專利名稱：用于蔭罩的合金薄板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于蔭罩的具有優(yōu)良壓制成形性的合金薄板。
關(guān)于高清晰度TV提高彩色電視質(zhì)量的最新趨勢是使用含有34-38wt.%Ni的Fe-Ni合金作為制造蔭罩的合金以抑制彩色相位移，同長期以來被用作蔭罩材料的低碳鋼比較，傳統(tǒng)Fe-Ni合金具有相當(dāng)?shù)偷臒崤蛎浵禂?shù)。因此，甚至當(dāng)用電子束加熱蔭罩時，用常規(guī)Fe-Ni合金制造的蔭罩也不會出現(xiàn)由于蔭罩的熱膨脹而導(dǎo)致的彩色相位移問題。
制造用于蔭罩的合金薄板的通常作法包括以下各步驟。通過連續(xù)澆鑄法或制錠法來制取合金錠。對該合金錠進(jìn)行開坯初軋、熱軋、冷軋和退火以制取合金薄板。
然后，通常按以下各步驟對用于蔭罩的合金薄板進(jìn)行處理以制成蔭罩。(1)對該合金薄板進(jìn)行光蝕刻以在用于蔭罩的合金薄板上形成適于電子束通過的孔眼。這種用于蔭罩的光蝕刻多孔的合金薄板在下文中被稱為“平板蔭罩”(“flat mask”)。(2)對該平板蔭罩進(jìn)行退火。(3)將已退火的平板蔭罩壓制成陰極射線管的彎曲形狀。(4)將壓制成形的平板蔭罩組裝成蔭罩，然后對該蔭罩進(jìn)行黑化處理。
由于通過冷軋、再結(jié)晶退火和精軋而制得的傳統(tǒng)Fe-Ni合金的蔭罩材料比普通低碳鋼蔭罩材料具有更高的強度，所以在800℃或更高溫度對上述傳統(tǒng)Fe-Ni合金蔭罩材料進(jìn)行軟化退火(壓制前退火)，以保證蝕刻穿孔后的良好壓制成形性。然而，從加工效率和經(jīng)濟性的觀點來看，這種在800℃高溫的軟化是不利的。因此，在工業(yè)上有待于研究出即使它們是在低溫進(jìn)行軟化，也能獲得像在800℃或更高溫度被軟化的材料一樣低強度的材料。
在未經(jīng)審查的日本專利公開公報No.3-267320中公開了用于蔭罩的INVAR合金壓制成形性的改進(jìn)方法。這種先有技術(shù)在800℃以下的低溫軟化退火條件下提供一種能降低強度的技術(shù)，其中通過冷軋、再結(jié)晶退火和5～20%壓下率的精冷軋對合金進(jìn)行處理。軟化溫度在800℃以下。該先有技術(shù)生產(chǎn)出一種具有能給出良好壓制成形性的足夠低強度的薄板，由于在低于800℃的溫度進(jìn)行軟化退火，在200℃時的0.2%彈性極限應(yīng)力(proof stress)為9.5kgf/mm2(低于10kgf/mm2)。
然而，在未經(jīng)審查的日本專利公開公報No.3-267320中公開的技術(shù)僅僅以平均結(jié)晶粒度和強度為重點，所公開的方法將導(dǎo)致｛100｝晶面聚集度顯著增大并產(chǎn)生混合晶粒織構(gòu)。結(jié)果是，發(fā)現(xiàn)由先有技術(shù)制得的蔭罩在壓制成形期間擦傷模具，并很容易地在蔭罩邊緣處產(chǎn)生裂紋。此外，由先有技術(shù)制得的材料具有很強的平面各向異性，以致導(dǎo)致壓制成形后蔭罩的不清晰的穿孔邊緣，這會出現(xiàn)質(zhì)量問題。
本發(fā)明的目的是提供一種用于制造蔭罩的合金薄板，該合金薄板具有能提供不產(chǎn)生彩色相位移的高質(zhì)量熒光屏的良好壓制成形性。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種用于蔭罩的合金薄板，該合金薄板基本上由以下元素組成34～38wt.%的Ni、0.07wt.%或更低的Si、0.001wt.%或更低的B、0.003wt.%或更低的O，0.002wt.%或更低的N，其余是Fe和不可避免的雜質(zhì);
所述壓制成形前退火前的合金薄板具有10.5～15.0μm的平均奧氏體結(jié)晶粒度(DaV)，奧氏體結(jié)晶的最大粒度與最小粒度之比(Dmax/Dmin)為1～15，維氏硬度(Hv)為165～220，并滿足以下關(guān)系式10×Dav+80≥Hv≥10×Dav+50;和所述合金薄板在其表面上具有以下各晶面聚集度｛111｝晶面聚集度為14%或更低，｛100｝晶面聚集度為5～75%，｛110｝晶面聚集度為5～40%，｛311｝晶面聚集度為20%或更低，｛331｝晶面聚集度為20%或更低，｛210｝晶面聚集度為20%或更低，和｛211｝晶面聚集度為20%或更低。
所述合金薄板可包含1wt.%或更低的Co。
