專利名稱：雙端磁控濺射離子鍍膜機的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及的是一種熱反射鍍膜機械。
目前，工業(yè)規(guī)模的建筑熱反射玻璃鍍膜機主要是直流磁控濺射鍍膜機，有的是單端口半連續(xù)式，有的是雙端口連續(xù)式。單端機長度尺寸小，投資少，但生產(chǎn)節(jié)拍慢；雙端機生產(chǎn)節(jié)拍快，但長度尺寸大，投資大。它們的共同問題是只能鍍一般的建筑熱反射玻璃，功能單一，并且膜的附著力、膜厚的均勻性、膜反射色和透光率的均勻性也存在一定問題。
本實用新型的目的就是提供一種雙端磁控濺射離子鍍膜機，具有長度尺寸小，投資少，多種功能的特點，并且產(chǎn)品質量明顯改善。
本實用新型的技術方案是由真空室和傳輸機構組成，真空室包括前、后鎖室、濺射區(qū)、壓差室和由濺射區(qū)隔離出來的隔離區(qū)，其中在壓差室和其前面的隔離區(qū)和前鎖室內設有加熱裝置，在濺射區(qū)內設有濺射靶和偏壓裝置，在前鎖室上開有入口，后鎖室上開有出口，在各個真空壁上設有穿越口。
下面結合實施例附圖詳述本實用新型。
首先對附圖進行說明


圖1表示本實用新型的結構示意圖；圖2表示抽屜式插入偏壓裝置的結構圖；圖3表示氣流均勻性擋板的結構圖。
參見
圖1，在上述技術方案中，欲鍍的基片由傳輸機構(10)傳動從入口端進入前鎖室(1)，經(jīng)過隔離區(qū)、濺射區(qū)、壓差室，最后進入后鎖室(7)并由出口端出去，其中設置的加熱裝置(11)可以將工件加熱到150℃，偏壓裝置(13)可以提供直流偏壓0－1500V。濺射靶(12)給基片鍍上所需的膜。由于本實用新型設置有入口端和出口端，即雙端結構，這就避免了單端設備裝卸片在同一端口相互等待的問題，減少了生產(chǎn)節(jié)拍時間，同時可以采取在程序上設計在同一靶下往返多次鍍的程序，在需要膜層厚的靶下往復多次鍍，解決了在設備長度方向尺寸小，靶位少的條件下鍍各種不同厚度的多層膜和多種膜反射色的問題，從而達到了設備長度尺寸小，投資較小，生產(chǎn)節(jié)拍快的目的。本實用新型由于設置了加熱裝置(11)和偏壓裝置(12)，膜的附著力更加牢固，除了可在玻璃上鍍通常的熱反射膜外，也可以鍍1JD透明導電低輻射膜，或在瓷磚、瓷板、鋼板上鍍熱反射膜，裝飾膜等。
為了減小真空室長度方向的尺寸，本實用新型設計有兩個濺射區(qū)(3)、(5)，使真空室全長小于10米，由濺射區(qū)(3)、(5)隔離出來的隔離區(qū)有兩個(2)、(6)，將前、后鎖室(1)、(7)與濺射區(qū)(3)、(5)相互隔開，壓差室(4)位于兩個濺射區(qū)(3)、(5)的中間，通過在靶下往返多次鍍而達到鍍各種不同厚度的多層膜和多種膜反射色的目的。
為了安裝、清洗、更換方便，本實用新型的偏壓裝置(13)為抽屜式插入結構，如圖2所示，即在濺射區(qū)(3)、(5)的前后真空壁(15)上裝有可上下調節(jié)的軌道(18)，帶偏壓網(wǎng)的偏壓框(20)的兩端裝有帶絕緣片(17)的滾輪(16)位于軌道(18)上，在偏壓框(20)上設有電接觸頭(19)。當偏壓框(20)沿軌道(18)密封地推入濺射區(qū)(3)、(5)到位時，電接觸頭(19)接通電源，偏壓裝置(12)即可提供0－1500V的偏壓，上下調節(jié)軌道(18)的高度，即可使偏壓網(wǎng)與基片之間有一個最佳距離，由于滾輪(16)上帶有絕緣片(17)，偏壓網(wǎng)對地(機殼)是電懸浮絕緣的。
