聚焦環(huán)的矯正設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種聚焦環(huán)的矯正設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]濺射是現(xiàn)代半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)過程中常用的一種薄膜淀積技術(shù)，其利用高能粒子轟擊具有高純度的靶材，使靶材原子從表面逸出并均勻地沉積于襯底上形成均勻的薄膜層，用于在襯底上形成集成電路的各阻擋層、互聯(lián)線以及接觸層。然而在濺射過程中，由于高能粒子由各個(gè)方向轟擊祀材，導(dǎo)致從祀材表面逸出的祀材原子會(huì)從各個(gè)方向脫離祀材表面，之后沿直線到達(dá)晶圓表面，其無法保證襯底各部分沉積的薄膜層的均勻性，從而影響各薄膜層性能。
[0003]為此，參考圖1所示，為了提高各薄膜層的沉積均勻性，在濺射過程中通常會(huì)在靶材I和晶圓2之間設(shè)置一個(gè)聚焦環(huán)3，所述聚焦環(huán)3可有效約束靶材原子的運(yùn)動(dòng)軌跡，使得從靶材I表面濺射出來的朝各方向運(yùn)動(dòng)的靶材原子被聚焦到晶圓2上方，并均勻的沉積在晶圓2上，從而提高晶圓2上方沉積的薄膜層的均勻性。聚焦環(huán)3的內(nèi)外表面還可形成有花紋，以吸附濺射過程中產(chǎn)生的大量顆粒物，從而起到凈化的作用。
[0004]在使用的過程中，在聚焦環(huán)的靠近靶材的一側(cè)會(huì)附著一些濺離靶材后的金屬離子，形成金屬離子層，并隨著濺射工藝進(jìn)行，所述金屬離子層不斷加厚。因而當(dāng)聚焦環(huán)使用一段時(shí)間后，需及時(shí)更換聚焦環(huán)，從而避在聚焦環(huán)表面形成的金屬離子層過厚，而出現(xiàn)剝落(peeling)現(xiàn)象，從而導(dǎo)致鍛I吳后的晶圓品質(zhì)不良。
[0005]然而，更換聚焦環(huán)的代價(jià)較高，在實(shí)際使用過程中，基于濺射附著于聚焦環(huán)上的金屬層僅位于聚焦環(huán)靠近靶材的一側(cè)，在將取下的聚焦環(huán)反向安裝，仍然可繼續(xù)使用，且重復(fù)使用的聚焦環(huán)不會(huì)影響濺射工藝正常進(jìn)行。但在聚焦環(huán)在一次使用后，基于在濺射工藝中，濺射機(jī)臺(tái)的高溫高壓下，聚焦環(huán)內(nèi)部聚集較多的內(nèi)應(yīng)力，在聚焦環(huán)冷卻后，應(yīng)力釋放，參考圖2所示，聚焦環(huán)發(fā)生變形，尤其是在聚焦環(huán)的開口處兩側(cè)部分11和12會(huì)出現(xiàn)明顯的向外擴(kuò)張現(xiàn)象(虛線部分所示)。為此，需要將聚焦環(huán)重新矯正，以便于繼續(xù)使用。
[0006]現(xiàn)有的矯正工藝一般通過人力把聚焦環(huán)拗端口部位，將聚焦環(huán)的開口部分11和12回復(fù)原位，然而聚焦環(huán)使用時(shí)，安裝精度要求高，往往需要人力反復(fù)矯正才可回復(fù)原位，而且在反復(fù)矯正期間，會(huì)破壞附著于聚焦環(huán)上的金屬層與聚焦環(huán)的連接結(jié)構(gòu)，致使附著于聚焦環(huán)上的金屬層發(fā)生小裂紋或是部分附著膜發(fā)生斷裂(人眼往往無法識(shí)別)，從而在聚焦環(huán)的二次使用過程中，這部分金屬層出現(xiàn)剝落現(xiàn)象，或是濺射過程中的離子擊中這部分金屬層后出現(xiàn)放電缺陷，從而降低鍍膜質(zhì)量，更甚者致使鍍膜工藝失敗。
[0007]為此，如此提高聚焦環(huán)的矯正工藝，以降低聚焦環(huán)上的金屬層出現(xiàn)形變概率，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明解決的問題是提供一種聚焦環(huán)的矯正設(shè)備，可有效提高聚焦環(huán)的矯正效率以及精度，避免在矯正過程中，破壞聚焦環(huán)與附著于聚焦環(huán)表面的金屬層的連接結(jié)構(gòu)。