此外，本發(fā)明提供一種用于制造蔭罩的合金薄板，該合金薄板基本上由以下元素組成28～38wt.%的Ni、0.07wt.%或更低的Si、1wt.%以上～7wt.%的Co、0.001wt.%或更低的B、0.003wt.%或更低的O、0.002wt.%或更低的N，其余是Fe和不可避免的雜質(zhì);
所述壓制成形前退火前的合金薄板具有10.5～15.0μm的平均奧氏體結(jié)晶粒度(DaV)，奧氏體結(jié)晶的最大粒度與最小粒度之比(Dmax/Dmin)為1～15，維氏硬度(Hv)為165～220，并滿足以下關(guān)系式10×Dav+80≥Hv≥10×Dav+50;和所述合金薄板在其表面上具有以下各晶面聚集度｛111｝晶面聚集度為 14%或更低，｛100｝晶面聚集度為 5～75%，｛110｝晶面聚集度為 5～40%，｛311｝晶面聚集度為 20%或更低，｛331｝晶面聚集度為 20%或更低，｛210｝晶面聚集度為 20%或更低，和｛211｝晶面聚集度為 20%或更低。
更進(jìn)一步，本發(fā)明提供一種用于制造蔭罩的合金薄板，該合金薄板基本上由以下元素組成34～38wt.%的Ni、0.01～3wt.%的Cr、0.2wt.%或更低的Si、0.005wt.%或更低的B、0.004wt.%或更低的O、0.003wt.%或更低的N、0.05wt.%或更低的Sb，其余是Fe和不可避免的雜質(zhì);
所述壓制成形前退火前的合金薄板具有10.5～15.0μm的平均奧氏體結(jié)晶粒度(Dav)，奧氏體結(jié)晶的最大粒度與最小粒度之比(Dmax/Dmin)為1～15，維氏硬度(Hv)為165～220，并滿足以下關(guān)系式10×Dav+80≥Hv≥10×Dav+50;和所述合金薄板在其表面上具有以下各晶面聚集度｛111｝晶面聚集度為 14%或更低，｛100｝晶面聚集度為 5～75%，｛110｝晶面聚集度為 5～40%，｛311｝晶面聚集度為 20%或更低，｛331｝晶面聚集度為 20%或更低，｛210｝晶面聚集度為 20%或更低，和｛211｝晶面聚集度為 20%或更低。
所述合金薄板可包含1wt.%或更低的Co。
而且，本發(fā)明提供一種用于制造蔭罩的合金薄板，該合金薄板基本上由以下元素組成28～38wt.%的Ni、0.01～3wt.%的Cr、1wt.%以上～7wt.%的Co、0.2wt.%或更低的Si、0.005wt.%或更低的B、0.004wt.%或更低的O、0.003wt.%或更低的N、0.05wt.%或更低的Sb，其余是Fe和不可避免的雜質(zhì);
所述壓制成形前退火前的合金薄板具有10.5～15.0μm的平均奧氏體結(jié)晶粒度(Dav)，奧氏體結(jié)晶的最大粒度與最小粒度之比(Dmax/Dmin)為1～15，維氏硬度(Hv)為165～220，并滿足以下關(guān)系式10×Dav+80≥Hv≥10×Dav+50;和所述合金薄板在其表面上具有以下各晶面聚集度｛111｝晶面聚集度為 14%或更低，｛100｝晶面聚集度為 5～75%，｛110｝晶面聚集度為 5～40%，｛311｝晶面聚集度為 20%或更低，｛331｝晶面聚集度為 20%或更低，｛210｝晶面聚集度為 20%或更低，和｛211｝晶面聚集度為 20%或更低。


圖1所示曲線表示最佳實施方案1的平均奧氏體結(jié)晶粒度和維氏硬度對壓制成形性的影響;
圖2所示曲線表示最佳實施方案1的奧氏體結(jié)晶粒的混粒度和產(chǎn)生穿孔不清晰邊緣之間關(guān)系;
圖3所示曲線表示最佳實施方案1的｛100｝晶面聚集度和奧氏體結(jié)晶粒的混粒度之間關(guān)系;
圖4所示曲線表示最佳實施方案2的平均奧氏體結(jié)晶粒度和維氏硬度對壓制成形性的影響;
圖5所示曲線表示最佳實施方案2的奧氏體結(jié)晶粒的混粒度和產(chǎn)生穿孔不清晰邊緣之間關(guān)系;
圖6所示曲線表示最佳實施方案2的｛100｝晶面聚集度和奧氏體結(jié)晶粒的混粒度之間關(guān)系的曲線。
最佳實施方案1本發(fā)明的一種基本上由Fe、Ni、Si、B、O和N組成的合金薄板和一種基本上由Fe、Ni、Si、Co、B、O和N組成的合金薄板敘述如下。
限制本發(fā)明組分的原因也敘述如下。