鍍膜的均勻性一直是鍍膜設備追求的主要目標之一。為了使鍍膜膜厚均勻，本實用新型在真空壁的穿越口處設置有氣流均勻性擋板(21)，并可上下調節(jié)，如圖3所示，氣流均勻性擋板(21)為異形擋板，(22)是阻擋區(qū)，(23)是穿越口。因為濺射速率與壓力有關，只有壓力分布均勻時，膜厚才會均勻，在濺射室的空間內，由于種種原因，特別是抽氣的不均勻性，導致壓力的不均勻，從而影響了膜厚的均勻性。因此解決膜厚的均勻性應著力解決濺射室內壓力的均勻分布，即抽氣的均勻性。實驗結果表明，在沒有氣流均勻性擋板時，膜厚的均勻性(膜反射色和透光率的均勻性)較差，在設置了氣流均勻性擋板后，膜厚均勻性明顯改善，膜的反射色和透光率的均勻性隨之明顯改善。由于設置了氣流均勻性擋板，對曲面鍍膜的不均勻性也得到了改善。
本實用新型提供的雙端磁控濺射離子鍍膜機結構簡單，設計新穎、合理，具有長度尺寸小，使得投資較小，生產(chǎn)節(jié)拍快；具有多種功能，它既可以鍍一般建筑熱反射玻璃，也能鍍1JD透明熱反射導電膜之類的低輻射玻璃，既能在玻璃上鍍膜，也可以在瓷磚、瓷板、鋼板上鍍膜，既能在平板上鍍膜，也可以在有一定曲面的板上鍍膜，并且膜的附著力，膜厚均勻性，膜的反射色和透光率的均勻性都有明顯改善，從而大大提高了產(chǎn)品的質量。
按照附圖所示的實施方案，真空室包括前、后鎖室(1)、(7)，第1濺射區(qū)(3)，由第1濺射區(qū)(3)隔離出來的隔離區(qū)(2)，壓差室(4)，第2濺射區(qū)(5)，由第2濺射區(qū)(5)隔離出來的隔離區(qū)(6)，其中在前鎖室(1)、隔離區(qū)(2)和壓差室(4)內設有加熱裝置(11)，在第1、2濺射區(qū)(3)、(5)內設置有濺射靶(12)和偏壓裝置(13)，在各個真空壁(15)上設置有穿越口，在前鎖室(1)上開有入口，后鎖室(7)上開有出口，在入口處有上料臺(9)，出口處有卸料臺(8)，傳動機構(10)可采用傳送輥式結構，如
圖1所示，偏壓裝置(13)為抽屜式插入結構，如圖2所示，在穿越口處設置有氣流均勻性擋板(21)，結構如圖3所示。
權利要求1.一種雙端磁控濺射離子鍍膜機，由真空室和傳輸機構組成，本實用新型的特征是真空室包括前、后鎖室(1)、(7)、濺射區(qū)、壓差室(4)和由濺射區(qū)隔離出來的隔離區(qū)，其中在壓差室(4)和其前面的隔離區(qū)和前鎖室(1)內設有加熱裝置(11)，在濺射區(qū)內設有濺射靶(12)和偏壓裝置(13)，在前鎖室(1)上開有入口，后鎖室(7)上開有出口，在各個真空壁(15)上設有穿越口。
2.根據(jù)權利要求1所述的雙端磁控濺射離子鍍膜機，其特征是共設有兩個濺射區(qū)(3)、(5)。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的雙端磁控濺射離子鍍膜機，其特征是偏壓裝置(13)為抽屜式插入結構，即在濺射區(qū)(3)、(5)的前后真空壁(15)上裝有可上下調節(jié)的軌道(18)，帶偏壓網(wǎng)的偏壓框(20)的兩端裝有帶絕緣片(17)的滾輪(16)位于軌道(18)上，在偏壓框(20)上設有電接觸頭(19)。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的雙端磁控濺射離子鍍膜機，其特征是在各個真空壁的穿越口處設置有氣流均勻性擋板(21)，并可上下調節(jié)。
專利摘要本實用新型涉及的是一種雙端磁控濺射離子鍍膜機，由真空室和傳輸機構組成。其中真空室包括前、后鎖室、濺射區(qū)、隔離區(qū)和壓差室，真空室內設置有加熱裝置和濺射靶、偏壓裝置，在前鎖室上開有入口，后鎖室上開有出口，在真空室壁上設有穿越口。本實用新型具有長度尺寸小，從而投資小，生產(chǎn)節(jié)拍快，具有多種功能，既可以鍍熱反射玻璃，也可以鍍低輻射玻璃，還可以在瓷磚、鋼板上鍍膜以及在有一定曲面的板上鍍膜，且膜的附著力，膜厚的均勻性都明顯改善，從而大大提高產(chǎn)品的質量。
文檔編號C23C14/35GK2186249SQ9423722
公開日1994年12月28日 申請日期1994年4月27日 優(yōu)先權日1994年4月27日
發(fā)明者彭傳才, 魏敏, 胡云慧, 田雨時, 劉重光, 金昭廷, 黃廣連 申請人:長沙國防科技大學八達薄膜電子技術研究所