專利名稱：一種蒸鍍用掩模板的加工工藝、返修工藝的制作方法
一種蒸鍍用掩模板的加工工藝、返修工藝技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于掩模板加工領(lǐng)域，涉及一種蒸鍍用掩模板，特別涉及一種蒸鍍用掩模板的加工工藝；同時，本發(fā)明還涉及一種蒸鍍用掩模板的返修工藝。
技術(shù)背景
有機發(fā)光顯示器(OrganicLight Emitting Display,簡稱 0LED)不但具備 CRT 顯示器的高亮度、消耗能源少以及LCD顯示器的輕巧薄的特點，還具有不受環(huán)境的限制、無需背光燈的突出有點。即便在陽光下也能輕松看清圖案文字，并具有卷折的功能。OLED顯示屏可以做得更輕更薄，可視角度更大，并且能夠顯著節(jié)省電能。OLED的組成包括I片約1.3mm的玻璃基板、小于0.3mm的高純度金屬材料和ITO導(dǎo)電玻璃，總厚度小于2mm。OLED的制造關(guān)鍵環(huán)節(jié)是，將有機發(fā)光材料涂布到ITO表面，其涂布質(zhì)量直接決定了 OLED的質(zhì)量，制作中需要用到兩種掩模板:一種是光學(xué)掩模板，用于對ITO導(dǎo)電玻璃進行光刻，制取透明的導(dǎo)電陽極，通常采用CRT蔭罩制版技術(shù)制作鉻光學(xué)掩模板，其方法依次有以下步驟:光刻鉻板、顯影、蝕刻、脫模、清洗、干燥、成品；另一種是金屬掩模板，用作蒸鍍掩模在器件上蒸鍍金屬條狀陰極，一般采用CRT蔭罩精細(xì)蝕刻技術(shù)制作金屬掩模板。
具有通過附加電壓而發(fā)光的地分子有機EL材料形成的有機發(fā)光層的有機EL顯示面板是通過下述方式制造成的，即，在透明基板上形成透明電極層，在該透明電極層上形成由低分子有機EL材料形成的有機發(fā)光層,還有該有機發(fā)光層上形成金屬電極層。在該有機EL顯示面板的制造工序中，在透明電極層上的有機發(fā)光層的形成通常采用具有規(guī)定圖案的多個微細(xì)通孔的蒸鍍用金屬掩模板，將低分子有機EL材料蒸鍍于基板上的方法而進行的。
目前，基板表面上由蒸鍍對象形成薄膜的方法，是使用蒸鍍法，在蒸鍍法中，為了在不形成薄膜等的部分不進行蒸鍍，用蒸鍍用掩模板將表面覆蓋而進行蒸鍍。
又制造有機發(fā)光元件時，在基板上，每IOum寬度的像素必須將紅、綠、藍(lán)的發(fā)光部并列，各像素的位置精度必須為±5um的程度；又由于蒸鍍過程中，溫度不斷升高，受板材受熱膨脹的影響，掩模組件會相對于基板產(chǎn)生位置偏差，因此對真空蒸鍍裝置掩模的開口尺寸精度要求很高。
目前一般采用蝕刻工藝制作蒸鍍用掩模板，而蝕刻工藝存在側(cè)蝕現(xiàn)象。側(cè)蝕是利用現(xiàn)有時刻工藝不可避免的，請參閱圖5，圖5中的蝕刻最終開口 7上下尺寸大，中間尺寸小。這種上下尺寸大，中間尺寸小的開口會影響蒸鍍材料成膜
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的旨在至少解決上述技術(shù)缺陷之一，特別是解決蝕刻工藝中由于側(cè)蝕導(dǎo)致的開口上下面大、中間小的問題。
為達到上述目的，本發(fā)明提出了一種蒸鍍用掩模板的加工工藝，包括:步驟S1:蝕刻開始，金屬掩模板的部分表面被圖形所保護，其余金屬掩模板表面和蝕刻液接觸，此時蝕刻垂直向深度進行； 步驟S2:當(dāng)金屬掩模板的上表面被蝕刻到一定深度后，裸露的兩側(cè)出現(xiàn)新的金屬掩模板面，這時蝕刻液除向垂直方向之外還向兩側(cè)進行蝕刻； 步驟S3:蝕刻金屬掩模板的下表面，蝕刻垂直向深度進行； 步驟S4:蝕刻完成，形成最終的開口 ； 步驟S5:對掩模板開口尺寸進行檢測，判斷是否合格；若開口的上下尺寸與中間尺寸的差大于設(shè)定值，轉(zhuǎn)向步驟S6; 步驟S6:采用噴砂微處理對開口不合格掩模板進行返修，對開口處的凸起進行噴砂處理；使開口的上下尺寸與中間尺寸的差符合設(shè)定要求。