為了防止彩色相位移，要求用于蔭罩的Fe-Ni合金薄板在30～100℃溫度范圍內(nèi)具有2.0×10-8/℃的平均熱膨脹系數(shù)上限。該熱膨脹系數(shù)取決于合金的Ni含量，滿足上述平均熱膨脹系數(shù)上限的Ni含量在34～38wt.%范圍內(nèi)。因此，Ni含量被規(guī)定為34～38wt.%。為了進(jìn)一步降低平均熱膨脹系數(shù)，最好是將Ni含量調(diào)整到35～37wt.%，優(yōu)選為35.5～36.5wt.%。通常，F(xiàn)e-Ni合金含有某種程度的作為不可避免雜質(zhì)的Co，低于1wt.%的Co含量對合金特性的影響非常輕微，同時Ni含量也容許在上述范圍內(nèi)。然而，為了滿足上述平均熱膨脹系數(shù)的條件，含有1wt.%以上～7wt.%Co的Fe-Ni合金需要將Ni含量限制在28～38wt.%范圍內(nèi)。因此，如果Co含量為1wt.%以上～7wt.%，則Ni含量被規(guī)定在28～38wt.%范圍內(nèi)。通過將Co含量調(diào)整到3～6wt.%和將Ni含量調(diào)整到30～33wt.%，可得到具有更低平均熱膨脹系數(shù)的良好特性。如果Co含量超過7wt.%，則熱膨脹系數(shù)增加將導(dǎo)致低劣的特性，所以Co含量的上限被規(guī)定為7wt.%。
氧是不可避免雜質(zhì)中的一種。當(dāng)氧含量增加時，則在合金中的非金屬氧化物夾雜增加。特別是在低于800℃溫度時壓制成形前的退火期間，非金屬夾雜將抑制結(jié)晶粒生長。如果O含量超過0.0030wt.%，將抑止晶粒生長大，而且不能獲得本發(fā)明要求的壓制成形質(zhì)量。在這方面，本發(fā)明將O含量上限規(guī)定為0.0030wt.%。對O含量的下限沒有特別限定，但從制錠工藝的經(jīng)濟性考慮，基本上將其下限選定為0.0001wt.%。
B可改進(jìn)合金的熱加工性。然而，過量的B將導(dǎo)致B在壓制成形前的退火期間形成的再結(jié)晶粒的晶界處偏析，這將阻礙晶界的自由遷移，并導(dǎo)致抑制晶粒生長從而得不到令人滿意的壓制成形前退火后所必需的0.2%彈性極限應(yīng)力。特別是，在較低溫度的壓制成形前退火條件下(這是本發(fā)明所規(guī)定的)，對晶粒生長的抑制作用很強，并且該抑制作用對所有晶粒產(chǎn)生的影響并不均勻。結(jié)果，出現(xiàn)了嚴(yán)重的混合晶粒組織，同時在壓制成形期間伴隨有不均勻的材料延伸，這將導(dǎo)致蔭罩上穿孔的不清晰邊緣。超過0.0010wt.%的硼含量將顯著地增強對晶粒生長的抑制作用，不能獲得本發(fā)明要求的壓制成形性。還會出現(xiàn)穿孔不清晰邊緣的問題。因而，本發(fā)明將B含量的上限規(guī)定為0.0010wt.%。從上述觀點來看，更優(yōu)選的B含量為0.0002wt.%或更低。
在合金的制錠期間添加硅作為脫氧元素。當(dāng)Si含量超過0.07wt.%時，在壓制成形前退火時的合金表面上形成Si的氧化膜。該氧化膜將降低壓制成形期間同模具的適配性。并導(dǎo)致合金薄板對模具的擦傷。因此，Si含量的上限被規(guī)定為0.07wt.%。Si含量的進(jìn)一步降低可改進(jìn)模具與合金薄板的適配性。沒有必要規(guī)定Si含量的下限，但從制錠工藝的經(jīng)濟性來看，約0.001wt.%是其有效下限。
氮是制錠過程中不可避免地進(jìn)入合金的一種元素。0.0020wt.%或更大的氮含量將導(dǎo)致N在壓制成形前的退火期間在合金表面上的濃集，并產(chǎn)生氮化物。該氮化物將降低壓制成形期間合金與模具的適配性，并引起合金對模具的擦傷。因此，N含量被規(guī)定低于0.0020wt.%。盡管沒有必要規(guī)定N含量的下限，但從制錠工藝的經(jīng)濟性考慮，0.0001/wt.%是其下限。
關(guān)于除上述以外的一些元素，其含量的優(yōu)選范圍是0.0001～0.0040wt.%的C、0.001～0.35wt.%的Mn和0.001～0.07wt.%的Cr。
根據(jù)本發(fā)明，為了改進(jìn)形狀固定能力、抑制壓制成形期間的合金薄板表面上產(chǎn)生裂紋和防止已制得的蔭罩產(chǎn)生穿孔不清晰邊緣，除了上述規(guī)定的組分外，還必需將壓制成形前退火前的平均奧氏體結(jié)晶粒度(Dav)、奧氏體結(jié)晶最大粒度與最小粒度之比(Dmax/Dmin)和維氏硬度(Hv)規(guī)定在各自的特定范圍內(nèi)，此外，還必需規(guī)定維氏硬度(Hv)和平均奧氏體結(jié)晶粒度(Dav)之間的關(guān)系滿足特定的相互關(guān)系。