[0009]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種聚焦環(huán)的矯正設(shè)備，包括:
[0010]承載聚焦環(huán)的基座，所述基座上設(shè)有用于放置聚焦環(huán)的聚焦環(huán)放置區(qū)域，所述聚焦環(huán)放置區(qū)域包括受壓支點(diǎn)；
[0011]設(shè)置于所述基座上，用于固定聚焦環(huán)的固定部件；
[0012]安裝在所述基座上的矯正支桿，所述矯正支桿通過轉(zhuǎn)軸活動(dòng)連接在所述基座上，且所述矯正支桿繞所述轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)；
[0013]所述矯正支桿的一端設(shè)置有施壓支點(diǎn)，所述施壓支點(diǎn)與所述受壓支點(diǎn)位置相對(duì)應(yīng)；
[0014]設(shè)置在所述基座上，用于判斷聚焦環(huán)是否矯正到位的矯正判定部件。
[0015]可選地，所述聚焦環(huán)放置區(qū)域?yàn)榄h(huán)形結(jié)構(gòu)。
[0016]可選地，所述固定部件包括多根分散設(shè)置在所述基座上的固定軸，且所述固定軸沿軸向凸起于所述基座表面，多根所述固定軸分布與所述聚焦環(huán)放置區(qū)域周側(cè)。
[0017]可選地，多根所述固定軸中，部分位于所述聚焦環(huán)放置區(qū)域的環(huán)內(nèi)側(cè)邊緣，部分位于所述聚焦環(huán)放置區(qū)域的環(huán)外側(cè)邊緣，所述聚焦環(huán)放置區(qū)域嵌于多根所述固定軸之間。
[0018]可選地,在所述基座上開設(shè)多條第一凹槽，所述多條第一凹槽與多根固定軸對(duì)應(yīng)；
[0019]所述多條第一凹槽沿以所述聚焦環(huán)放置區(qū)域的中心為圓心的圓的徑向延伸；
[0020]各條所述固定軸安裝在對(duì)應(yīng)的第一凹槽內(nèi)，且沿所述第一凹槽延伸方向調(diào)整位置。
[0021]可選地，所述聚焦環(huán)的上設(shè)置有多根沿所述聚焦環(huán)徑向設(shè)置的安裝軸，多根所述固定軸中至少部分固定軸與所述安裝軸位置對(duì)應(yīng)設(shè)置，且該部分固定軸中至少兩根固定軸沿聚焦環(huán)徑向分別位于對(duì)應(yīng)的安裝軸的兩側(cè)。
[0022]可選地，所述矯正判定部件包括第一判定軸，所述第一判定軸位于所述聚焦環(huán)放置區(qū)域的環(huán)外側(cè)。
[0023]可選地，所述第一判定軸與所述聚焦環(huán)放置區(qū)域之間的距離為O?4_。
[0024]可選地，所述矯正判定部件還包括第二判定軸，所述第二判定軸位于所述聚焦環(huán)放置區(qū)域的環(huán)內(nèi)側(cè)邊緣；所述第二判定軸與所述受壓支點(diǎn)之間距離，小于所述第一判定軸與所述受壓支點(diǎn)之間距離。
[0025]可選地，在所述基座上開設(shè)一條第二凹槽，所述第二凹槽沿以所述聚焦環(huán)放置區(qū)域的中心為圓心的圓的徑向延伸；所述第一判定軸安裝在所述第二凹槽內(nèi)，且沿所述第二凹槽延伸方向調(diào)整位置。
[0026]可選地，在所述基座上開設(shè)一條第二凹槽，所述第二凹槽沿以所述聚焦環(huán)放置區(qū)域的中心為圓心的圓的徑向延伸；所述第二判定軸安裝在所述第二凹槽內(nèi)，且沿所述第二凹槽延伸方向調(diào)整位置。
[0027]可選地，所述第一判定軸第二判定軸間的距離為6?8mm。
[0028]可選地，所述判定部件還包括第三判定軸，所述第三判定軸位于所述聚焦環(huán)放置區(qū)域的環(huán)內(nèi)側(cè)邊緣；
[0029]所述第三判定軸與所述第一判定軸之間距離，大于所述第三判定軸與所述第二判定軸之間距離；
[0030]所述第三判定軸與所述受壓支點(diǎn)之間的距離，小于所述受壓支點(diǎn)與所述第二判定軸之間距離。
[0031]可選地，在所述基座上開設(shè)一條第二凹槽，所述第二凹槽沿以所述聚焦環(huán)放置區(qū)域的中心為圓心的圓的徑向延伸；所述第三判定軸安裝在所述第二凹槽內(nèi)，且沿所述第二凹槽延伸方向調(diào)整位置。