在本發(fā)明的一個實施例中，步驟S2中，隨著蝕刻深度的增加，兩側(cè)金屬掩模板面的蝕刻面積也在加大；開始的部分被蝕刻的時間長，向兩側(cè)蝕刻的深度大，形成側(cè)蝕，底部蝕刻時間較短，側(cè)蝕相對輕微。
在本發(fā)明的一個實施例中，步驟S3中，蝕刻金屬掩模板的下表面時,蝕刻液噴向板面時即刻落下，溶液交換的速度快，始終有新溶液噴向板面，減少了側(cè)蝕的機會，側(cè)蝕較小。
在本發(fā)明的一個實施例中，步驟S5中，通過CXD對掩模板開口尺寸進行檢測，以中間小尺寸為依據(jù)判斷，若其開口尺寸偏差在±20 μ m，判斷為合格產(chǎn)品。
在本發(fā)明的一個實施例中，步驟S6中，噴砂微處理過程依次包括:除油步驟，溢流水洗步驟，酸洗步驟，噴砂步驟，清洗步驟，加壓水洗步驟，超聲波浸洗步驟，HF水洗步驟，加壓水洗步驟，DI水洗步驟，風(fēng)干步驟 。
其中，所述除油步驟中，除油溶液包括:6 12g/L的氫氧化鈉、25 40g/L的碳酸鈉、20 50g/L的磷酸鈉、10 30ml/L的除油劑； 所述酸洗步驟中，酸當(dāng)量為1.0-1.2，成分為稀硫酸； 所述噴砂步驟中，噴砂的砂目數(shù)為200 400目；噴砂的砂為金剛砂；噴砂速度為400 600mm/min。
在本發(fā)明的一個實施例中，所述步驟S6中，噴砂微處理后對掩模板開口進行二次檢測，判斷是否合格；若開口的上下尺寸與中間尺寸的差依然大于設(shè)定值，則繼續(xù)進行噴砂未處理，直至開口尺寸偏差控制在±20 μ m。
同時，本發(fā)明提出了一種蒸鍍用掩模板的加工工藝，包括: 步驟S4:蝕刻金屬掩模板，形成最終的開口 ； 步驟S5:對掩模板開口尺寸進行檢測，判斷是否合格；若開口的上下尺寸與中間尺寸的差大于設(shè)定值，轉(zhuǎn)向步驟S6; 步驟S6:采用噴砂微處理對開口不合格掩模板進行返修，對開口處的凸起進行噴砂處理；使開口的上下尺寸與中間尺寸的差符合設(shè)定要求。
此外，本發(fā)明提出了一種蒸鍍用掩模板的返修工藝，采用噴砂微處理對開口不合格掩模板進行返修，對開口處的凸起進行噴砂處理；使開口的上下尺寸與中間尺寸的差符合設(shè)定要求。
在本發(fā)明的一個實施例中，噴砂微處理過程依次包括:除油步驟，溢流水洗步驟，酸洗步驟，噴砂步驟，清洗步驟，加壓水洗步驟，超聲波浸洗步驟，HF水洗步驟，加壓水洗步驟，DI水洗步驟，風(fēng)干步驟。
其中，所述除油步驟中，除油溶液包括:6 12g/L的氫氧化鈉、25 40g/L的碳酸鈉、20 50g/L的磷酸鈉、10 30ml/L的除油劑； 所述酸洗步驟中，酸當(dāng)量為1.0-1.2，成分為稀硫酸； 所述噴砂步驟中，噴砂的砂目數(shù)為200 400目；噴砂的砂為金剛砂；噴砂速度為400 600mm/min。
在本發(fā)明的一個實施例中，噴砂微處理后對掩模板開口進行二次檢測，判斷是否合格；若開口的上下尺寸與中間尺寸的差依然大于設(shè)定值，則繼續(xù)進行噴砂未處理，直至開口尺寸偏差控制在±20 μ m。
通過本發(fā)明提出的蒸鍍用掩模板的加工工藝、返修工藝，用間接手段解決了蝕刻工藝中由于側(cè)蝕導(dǎo)致的開口上下面大、中間小的現(xiàn)象，提高開口尺寸精度及生產(chǎn)合格率，降低報廢率；同時提高了蒸鍍過程中有機蒸鍍材料的成膜率。
本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實踐了解到。