圖1示出了壓制成形前退火前的平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav和維氏硬度Hv對壓制成形性的影響。在該情形下，在800℃以下的溫度對該合金進(jìn)行壓制成形前的退火，隨后壓制成形。所使用的合金薄板含有34～38wt.%的Ni、0.07wt.%或更低的Si、0.001wt.%或更低的B、0.003wt.%或更低的O和低于0.002wt.%的N。該合金的各晶面聚集度如下｛111｝晶面聚集度為14%或更低、｛100｝晶面聚集度為5～75%、｛110｝晶面聚集度為5～40%、｛311｝晶面聚集度為20%或更低和｛331｝晶面聚集度為20%或更低、｛210｝晶面聚集度為20%或更低和｛211｝晶面聚集度為20%或更低。合金薄板的奧氏體結(jié)晶的最大粒度與最小粒度之比Dmax/Dmin在1～15范圍內(nèi)。
根據(jù)圖1，低于10.5μm的平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav值在本發(fā)明規(guī)定的低于800℃的溫度條件下，不能促進(jìn)壓制成形前退火期間合金薄板中的晶粒生長，并增加回彈和由于不充分的晶粒長大而導(dǎo)致低劣的形狀固定能力。另一方面，超過15.0μm的Dav值將阻礙壓制成形前退火期間的再結(jié)晶，并由于不充分的再結(jié)晶而導(dǎo)致低劣的形狀固定能力。
主要由冷軋壓下率來確定維氏硬度Hv。低于165的Hv值不能給予合金薄板足夠的應(yīng)變、僅僅對壓制成形前退火期間的再結(jié)晶給出微弱的驅(qū)動力。其結(jié)果是不充分的再結(jié)晶，甚至在壓制成形前退火后合金薄板也將被留在相當(dāng)堅硬的狀態(tài)。結(jié)果是，形狀固定能力低劣。另一方面，當(dāng)給與合金薄板過大的應(yīng)變而導(dǎo)致Hv超過220，則壓制成形前退火期間再結(jié)晶的驅(qū)動力變得很大，這將使再結(jié)晶期間的成核頻率過高。因此，晶粒在壓制成形前退火后變細(xì)從而降低形狀固定能力。
圖1也指出了，通過將維氏硬度Hv和平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav之間的關(guān)系保持在特定范圍內(nèi)而獲得壓制成形前退火期間適宜的再結(jié)晶，壓制成形前退火前的平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav大時，為了獲得壓制成形前退火期間足夠的驅(qū)動力，則要求大的應(yīng)變度。因此，必需根據(jù)相應(yīng)的平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav來規(guī)定維氏硬度Hv的下限。另一方面，由于平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav越小則核生成場所越多，因此必需根據(jù)相應(yīng)的平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav來規(guī)定維氏硬度Hv的上限，以防止在壓制成形前退火后產(chǎn)生細(xì)晶粒。根據(jù)圖1，即使維氏硬度Hv為165或更大時，如果滿足公式[Hv＜10×Dav+50]，則壓制成形前退火期間再結(jié)晶的驅(qū)動力相對太弱，不能實現(xiàn)充分的再結(jié)晶。因此，甚至在壓制成形前退火后的材料也是堅硬的，并且形狀固定能力低劣。而即使維氏硬度Hv為220或更低，如果滿足公式[Hv＞10×Dav+80]，則壓制成形前退火期間再結(jié)晶的驅(qū)動力相對太強，在壓制成形前退火后晶粒變細(xì)，并且形狀固定能力低劣。
圖2示出了奧氏體結(jié)晶的最大粒度與最小粒度之比Dmax/Dmin與穿孔不清晰邊緣之間的關(guān)系。所使用的合金薄板主要含有34～38wt.%的Ni、0.07wt.%或更低的Si、0.001wt.%或更低的B、0.003wt.%或更低的O和低于0.002wt.%的N。
維氏硬度Hv和平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav滿足以下公式10×Dav+80≥Hv≥10×Dav+50合金的各晶面聚集度如下｛111｝晶面聚集度為14%或更低、｛100｝晶面聚集度為5～75%、｛110｝晶面聚集度為5～40%、｛311｝晶面聚集度為20%或更低、｛331｝晶面聚集度為20%或更低、｛210｝晶面聚集度為20%或更低和｛211｝晶面聚集度為20%或更低。
根據(jù)圖2，當(dāng)奧氏體結(jié)晶的最大粒度與最小粒度之比Dmax/Dmin超過15時，蝕刻孔大小變得不規(guī)則并導(dǎo)致穿孔的不清晰邊緣。Dmax/Dmin值越小則越有利，因而Dmax/Dmin的下限被規(guī)定為1。