[0032]可選地，所述轉(zhuǎn)軸位于所述聚焦環(huán)放置區(qū)域外側(cè)。
[0033]可選地，在所述基座的表面，以及所述固定部件和矯正判定部件的表面覆蓋有保護(hù)層。
[0034]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0035]在承載聚焦環(huán)的基座上安裝有矯正支桿，所述矯正支桿通過轉(zhuǎn)軸活動(dòng)連接在所述基座上，所述矯正支桿的一端設(shè)置施壓支點(diǎn)。使用時(shí)，將聚焦環(huán)通過固定部件固定在基座的聚焦環(huán)放置區(qū)域后，所述矯正支桿的施壓支點(diǎn)抵住位于聚焦環(huán)放置區(qū)域的受壓支點(diǎn)上的聚焦環(huán)的待矯正部位，之后繞所述轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)矯正支桿，向所述聚焦環(huán)施加力，致使聚焦環(huán)發(fā)生形變，以矯正聚焦環(huán)。在所述基座上，設(shè)有矯正判定部件。在矯正前，所述聚焦環(huán)不與矯正判定部件發(fā)生接觸，而在轉(zhuǎn)動(dòng)所述矯正支桿向聚焦環(huán)施加力，以致使聚焦環(huán)形變過程中，當(dāng)所述聚焦環(huán)碰觸所述矯正判定部件時(shí)，表明所述聚焦環(huán)矯正到位，從而避免矯正過量。上述技術(shù)方案，基于杠桿原理可輕松而快捷地致使聚焦環(huán)形變，而矯正判定部件可有效判斷聚焦環(huán)是否矯正完全，從而提高聚焦環(huán)矯正工藝效率，避免聚焦環(huán)反復(fù)矯正而破壞聚焦環(huán)表面附著的金屬層與聚焦環(huán)之間的連接結(jié)構(gòu)，以及金屬層的結(jié)構(gòu)，從而在聚焦環(huán)再一次使用過程中，降低出現(xiàn)基于所述金屬層發(fā)生形變而導(dǎo)致的放電和金屬層剝落現(xiàn)象的概率。
【附圖說明】
[0036]圖1是現(xiàn)有灘射工藝的不意圖；
[0037]圖2是濺射工藝后，出現(xiàn)形變的聚焦環(huán)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的聚焦環(huán)的矯正設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖4和圖5是采用圖3所示的聚焦環(huán)的矯正設(shè)備矯正圖2所示的形變后的聚焦環(huán)的不意圖；
[0040]圖6為本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例提供的聚焦環(huán)的矯正設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0041]正如【背景技術(shù)】所述，現(xiàn)有的對(duì)已經(jīng)經(jīng)過一次濺射工藝的聚焦環(huán)進(jìn)行矯正的工藝效率較低，矯正過程中往往需要對(duì)聚焦環(huán)進(jìn)行反復(fù)矯正才可使得聚焦環(huán)形變部分回復(fù)原位。而在反復(fù)矯正的過程中，會(huì)破壞在第一次濺射工藝中，形成于聚焦環(huán)表面的金屬層與聚焦環(huán)的連接強(qiáng)度，使得金屬層出現(xiàn)形變或是斷裂等缺陷，上述缺陷會(huì)導(dǎo)致聚焦環(huán)二次使用過程中，金屬層剝落，或是濺射離子擊中金屬層的形變部分后發(fā)生放電缺陷，從而影響最終形成的鍍膜質(zhì)量。
[0042]為此，本發(fā)明提供了一種聚焦環(huán)的矯正設(shè)備，所述聚焦環(huán)的矯正設(shè)備可有效提高聚焦環(huán)矯正效率，同時(shí)可有效降低基于聚焦環(huán)矯正過程中，破壞附著與聚焦環(huán)上的金屬層的結(jié)構(gòu)，以及金屬層與聚焦環(huán)的連接強(qiáng)度的幾率。進(jìn)而有效降低聚焦環(huán)在二次使用過程中，聚焦環(huán)表面的金屬層出現(xiàn)剝落以及放電缺陷。
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