的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明提供了一種薄膜太陽(yáng)能電池窗口材料SnO2的制備方法，特別是一種薄膜太陽(yáng)能電池窗口材料的PECVD制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]SnO2薄膜成為近年來(lái)薄膜太陽(yáng)能電池窗口材料的研究熱點(diǎn)之一。隨著物理氣相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉積(CVD)的方法在薄膜制備中的廣泛應(yīng)用，人們開(kāi)始嘗試用PVD和CVD的方法制備SnO2,并且由此發(fā)展了許多制備SnO2的技術(shù)。但PVD和CVD方法存在設(shè)備昂貴，沉積速度較低，對(duì)設(shè)備要求高等缺點(diǎn)。
[0003]為了克服上述問(wèn)題，本發(fā)明采用PECVD方法制備SnO2。PECVD法可以在較高氣壓下制備薄膜，電子的平均能量大約達(dá)到flOeV，不需要高真空度，這就簡(jiǎn)化了對(duì)設(shè)備的要求。此外，利用PECVD法制備的SnO2薄膜平整度和附著性都較高、可見(jiàn)光透過(guò)率較高和方塊電阻較低等優(yōu)點(diǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的就是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種薄膜太陽(yáng)能電池窗口材料SnO2的制備方法。
[0005]其技術(shù)方案是:用稱(chēng)取適量SnCl2放在反應(yīng)槽里，和洗凈的襯底一起放在樣品臺(tái)上，打開(kāi)機(jī)械泵抽氣，抽一定時(shí)間后通適量氬氣。當(dāng)真空計(jì)顯示為200Pa時(shí)，在進(jìn)氣端由流量計(jì)控制分壓，將反應(yīng)氣體氧氣和載氣氬氣的混合氣體通入真空室內(nèi)。調(diào)節(jié)氣體的流量使真空室內(nèi)的壓強(qiáng)保持一個(gè)動(dòng)態(tài)平衡。然后打開(kāi)加熱系統(tǒng)加熱使SnCl2升華，加熱到一定溫度后，關(guān)閉加熱系統(tǒng)，打開(kāi)電源開(kāi)關(guān)進(jìn)行放電。所述的一種薄膜太陽(yáng)能電池窗口材料SnO2的制備方法，其特征是:待薄膜冷卻后對(duì)其進(jìn)行適當(dāng)?shù)耐嘶鹛幚怼?br>[0006]本發(fā)明的特點(diǎn)是可以在較高氣壓下制備薄膜，電子的平均能量大約達(dá)到f 10eV，不需要高真空度，這就簡(jiǎn)化了對(duì)設(shè)備的要求。此外，利用PECVD法制備的SnO2薄膜平整度和附著性都較高、可見(jiàn)光透過(guò)率較高和方塊電阻較低等優(yōu)點(diǎn)。
【具體實(shí)施方式】
[0007]用天平稱(chēng)取適量的SnCl2放在反應(yīng)槽里，和洗凈的襯底一起同時(shí)放在樣品臺(tái)上，然后打開(kāi)機(jī)械泵開(kāi)始抽氣，抽一定的時(shí)間后通適量的氬氣，這樣做的目的是將真空室的空氣排走。當(dāng)真空計(jì)顯示為200Pa時(shí)，在進(jìn)氣端由流量計(jì)控制分壓，將反應(yīng)氣體氧氣和載氣氬氣的混合氣體通入真空室內(nèi)。調(diào)節(jié)氣體的流量使真空室內(nèi)的壓強(qiáng)保持一個(gè)動(dòng)態(tài)的平衡。然后打開(kāi)加熱系統(tǒng)加熱使SnCl2升華，加熱到一定溫度之后，關(guān)閉加熱系統(tǒng)，打開(kāi)電源開(kāi)關(guān)進(jìn)行放電。待薄膜冷卻后對(duì)其進(jìn)行適當(dāng)?shù)耐嘶鹛幚?，最后?duì)所制得的薄膜進(jìn)行相關(guān)的測(cè)試與分析。
[0008]另外，本發(fā)明創(chuàng)造不意味著說(shuō)明書(shū)所局限，在沒(méi)有脫離設(shè)計(jì)宗旨的前提下可以有所變化。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種薄膜太陽(yáng)能電池窗口材料SnO2的制備方法，其特征是:其制備方法為等離子體輔助化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜太陽(yáng)能電池窗口材料SnO2的制備方法，其特征是:待薄膜冷卻后對(duì)其進(jìn)行適當(dāng)?shù)耐嘶鹛幚怼?br>【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種薄膜太陽(yáng)能電池窗口材料SnO2的制備方法，特別是一種薄膜太陽(yáng)能電池窗口材料的PECVD制備方法。其技術(shù)方案是：用稱(chēng)取適量SnCl2放在反應(yīng)槽里，和洗凈的襯底一起放在樣品臺(tái)上，打開(kāi)機(jī)械泵抽氣，抽一定時(shí)間后通適量氬氣。當(dāng)真空計(jì)顯示為200Pa時(shí)，在進(jìn)氣端由流量計(jì)控制分壓，將反應(yīng)氣體氧氣和載氣氬氣的混合氣體通入真空室內(nèi)。調(diào)節(jié)氣體的流量使真空室內(nèi)的壓強(qiáng)保持一個(gè)動(dòng)態(tài)平衡。然后打開(kāi)加熱系統(tǒng)加熱使SnCl2升華，加熱到一定溫度后，關(guān)閉加熱系統(tǒng)，打開(kāi)電源開(kāi)關(guān)進(jìn)行放電。待薄膜冷卻后對(duì)其進(jìn)行適當(dāng)?shù)耐嘶鹛幚怼Ｔ摲梢栽谳^高氣壓下制備薄膜，不需要高真空度，簡(jiǎn)化了對(duì)設(shè)備的要求。此外，利用該法制備的SnO2薄膜平整度和附著性都較高、可見(jiàn)光透過(guò)率較高和方塊電阻較低等優(yōu)點(diǎn)。
【IPC分類(lèi)】C23C16-40, C23C16-56, C23C16-513
【公開(kāi)號(hào)】CN104674188
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310630259
【發(fā)明人】譚秀航
【申請(qǐng)人】青島事百嘉電子科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年6月3日
【申請(qǐng)日】2013年12月2日