從以上考慮來看，本發(fā)明將壓制成形前退火前的平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav規(guī)定在10.5～15.0μm范圍內(nèi)，將奧氏體結(jié)晶的最大粒度與最小粒度之比Dmax/Dmin(該比值在下文中被簡稱為“奧氏體結(jié)晶粒的混粒度”“degree of austenite mixed grain”)規(guī)定在1～15范圍內(nèi)和將維氏硬度Hv規(guī)定在165～220范圍內(nèi)，并且還滿足以下公式10×Dav+80≥Hv≥10×Dav+50以促進(jìn)壓制成形前退火期間晶粒生長，改進(jìn)形狀固定能力和抑制已制得的蔭罩的不清晰穿孔邊緣。
為了防止壓制成形期間產(chǎn)生裂紋和防止已制得的蔭罩上有穿孔的不清晰邊緣和局部彩色相位移(這是本發(fā)明的目的)，除上述規(guī)定外，限制壓制成形前退火前的合金薄板表面上的各晶面聚集度也是很重要的。
發(fā)明者們發(fā)現(xiàn)，控制壓制成形前退火前合金薄板表面上的｛211｝晶面聚集度能有效地抑制壓制成形期間產(chǎn)生裂紋，控制｛100｝和｛110｝晶面聚集度能抑制在制得的蔭罩上有穿孔的不清晰邊緣，控制｛111｝、｛311｝、｛331｝和｛210｝晶面聚集度能抑制在制得的蔭罩上產(chǎn)生局部彩色相位移。
具體地說，當(dāng)｛211｝晶面聚集度超過20%時，合金薄板在壓制成形期間產(chǎn)生裂紋。當(dāng)｛111｝、｛311｝、｛331｝和｛210｝晶面聚集度分別超過14%、20%、20%和20%時，蝕刻孔形狀在壓制成形期間發(fā)生異常變形，這將導(dǎo)致局部彩色相位移。
為了將奧氏體結(jié)晶?；炝６菵max/Dmin限制在本發(fā)明規(guī)定的范圍內(nèi)，必需控制｛100｝和｛110｝晶面聚集度。當(dāng)｛100｝晶面聚集度超過75%或當(dāng)｛110｝晶面聚集度超過40%時，奧氏體結(jié)晶?；炝６葧^15。在此情形下，則不會均勻地進(jìn)行壓制成形前退火期間的再結(jié)晶，并且壓制成形前退火后的晶粒將變成混粒狀態(tài)，因而在已制得的蔭罩上產(chǎn)生不清晰穿孔邊緣。當(dāng)｛100｝晶面聚集度低于5%時，｛110｝晶面聚集度超過40%。當(dāng)｛110｝晶面聚集度低于5%時，｛100｝晶面聚集度超過75%。在兩者情況下，奧氏體結(jié)晶粒的混粒度都將超過15，并在已制得的蔭罩上產(chǎn)生不清晰的穿孔邊緣。圖3示出了｛100｝晶面聚集度與結(jié)晶粒的混粒度之間的關(guān)系。根據(jù)圖3，通過將｛100｝晶面聚集度控制在5～75%范圍內(nèi)，能夠?qū)W氏體結(jié)晶粒的混粒度控制在1～15范圍內(nèi)，通過將｛100｝晶面聚集度進(jìn)一步控制在8～46%的限制范圍內(nèi)，可以進(jìn)一步地降低結(jié)晶粒的混粒度，從而更有效地抑制穿孔的不清晰邊緣。
從以上考慮來看，本發(fā)明對壓制成形前退火前的合金薄板上各晶面聚集度規(guī)定如下｛111｝晶面聚集度 14% 或更低｛100｝晶面聚集度 5～75%｛110｝晶面聚集度 5～40%｛311｝晶面聚集度 20% 或更低｛331｝晶面聚集度 20% 或更低｛210｝晶面聚集度 20% 或更低｛211｝晶面聚集度 20% 或更低以上給出的聚集度值是各晶面聚集度與｛111｝、｛100｝、｛110｝、｛311｝、｛331｝、｛210｝和｛211｝各晶面聚集度總和的相應(yīng)比值。
用(111)、(200)、(220)、(311)、(331)、(420)和(422)各X-射線衍射面的X-射線衍射強度來確定各相應(yīng)晶面的聚集度。例如，用(111)、(200)、(220)、(311)、(331)、(420)和(422)各衍射面的相應(yīng)X-射線衍射強度比的總和除(111)衍射面的相應(yīng)X-射線衍射強度比來確定(111)晶面聚集度?？梢杂猛瑯拥姆椒▉泶_定(100)、(110)、(311)、(331)、(210)和(211)其它各晶面的聚集度。相應(yīng)X-射線衍射強度比是各衍射面X-射線衍射強度的測量值與理論值的比值。例如，(111)晶面的相應(yīng)X-射線衍射強度比是用(111)衍射面的X-射線衍射強度理論值除其測量值。
