口蓋30相同，推薦設(shè)置另外的加熱機(jī)構(gòu)，優(yōu)選 在結(jié)束成膜后僅使收集空間63的溫度降低。
[0315] 以上說明的真空蒸鍍裝置1具有3個歧管部66、67、68,且該主體部37、38、39全部 在成膜室2外配置。然而本發(fā)明不限定于該結(jié)構(gòu)，例如也可以如圖15所示的真空蒸鍍裝置 96那樣，在成膜室43內(nèi)配置上部歧管部66,并在成膜室43外配置其它的歧管部67、68。
[0316] 并且也可以如圖16所示的真空蒸鍍裝置97那樣，在成膜室45內(nèi)配置上部歧管部 66的主體部37和中間歧管部67的主體部38的上部，并在成膜室45外配置中間歧管部67 的主體部38的下部以下。
[0317] 另外也可以如圖17所示的真空蒸鍍裝置90那樣，歧管組6全部在成膜室91內(nèi)。
[0318] 所述的實(shí)施方式中，使在屬于各個開口組的釋放開口 80、81、82設(shè)置的節(jié)流件85、 86、87的開口徑以及開口面積一致，但在開口組內(nèi)也可以有一些差別。換言之，也可以在屬 于各個開口組的釋放開口中混有開口面積不同的釋放開口。
[0319] 例如，對于在成膜材料釋放部13的中央、邊部配置的釋放開口 80、81、82而言，在 任一個開口組中節(jié)流件85、86、87的大小也可以設(shè)定為與其它部位不同。
[0320] 并且在所述的實(shí)施方式中，在全部釋放開口 80、81、82設(shè)有節(jié)流件85、86、87，但也 可以是沒有節(jié)流件的釋放開口。
[0321] 并且屬于任一個釋放系統(tǒng)的開口組也可以全部不具有節(jié)流件。另外也可以代替節(jié) 流件或者除節(jié)流件之外，在延長管75、76、77本身設(shè)置粗的、細(xì)的部分。即，也可以使延長管 75、76、77的內(nèi)徑不同而使實(shí)際的開口面積變化。
[0322] 并且在所述的實(shí)施方式中，各釋放系統(tǒng)57、58、59具有數(shù)目相同的釋放開口 80、 81、82,但釋放開口 80、81、82的數(shù)量、分布也可以根據(jù)釋放系統(tǒng)而不同。
[0323] 例如，也可以賦予如下變化，S卩，屬于某配管系統(tǒng)的開口組的釋放開口的數(shù)量較 多，使之在成膜材料釋放部13的全域均衡地分布，屬于另一個配管系統(tǒng)的開口組的釋放開 口的數(shù)量較少，使之分布為成膜材料釋放部13的中央側(cè)較密，屬于其它另一個配管系統(tǒng)的 開口組的釋放開口的數(shù)量較多，使之分布為成膜材料釋放部13的邊部側(cè)較密。
[0324] 主要通過針對各個釋放系統(tǒng)而使如下任一個項目不同，能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的作用效 果。
[0325] 換言之，通過針對每個釋放系統(tǒng)使成膜蒸氣的時間內(nèi)的釋放量、釋放分布不同，能 夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的作用效果。
[0326] (1)各釋放開口的實(shí)際的開口面積。
[0327] (2)釋放開口的實(shí)際的總開口面積。
[0328] (3)釋放開口的分布。
[0329] (4)釋放開口的數(shù)量。
[0330] (5)釋放系統(tǒng)的流路阻力。
[0331]以上說明的實(shí)施方式中，具備3個系統(tǒng)的釋放系統(tǒng)57、58、59，在各釋放系統(tǒng)設(shè)有 加熱機(jī)構(gòu)23、24、35、36。這些加熱機(jī)構(gòu)23、24、35、36均是加熱器，僅具備升溫功能，但也可 以除此以外還具備冷卻功能。
[0332] 例如，也推薦如下結(jié)構(gòu)，S卩，通過如圖19所示地在各歧管部66、67、68設(shè)有熱介質(zhì) 配管198、如圖20所示地設(shè)有熱介質(zhì)護(hù)套199等的對策，來進(jìn)行各歧管部66、67、68的溫度 調(diào)節(jié)。在本實(shí)施方式中，熱介質(zhì)配管198、熱介質(zhì)護(hù)套199成為熱介質(zhì)流路，使高溫或者低溫 的熱介質(zhì)在該熱介質(zhì)流路通過，能夠調(diào)節(jié)各歧管部66、67、68的溫度。