本發(fā)明上述的和/或附加的方面和優(yōu)點從下面結(jié)合附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中: 圖1為本發(fā)明加工工藝步驟Si蝕刻開始的示意圖； 圖2為本發(fā)明加工工藝步驟S2側(cè)蝕開始的示意圖； 圖3為本發(fā)明加工工藝步驟S2進一步側(cè)蝕的示意圖； 圖4為本發(fā)明加工工藝步驟S3下噴淋蝕刻的示意圖； 圖5為本發(fā)明加工工藝步驟S4形成開口的示意圖； 圖6為本發(fā)明加工工藝步驟S5噴砂過程的示意圖； 圖7為本發(fā)明加工工藝步驟S6微處理后開口的示意圖； 圖8為本發(fā)明加工工藝的流程圖。
具體實施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。
在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“上”、“下”、“兩側(cè)”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。
實施例一本發(fā)明的主要創(chuàng)新之處在于，本發(fā)明創(chuàng)新地提出了一種蒸鍍用掩模板的加工工藝，請參閱圖8，本發(fā)明加工工藝包括如下步驟: 步驟S1:請參閱圖1、圖3，蝕刻開始，金屬掩模板2的部分表面被圖形(曝光干膜)1、3所保護，其余金屬掩模板2表面和蝕刻液接觸，此時蝕刻垂直向深度(箭頭4的方向)進行。
本實施例中，掩模板的材料可以為因瓦合金；掩模板厚度為30-150 μ m。
步驟S2:請參閱圖2，當(dāng)金屬掩模板2的上表面被蝕刻到一定深度后，裸露的兩側(cè)出現(xiàn)新的金屬掩模板面，這時蝕刻液除向垂直方向(箭頭4的方向)之外還向兩側(cè)(箭頭5的方向)進行蝕刻。
請參閱圖3，隨著蝕刻深度的增加，兩側(cè)金屬掩模板面的蝕刻面積也在加大；開始的部分被蝕刻的時間長，向兩側(cè)蝕刻的深度大，形成側(cè)蝕，底部蝕刻時間較短，側(cè)蝕相對輕微。
步驟S3:請參閱圖4，蝕刻金屬掩模板2的下表面，蝕刻垂直向深度進行(箭頭6的方向)。
蝕刻金屬掩模板的下表面時，蝕刻液噴向板面時即刻落下，溶液交換的速度快，始終有新溶液噴向板面，減少了側(cè)蝕的機會，側(cè)蝕較小。
步驟S4:請參閱圖5，蝕刻完成，形成最終的開口 7。
步驟S5:對掩模板開口 7的尺寸進行檢測，判斷是否合格；若開口 7的上下尺寸與中間尺寸的差大于設(shè)定值，轉(zhuǎn)向步驟S6。
本實施例中，通 過CXD對掩模板開口尺寸進行檢測，以中間小尺寸為依據(jù)判斷，若其開口尺寸偏差在±20 μ m，判斷為合格產(chǎn)品。
不合格產(chǎn)品偏差的一般在-30 一 20 μ m，20 30 μ m，對該段產(chǎn)品通過步驟S6進行返修。
步驟S6:請參閱圖6、圖7，采用噴砂微處理對開口不合格掩模板進行返修，對開口7處的凸起10進行噴砂處理，噴砂處理如圖6中箭頭8所示方向，形成新的開口 9 ;使開口9的上下尺寸與中間尺寸的差符合設(shè)定要求。
噴砂微處理后對掩模板開口進行二次檢測，判斷是否合格；若開口的上下尺寸與中間尺寸的差依然大于設(shè)定值，則繼續(xù)進行噴砂未處理，直至開口尺寸偏差控制在+ 20 μ nio
其中，噴砂微處理過程依次包括:除油步驟，溢流水洗步驟，酸洗步驟，噴砂步驟，清洗步驟，加壓水洗步驟，超聲波浸洗步驟，HF水洗步驟，加壓水洗步驟，DI水洗步驟，風(fēng)干步驟。
所述除油步驟中，除油溶液包括:6 12g/L的氫氧化鈉、25 40g/L的碳酸鈉、20 50g/L的磷酸鈉、10 30ml/L的除油劑； 所述酸洗步驟中，酸當(dāng)量為1.0-1.2，成分為稀硫酸； 所述噴砂步驟中，噴砂的砂目數(shù)為200 400目；噴砂的砂為金剛砂；噴砂速度為400 600mm/min。