用(111)至(422)7個衍射面的相應(yīng)X-射線衍射強度比的總和除(200)、(220)、(420)和(422)各晶面的相應(yīng)X-射線衍射強度比來確定｛100｝、｛110｝、｛210｝、和｛211｝各晶面的聚集度，(200)、(220)、(420)和(422)各晶面同相應(yīng)的｛100｝、｛110｝、｛210｝、和｛211｝晶面具有相同的取向。
一般通過適宜地選擇熱軋步驟后的處理條件來獲得本發(fā)明規(guī)定的壓制成形前退火前的｛111｝、｛100｝、｛110｝、｛311｝、｛331｝、｛210｝和｛211｝各晶面的聚集度。
例如，將開坯初軋或連續(xù)澆鑄的扁坯經(jīng)熱軋后進(jìn)行熱軋薄板退火、冷軋、再結(jié)晶退火、冷軋、再結(jié)晶退火、冷軋、再結(jié)晶退火、精冷軋和消除應(yīng)力退火過程制取本發(fā)明合金薄板時，為得到以上規(guī)定的晶面聚集度的有效條件是將熱軋薄板退火期間的退火溫度控制在910°～990℃范圍內(nèi)的適宜水平，并選擇冷軋、再結(jié)晶退火、精冷軋和消除應(yīng)退火的最佳條件。也是通過控制冷軋、再結(jié)晶退火、精冷軋和消除應(yīng)力退火的條件來實現(xiàn)本發(fā)明規(guī)定的平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav、奧氏體結(jié)晶?；炝６菵max/Dmin和維氏硬度Hv最佳化。
為了得到本發(fā)明規(guī)定的各晶面聚集度，初軋或連續(xù)澆鑄后的扁坯進(jìn)行均勻化熱處理是不利的。例如，當(dāng)在1200℃或更高溫度進(jìn)行10小時或更長時間的均勻化熱處理時，｛111｝、｛100｝、｛110｝、｛311｝、｛331｝、｛210｝和｛211｝各晶面中的一個或多個晶面的聚集度會不滿足本發(fā)明的技術(shù)規(guī)格。因此，應(yīng)該避免這種均勻化熱處理。
可以使用其它方法來滿足本發(fā)明規(guī)定的各晶面聚集度。能應(yīng)用方法的某些實例是采用急冷凝固和通過控制熱加工期間再結(jié)晶的組織控制。
本發(fā)明的合金薄板還可在光刻步驟前進(jìn)行壓制成形前退火。如果在比較低的溫度(這是本發(fā)明的條件)下進(jìn)行壓制成形前的退火，不會降低光刻質(zhì)量。但對于普通材料來說，如果在本發(fā)明規(guī)定的比較低的溫度進(jìn)行壓制成形前的退火之后再進(jìn)行光刻，則會降低光刻質(zhì)量，所以壓制成形前的退火實質(zhì)上不能在光刻前進(jìn)行。相反，本發(fā)明的材料可以在壓制成形前退火之后進(jìn)行光刻而不會降低蝕刻性能。
實施例1一些發(fā)明者通過桶內(nèi)精煉制取了具有表1和表2所示組分的合金No.1～No.23，并將合金No.1～No.13和No.18～No.23澆鑄制錠。在它們進(jìn)行開坯初軋、表面缺陷清除和1100℃×3小時的熱軋后，獲得了熱軋薄板。將合金No.14～No.17直接澆鑄成薄板，該薄板然后以30%壓下率在1000°～1300℃溫度范圍進(jìn)行熱軋，隨后在750℃進(jìn)行卷板以獲得熱軋薄板。利用這些熱軋薄板，制取表3～表6所示材料No.1～No.34的合金薄板。
在表3和表4中，Dmax代表合金薄板中最大的奧氏體結(jié)晶粒度，Dmin代表合金薄板中最小的奧氏體結(jié)晶粒度。
在表5和表6中，評價形狀固定能力、模具與合金薄板的適配性和穿孔的不清晰邊緣的判斷標(biāo)準(zhǔn)如下關(guān)于形狀固定能力，符號“◎”表示“極好”，“O”表示“良好”，而“X”表示“稍差”。
關(guān)于模具與合金薄板的適配性，符號“O”表示“良好無壓痕(ironing mark)”，“△”表示“稍差有少許壓痕”，而“×”表示“差有許多壓痕”。
關(guān)于穿孔的不清晰邊緣，符號“◎”表示“完全沒有”，“O”表示“沒有”，“△”表示“有一些”，而“X”表示“產(chǎn)生”。
材料No.1～No.21和No.27～No.30是厚度為0.25mm的合金薄板，它們是由合金No.1～No.21的熱軋薄板經(jīng)過以下處理而制得的在910°～990℃溫度范圍內(nèi)熱軋薄板退火、冷軋、在860°～940℃溫度范圍內(nèi)再結(jié)晶退火125秒、冷軋、在860°～940℃溫度范圍內(nèi)再結(jié)晶退火125秒、15%壓下率的精冷軋和在530℃消除應(yīng)力退火30秒。