[0333]因此，能夠?qū)⑵绻懿?6、67、68的溫度維持為適于成膜材料的溫度。因此，釋放氣 化溫度較高的成膜材料，接著利用相同的釋放系統(tǒng)來釋放氣化溫度較低的成膜材料，這樣 的情況下，也能夠冷卻釋放系統(tǒng)，從而能夠早開始在低溫就會氣化的成膜材料的蒸鍍。即， 能夠縮短釋放的成膜材料的切換時間。
[0334] 本實(shí)施方式的真空蒸鍍裝置1、62、96、90、97中，按照釋放系統(tǒng)57、58、59地改變節(jié) 流件85、86、87的大小，并利用釋放系統(tǒng)57、58、59使成膜蒸氣的釋放狀態(tài)不同。而且，由于 與成膜材料的特性對應(yīng)地選定釋放系統(tǒng)57、58、59，所以能夠在優(yōu)選的成膜條件下使各薄膜 層成膜。因此有難以產(chǎn)生膜的厚度的差別的效果。
[0335] 所述的實(shí)施方式中，在共蒸鍍工序中，作為通過共蒸鍍而成膜的層中所含有的成 分，使用含有量不同的主成膜材料和次成膜材料，但本發(fā)明不限定于此，也可以使用含有量 相同的成膜材料。
[0336] 所述的實(shí)施方式中，舉例表示了使用本發(fā)明的真空蒸鍍裝置來制造從基板側(cè)取出 光的底部放射型有機(jī)EL裝置的方法，但本發(fā)明不限定于此，本發(fā)明的真空蒸鍍裝置也能夠 用于從基板的相反側(cè)取出光的上部反射型有機(jī)EL裝置。
[0337] 附圖標(biāo)記的說明
[0338] 1、62、91、96、97?真空蒸鍍裝置；2、43、45?成膜室；3?釋放回路 ；6?歧管組； 8…閘門部件；10a?10j…蒸發(fā)部；11…基板（基材）；13…成膜材料釋放部；15、78…殘留 蒸氣除去機(jī)構(gòu)；16a?16j…成膜材料；18a?18j…成膜蒸氣；21…蒸發(fā)室；22…;t甘堝；27、 28、29…膜厚傳感器；37、38、39…主體部；40a?40j…主開閉閥；46、47、48…膜厚確認(rèn)用的 釋放開口；66、67、68…歧管部；73…空洞部；75、76、77…延長管；80、81、82…釋放開口；85、 86、87…節(jié)流件；93…開口；100…有機(jī)EL裝置；105…功能層；198…熱介質(zhì)配管（熱介質(zhì)流 路）；199…熱介質(zhì)護(hù)套（熱介質(zhì)流路）。
【主權(quán)項】
1. 一種真空蒸鍛裝置，其具有能夠減壓且能夠設(shè)置基材的成膜室、和設(shè)有多個向基材 釋放成膜材料的蒸氣的釋放開口的成膜材料釋放部，從成膜材料釋放部釋放成膜材料的蒸 氣而在基材上成膜，所述真空蒸鍛裝置的特征在于， 具備存在多個釋放系統(tǒng)的流路結(jié)構(gòu)，在所述釋放系統(tǒng)中具有多個使成膜材料蒸發(fā)的蒸 發(fā)部，并且一個所述釋放系統(tǒng)是連接由1個或者多個蒸發(fā)部構(gòu)成的一組的蒸發(fā)部組與由多 個釋放開口構(gòu)成的一組的開口組連接而形成的， 所述真空蒸鍛裝置構(gòu)成為，在每個所述蒸發(fā)部存在主開閉閥，打開該主開閉閥來向成 膜材料釋放部導(dǎo)入由蒸發(fā)部產(chǎn)生的蒸氣，并從成膜材料釋放部釋放成膜材料的蒸氣而在基 材上成膜， 所述蒸發(fā)部組是W使各個成膜材料的蒸氣在單位時間內(nèi)的目標(biāo)釋放量近似的成為一 個組的方式選擇而成的。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空蒸鍛裝置，其特征在于， 從蒸發(fā)部在釋放開口的開口端附近設(shè)有節(jié)流件，在一個釋放系統(tǒng)內(nèi)配置的節(jié)流件的開 口面積基于一定的基準(zhǔn)而設(shè)定，在其它至少一個釋放系統(tǒng)設(shè)置的節(jié)流件根據(jù)不同的基準(zhǔn)設(shè) 定。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的真空蒸鍛裝置，其特征在于， 屬于各開口組的釋放開口的開口面積大致相同。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的真空蒸鍛裝置，其特征在于， 在屬于各開口組的釋放開口中混有開口面積不同的釋放開口。