以上的描述中，步驟S1-S4形成最終開口的過程僅是本發(fā)明的一種實施方式，形成最終開口的流程也可以為其他方式。
實施例二 本發(fā)明提出了一種蒸鍍用掩模板的返修工藝，采用噴砂微處理對開口不合格掩模板進行返修。請參閱圖6、圖7，對開口處的凸起10進行噴砂處理，噴砂處理如圖6中箭頭8所示方向，形成新的開口 9 ;使開口的上下尺寸與中間尺寸的差符合設(shè)定要求。
噴砂微處理后對掩模板開口進行二次檢測，判斷是否合格；若開口的上下尺寸與中間尺寸的差依然大于設(shè)定值，則繼續(xù)進行噴砂未處理，直至開口尺寸偏差控制在+ 20 μ nio
在本發(fā)明的一個實施例中，噴砂微處理過程依次包括:除油步驟，溢流水洗步驟，酸洗步驟，噴砂步驟，清洗步驟，加壓水洗步驟，超聲波浸洗步驟，HF水洗步驟，加壓水洗步驟，DI水洗步驟，風(fēng)干步驟。
所述除油步驟中，除油溶液包括:6 12g/L的氫氧化鈉、25 40g/L的碳酸鈉、20 50g/L的磷酸鈉、10 30ml/L的除油劑； 所述酸洗步驟中，酸當(dāng)量為1.0-1.2，成分為稀硫酸； 所述噴砂步驟中，噴砂的砂目數(shù)為200 400目；噴砂的砂為金剛砂；噴砂速度為400 600mm/min。
盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要 求及其等同限定。
權(quán)利要求
1.一種蒸鍍用掩模板的加工工藝，其特征在于，包括: 步驟S1:蝕刻開始，金屬掩模板的部分表面被圖形所保護，其余金屬掩模板表面和蝕刻液接觸，此時蝕刻垂直向深度進行； 步驟S2:當(dāng)金屬掩模板的上表面被蝕刻到一定深度后，裸露的兩側(cè)出現(xiàn)新的金屬掩模板面，這時蝕刻液除向垂直方向之外還向兩側(cè)進行蝕刻； 步驟S3:蝕刻金屬掩模板的下表面，蝕刻垂直向深度進行； 步驟S4:蝕刻完成，形成最終的開口 ； 步驟S5:對掩模板開口尺寸進行檢測，判斷是否合格；若開口的上下尺寸與中間尺寸的差大于設(shè)定值，轉(zhuǎn)向步驟S6; 步驟S6:采用噴砂微處理對開口不合格掩模板進行返修，對開口處的凸起進行噴砂處理；使開口的上下尺寸與中間尺寸的差符合設(shè)定要求。
2.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍用掩模板的加工工藝，其特征在于，步驟S2中，隨著蝕刻深度的增加，兩側(cè)金屬掩模板面的蝕刻面積也在加大；開始的部分被蝕刻的時間長，向兩側(cè)蝕刻的深度大，形成側(cè)蝕，底部蝕刻時間較短，側(cè)蝕相對輕微。
3.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍用掩模板的加工工藝，其特征在于，步驟S3中，蝕刻金屬掩模板的下表面時，蝕刻液噴向板面時即刻落下，溶液交換的速度快，始終有新溶液噴向板面，減少了側(cè)蝕的機會，側(cè)蝕較小。
4.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍用掩模板的加工工藝，其特征在于，步驟S5中，通過CCD對掩模板開口尺寸進行檢測，以中間小尺寸為依據(jù)判斷，若其開口尺寸偏差在±20μπι，判斷為合格產(chǎn)品。
5.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍用掩模板的加工工藝，其特征在于，步驟S6中，噴砂微處理過程依次包括:除油步驟，溢流水洗步驟，酸洗步驟，噴砂步驟，清洗步驟，加壓水洗步驟，超聲波浸洗步驟，HF水洗步驟，加壓水洗步驟，DI水洗步驟，風(fēng)干步驟。
