(dá)·瑪麗亞·安東尼斯·斯裴, 保勒斯·威廉默斯·瑪麗亞·布羅姆, J·W·萊韋爾
【申請人】荷蘭應(yīng)用自然科學(xué)研究組織Tno
【公開日】2015年7月8日
【申請日】2013年10月18日
【公告號】EP2722413A1, EP2909358A1, WO2014062058A1