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1?4中任一項所述的真空蒸鍛裝置，其特征在于， 各開口組的釋放開口的總面積相互不同。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1?5中任一項所述的真空蒸鍛裝置，其特征在于， 與屬于一個開口組的釋放開口鄰接的釋放開口均是屬于不同的開口組的釋放開口。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1?6中任一項所述的真空蒸鍛裝置，其特征在于， 具備對釋放系統(tǒng)的一部分或者全部進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)的熱介質(zhì)流路。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1?7中任一項所述的真空蒸鍛裝置，其特征在于， 在成膜室內(nèi)存在膜厚傳感器和膜厚確認(rèn)用的釋放開口，釋放系統(tǒng)與膜厚確認(rèn)用的釋放 開口連通。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1?8中任一項所述的真空蒸鍛裝置，其特征在于， 所述釋放開口直接或者經(jīng)由延長管而與歧管部的內(nèi)部空間連通， 1個或者多個歧管部的一部分或者全部在成膜室外配置。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1?8中任一項所述的真空蒸鍛裝置，其特征在于， 所述釋放開口直接或者經(jīng)由延長管而與歧管部的內(nèi)部空間連通， 1個或者多個歧管部在成膜室外配置， 另外具有在成膜室內(nèi)配置的膜厚傳感器和膜厚確認(rèn)用的釋放開口， 在所述成膜室外配置的歧管部與膜厚確認(rèn)用的釋放開口連通。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1?10中任一項所述的真空蒸鍛裝置，其特征在于， 所述釋放開口直接或者經(jīng)由延長管而與歧管部的內(nèi)部空間連通， 所述歧管部具備殘留蒸氣除去機(jī)構(gòu)， 在成膜后，該殘留蒸氣除去機(jī)構(gòu)能夠使歧管部的一部分的溫度降低而使在歧管部內(nèi)殘 留的成膜材料的蒸氣的性狀變化。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1?11中任一項所述的真空蒸鍛裝置，其特征在于， 具有覆蓋成膜材料釋放部的全部釋放開口的閩口部件， 閩口部件能夠相對于所述釋放開口相對移動，且具備開口， 閩口部件使閩口部件的開口與所述釋放開口 一致而能夠使全部釋放開口為敞開狀態(tài)， 另外，閩口部件使閩口部件的開口從所述釋放開口偏離，而能夠使全部釋放開口為閉 塞狀態(tài)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1?12中任一項所述的真空蒸鍛裝置，其特征在于， 對于各個釋放系統(tǒng)來說，W下（1)?巧）的項目中的至少一個項目不同： (1) 各釋放開口的實(shí)際的開口面積； (2) 釋放開口的實(shí)際的總開口面積； (3) 釋放開口的分布； (4) 釋放開口的數(shù)量； (5) 釋放系統(tǒng)的流路阻力。
14. 一種有機(jī)化裝置的制造方法，其在單一成膜室內(nèi)進(jìn)行相對于基材真空蒸鍛多個成 膜層的多個蒸鍛工序，所述有機(jī)化裝置的制造方法的特征在于， 進(jìn)行真空蒸鍛的真空蒸鍛裝置具備存在多個釋放系統(tǒng)的流路結(jié)構(gòu)，在所述釋放系統(tǒng)中 具有多個使成膜材料蒸發(fā)的蒸發(fā)部，并且一個所述釋放系統(tǒng)是連接由1個或者多個蒸發(fā)部 構(gòu)成的一組的蒸發(fā)部組與由多個釋放開口構(gòu)成的一組的開口組而形成的，并在每個所述蒸 發(fā)部存在主開閉閥，打開該主開閉閥而向成膜材料釋放部導(dǎo)入由蒸發(fā)部產(chǎn)生的蒸氣，并從 成膜材料釋放部釋放成膜材料的蒸氣而在基材上成膜， 使所述釋放開口的開口面積針對各個釋放系統(tǒng)而不同，向?qū)儆谒稣舭l(fā)部組的蒸發(fā) 部，選擇性地投入各個成膜材料的蒸氣在單位時間內(nèi)的目標(biāo)釋放量近似的成膜材料，利用 所述蒸發(fā)部使成膜材料蒸發(fā)而在基材上成膜，從而進(jìn)行多個蒸鍛工序。