6.如權(quán)利要求5所述的蒸鍍用掩模板的加工工藝，其特征在于，所述除油步驟中，除油溶液包括:6 12g/L的氫氧化鈉、25 40g/L的碳酸鈉、20 50g/L的磷酸鈉、10 30ml/L的除油劑。
7.如權(quán)利要求5所述的蒸鍍用掩模板的加工工藝，其特征在于，所述酸洗步驟中，酸當(dāng)量為1.0-1.2,成分為稀硫酸。
8.如權(quán)利要求5所述的蒸鍍用掩模板的加工工藝，其特征在于，所述噴砂步驟中，噴砂的砂目數(shù)為200 400目；噴砂的砂為金剛砂；噴砂速度為400 600mm/min。
9.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍用掩模板的加工工藝，其特征在于，所述步驟S6中，噴砂微處理后對掩模板開口進行二次檢測，判斷是否合格；若開口的上下尺寸與中間尺寸的差依然大于設(shè)定值，則繼續(xù)進行噴砂未處理，直至開口尺寸偏差控制在±20 μ m。
10.一種蒸鍍用掩模板的加工工藝，其特征在于，包括: 步驟S4:蝕刻金屬掩模板，形成最終的開口 ； 步驟S5:對掩模板開口尺寸進行檢測，判斷是否合格；若開口的上下尺寸與中間尺寸的差大于設(shè)定值，轉(zhuǎn)向步驟S6; 步驟S6:采用噴砂微處理對開口不合格掩模板進行返修，對開口處的凸起進行噴砂處理；使開口的上下尺寸與中間尺寸的差符合設(shè)定要求。
11.一種蒸鍍用掩模板的返修工藝，其特征在于，包括:采用噴砂微處理對開口不合格掩模板進行返修，對開口處的凸起進行噴砂處理；使開口的上下尺寸與中間尺寸的差符合設(shè)定要求。
12.如權(quán)利要求11所述的蒸鍍用掩模板的返修工藝，其特征在于，噴砂微處理過程依次包括:除油步驟，溢流水洗步驟，酸洗步驟，噴砂步驟，清洗步驟，加壓水洗步驟，超聲波浸洗步驟，HF水洗步驟，加壓水洗步驟，DI水洗步驟，風(fēng)干步驟。
13.如權(quán)利要求12所述的蒸鍍用掩模板的返修工藝，其特征在于，所述除油步驟中，除油溶液包括:6 12g/L的氫氧化鈉、25 40g/L的碳酸鈉、20 50g/L的磷酸鈉、10 30ml/L的除油劑。
14.如權(quán)利要求12所述的蒸鍍用掩模板的返修工藝，其特征在于，所述酸洗步驟中，酸當(dāng)量為1.0-1.2,成分為稀硫酸。
15.如權(quán)利要求12所述的蒸鍍用掩模板的返修工藝，其特征在于，所述噴砂步驟中，噴砂的砂目數(shù)為200 400目；噴砂的砂為金剛砂；噴砂速度為400 600mm/min。
16.如權(quán)利要求11所述的蒸鍍用掩模板的返修工藝，其特征在于，噴砂微處理后對掩模板開口進行二次檢測，判斷是否合格；若開口的上下尺寸與中間尺寸的差依然大于設(shè)定值，則繼續(xù)進行噴砂未處 理，直至開口尺寸偏差控制在±20 μ m。
全文摘要
本發(fā)明提出一種蒸鍍用掩模板的加工工藝、返修工藝，所述加工工藝包括蝕刻金屬掩模板，形成最終的開口；對掩模板開口尺寸進行檢測，判斷是否合格；若開口的上下尺寸與中間尺寸的差大于設(shè)定值，則采用噴砂微處理對開口不合格掩模板進行返修，對開口處的凸起進行噴砂處理；使開口的上下尺寸與中間尺寸的差符合設(shè)定要求。通過本發(fā)明提出的蒸鍍用掩模板的加工工藝、返修工藝，用間接手段解決了蝕刻工藝中由于側(cè)蝕導(dǎo)致的開口上下面大、中間小的現(xiàn)象，提高開口尺寸精度及生產(chǎn)合格率,降低報廢率；同時提高了蒸鍍過程中有機蒸鍍材料的成膜率。
文檔編號C23F1/02GK103205692SQ20121001071
公開日2013年7月17日 申請日期2012年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月16日
發(fā)明者魏志凌, 高小平, 鄭慶靚, 孫倩 申請人:昆山允升吉光電科技有限公司