材料No.22和No.26是厚度為0.25mm的合金薄板，它們是由No.22和No.2合金的熱軋薄板經(jīng)過以下處理而制得的92.5%壓下率的冷軋、在850℃再結(jié)晶退火1分鐘、15%壓下率的精冷軋和在530℃消除應(yīng)力退火3秒材料No.24是厚度為0.25mm的合金薄板，它是由合金No.1的熱軋薄板經(jīng)過以下處理而制得的在950℃熱軋薄板退火、74%壓下率的冷軋、在950℃再結(jié)晶退火180秒、40%壓下率的冷軋、在950℃再結(jié)晶退火180秒、15%壓下率的精冷軋和在530℃消除應(yīng)力退火30秒。
材料No.25是厚度為0.25mm的合金薄板，它是由合金No.1的熱軋薄板經(jīng)過以下處理而制得的在950℃熱軋薄板退火、冷軋、在800℃再結(jié)晶退火30秒、冷軋、在800℃再結(jié)晶退火30秒、精冷軋和在530℃消除應(yīng)力退火30秒，材料No.23是厚度為0.25mm的合金薄板，它是由合金No.23的熱軋薄板經(jīng)過以下處理而制得的在970℃熱軋薄板退火、冷軋、在800℃再結(jié)晶退火30秒、冷軋、在800℃再結(jié)晶退火30秒、精冷軋和在530℃消除應(yīng)力退火30秒。
材料No.31～No.34是厚度為0.25mm的合金薄板，它們是由合金No.3、No.4和No.7的熱軋薄板經(jīng)過以下處理而制得的冷軋、在860°～940℃溫度范圍內(nèi)再結(jié)晶退火125秒、冷軋、在860°～940℃溫度范圍內(nèi)再結(jié)晶退火125秒、精冷軋和在530℃消除應(yīng)力退火30秒。
所有這些已制得的熱軋薄板在退火后顯示出充分的再結(jié)晶。
通過上述處理而制得的材料No.1～No.12和No.15～No.34的合金薄板進(jìn)行蝕刻制成平板蔭罩。對該平板蔭罩在770℃進(jìn)行45分鐘壓制成形前的退火處理，隨后壓制成形。在生產(chǎn)過程中試驗其壓制成形性。對已壓制成形的蔭罩黑化處理、將它們安裝進(jìn)陰極射線管內(nèi)和在其表面上用電子束輻照后測量局部彩色相位移。將材料No.13和No.14的合金薄板在795℃進(jìn)行3分鐘的壓制成形前退火，然后進(jìn)行蝕刻制成平板蔭罩。對這些平板蔭罩進(jìn)行壓制成形以測定壓制成形性。使用上述相同方法對這些合金進(jìn)行局部彩色相位移檢驗。
表3和表4列出了壓制成形前退火前的平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav、奧氏體結(jié)晶粒的混粒度Dmax/Dmin、維氏硬度Hv、[10×Dav+80-Hv]和[Hv-10×Dav-50]。表5和表6列出了壓制成形前退火前薄板表面上的各晶面聚集度、壓制成形性和局部彩色相位移。
根據(jù)表3～表6，材料No.1～No.13滿足本發(fā)明規(guī)定的條件，這些條件包括｛111｝、｛100｝、｛110｝、｛311｝、｛331｝、｛210｝和｛211｝各晶面聚集度、平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav、奧氏體結(jié)晶粒的混粒度Dmax/Dmin、維氏硬度Hv和[10×Dav+80≥Hv≥10×Dav+50]條件。所有這些材料都是具有極好的壓制成形性而不會產(chǎn)生局部彩色相位移。作為本發(fā)明實例的含有Co的材料No.14到No.17也顯示出極好的特性。對材料No.13和No.14進(jìn)行蝕刻前壓制成形前的退火，即使它們通過所述生產(chǎn)工藝進(jìn)行處理也發(fā)現(xiàn)它們具有作為蔭罩的適宜性能。
相反，材料No.18和No.20是各自Si和N含量分別都大于本發(fā)明規(guī)定含量的對比例，它們在壓制成形步驟中出現(xiàn)與模具的適配性問題。材料No.19是O含量大于本發(fā)明規(guī)定含量的對比例，它在壓制成形前退火前的平均奧氏體結(jié)晶粒度低于10.5μm。因此，材料No.19在壓制成形時形狀固定能力很差，并在合金薄板上產(chǎn)生裂紋。此外，材料No.19的奧氏體結(jié)晶?；炝６瘸^本發(fā)明規(guī)定水平，所以也出現(xiàn)了不清晰的穿孔邊緣。