15. -種有機(jī)化裝置的制造方法，其使用權(quán)利要求1至13中任一項所述的真空蒸鍛裝 置，來實(shí)施多次同時釋放主成膜材料和次成膜材料而形成共蒸鍛有機(jī)層的共蒸鍛工序，從 而制造含有多個共蒸鍛有機(jī)層的有機(jī)化裝置，所述有機(jī)化裝置的制造方法的特征在于， 將多種主成膜材料選擇性地投入屬于相同的蒸發(fā)部組的蒸發(fā)部，并將多種次成膜材料 選擇性地投入屬于其它的蒸發(fā)部組的蒸發(fā)部，利用所述蒸發(fā)部分別使成膜材料蒸發(fā)而在基 材上使共蒸鍛有機(jī)層成膜。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機(jī)化裝置的制造方法，其特征在于， 在共蒸鍛工序中，在屬于單一釋放系統(tǒng)的單一蒸發(fā)部使主成膜材料蒸發(fā)、而從屬于所 述釋放系統(tǒng)的釋放開口釋放主成膜材料的蒸氣，并在屬于與所述釋放系統(tǒng)不同的單一釋放 系統(tǒng)的單一蒸發(fā)部使次成膜材料蒸發(fā)、而從屬于所述釋放系統(tǒng)的釋放開口釋放次成膜材料 的蒸氣。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的有機(jī)化裝置的制造方法，其特征在于， 所述真空蒸鍛裝置具備所屬的開口組的釋放開口的總面積較大的大容量用釋放系統(tǒng)、 和所屬的開口組的釋放開口的總面積比大容量用釋放系統(tǒng)的釋放開口的總面積小的小容 量用釋放系統(tǒng)， 所述主成膜材料是在成膜的層中較多含有的成分，次成膜材料是在成膜的層中含有量 比主成膜材料的含有量少的成分， 將主成膜材料選擇性地投入屬于大容量用釋放系統(tǒng)的蒸發(fā)部，并將次成膜材料選擇性 地投入屬于小容量用釋放系統(tǒng)的蒸發(fā)部。
18. 根據(jù)權(quán)利要求15?17中任一項所述的有機(jī)化裝置的制造方法，其特征在于， 所述真空蒸鍛裝置是具有在成膜室內(nèi)存在膜厚傳感器和膜厚確認(rèn)用的釋放開口、且歧 管部與膜厚確認(rèn)用的釋放開口連通的結(jié)構(gòu)的裝置，實(shí)施從屬于一個W上的釋放系統(tǒng)的釋放 開口釋放主成膜材料、同時從屬于另外一個W上的釋放系統(tǒng)的釋放開口釋放次成膜材料、 而形成共蒸鍛有機(jī)層的共蒸鍛工序，且在實(shí)施共蒸鍛工序時能夠檢測僅主成膜材料的成膜 狀態(tài)W及或者僅次成膜材料的成膜狀態(tài)。
19. 根據(jù)權(quán)利要求15?18中任一項所述的有機(jī)化裝置的制造方法，其特征在于， 所述有機(jī)化裝置在2個電極層之間夾持有功能層， 該功能層具有多個發(fā)光層，所述多個發(fā)光層是在作為所述主成膜材料的主體材料中滲 雜作為所述次成膜材料的巧光材料或者磯光材料而成的， 至少2個發(fā)光層在所述成膜室內(nèi)成膜。
【專利摘要】本發(fā)明涉及具備多個蒸發(fā)器的真空蒸鍍裝置，提出蒸發(fā)器和成膜材料的優(yōu)選的組合。具備成膜室(2)和使成膜材料氣化而朝向基材釋放的一系列的釋放回路(3)。釋放回路(3)由蒸發(fā)部(10a～10j)、歧管組(6)、成膜材料釋放部(13)、閘門部件(8)構(gòu)成。在成膜材料釋放部(13)分布有與歧管部(66、67、68)連通的釋放開口(80、81、82)。在釋放開口(80、81、82)的開口端附近設(shè)有節(jié)流件(85、86、87)。節(jié)流件(85、86、87)的開口面積針對各個歧管部(66、67、68)而不同?？紤]將成膜材料(16a～16j)的需要的膜厚近似的放入相同組的蒸發(fā)部(10a～10j)。
【IPC分類】H01L51-50, H05B33-10, C23C14-24
【公開號】CN104540975
【申請?zhí)枴緾N201380042666
【發(fā)明人】加古修平
【申請人】株式會社鐘化
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2013年8月2日
【公告號】EP2883978A1, US20150221897, WO2014027578A1