材料No.21和No.22是B含量超過本發(fā)明規(guī)定范圍的對比例，二者的平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav都低于10.5μm。因此，它們壓制成形時的形狀固定能力低劣，并在合金薄板上產(chǎn)生裂紋。此外，它們的奧氏體結(jié)晶粒混粒度也超過了本發(fā)明規(guī)定的范圍，以致出現(xiàn)了不清晰的穿孔邊緣。特別是，按照未經(jīng)審查的日本專利公開公報No.3-267320公開的技術(shù)，通過92.5%壓下率的冷軋、在850℃再結(jié)晶退火1分鐘和15%壓下率的精冷軋(不進(jìn)行熱軋薄板退火)制取材料No.22。材料No.22的｛110｝和｛100｝晶面聚集度在本發(fā)明規(guī)定范圍外。特別是奧氏體結(jié)晶粒的混粒度很高。
用制取材料No.22同樣的方法制取材料No.26，材料No.26是其｛100｝和｛110｝晶面聚集度在本發(fā)明規(guī)定范圍以外的對比例。材料No.26具有很大的奧氏體結(jié)晶?；炝６?，以致出現(xiàn)不清晰的穿孔邊緣。如上所述，即使合金滿足本發(fā)明的組成條件，它也不能提供極好的壓制成形性，除非它在晶面聚集度和奧氏體結(jié)晶粒的混粒程度方面滿足本本發(fā)明的條件。
在冷軋后分別于950℃進(jìn)行180秒和于800℃進(jìn)行30秒再結(jié)晶退火條件下制取材料No.24和No.25。材料No.24是平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav超過本發(fā)明規(guī)定范圍的對比例，材料No.25是平均奧氏體結(jié)晶粒度低于本發(fā)明規(guī)定范圍的對比例。二種材料的形狀固定能力都很差。
在冷軋步驟后，使用在材料No.1～No.21中的相同工藝過程(不進(jìn)行熱軋薄板退火)制取材料No.31～No.34。在它們之中，材料No.31是｛110｝晶面聚集度在本發(fā)明規(guī)定范圍以外的對比例，它的奧氏體結(jié)晶粒混粒度超過本發(fā)明規(guī)定的范圍，并產(chǎn)生了不清晰的穿孔邊緣。材料No.33是｛211｝晶面聚集度超過本發(fā)明規(guī)定范圍的對比例，這會在合金薄板上導(dǎo)產(chǎn)生裂紋。材料No.32是｛111｝和｛311｝晶面聚集度在本發(fā)明規(guī)定范圍以外的對比例。材料No.34是｛311｝和｛210｝晶面聚集度超過本發(fā)明規(guī)定范圍的對比例。這些對比例都引起局部彩色相位移。
材料No.27、No.28、No.29和No.30分別是維氏硬度Hv超過本發(fā)明規(guī)定范圍、維氏硬度Hv低于本發(fā)明規(guī)定范圍、10×Dav+80＜Hv和Hv＜10×Dav+50的對比例、它們?nèi)慷硷@示出很差的形狀固定能力。
如上所述，通過使組成、壓制成形前退火前的晶面聚集度、平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav、奧氏體結(jié)晶?；炝６菵max/Dmin、維氏硬度Hv各條件，以及10×Dav+80≥Hv≥10×Dav+50條件滿足本發(fā)明規(guī)定的條件，來制取具有本發(fā)明要求的極好壓制成形性和熒光屏質(zhì)量的用于蔭罩的Fe-Ni合金薄板和Fe-Ni-Co合金薄板。
如上詳細(xì)所述，即使本發(fā)明用于蔭罩的Fe-Ni合金薄板和Fe-Ni-Co合金薄板在低于800℃的相當(dāng)?shù)蜏叵逻M(jìn)行壓制成形前退火，它們也具有極好的壓制成形性。極好的壓制成形性包括良好的形固定能力、對模具的良好適配性和在壓制成形期間的合金薄板上很少產(chǎn)生裂紋。沒有局部彩色相位移也就保證了極好的熒光屏質(zhì)量。此外，即使當(dāng)本發(fā)明的合金薄板在蝕刻前壓制成形前進(jìn)行退火，它也具有必需的蝕刻性能和壓制成形性。因此，對合金薄板的初步退火可省去在陰極射線管制造廠的壓制成形前的退火。這種最佳化工藝流程可向合金薄板用戶提供巨大的商業(yè)利益。
最佳實施方案2以下敘述本發(fā)明的主要含有Fe、Ni、Cr、Si、B、O、N和Sb的合金薄板以及主要含有Fe、Ni、Cr、Co、Si、B、O、N和Sb的合金薄板。
限制本發(fā)明組成的原因敘述如下。
為防止彩色相位移，要求用于蔭罩的Fe-Ni合金薄板在30°～100℃溫度范圍內(nèi)具有3.0×10-8/℃的平均熱膨脹系數(shù)上限。該熱膨脹系數(shù)取決于合金的Ni含量，滿足上述平均熱膨脹系數(shù)上限的Ni含量在34～38wt.%范圍內(nèi)。因此，Ni含量被規(guī)定為34～38wt.%。為進(jìn)一步降低平均熱膨脹系數(shù)，將Ni含量優(yōu)選調(diào)整到35～37wt.%，最優(yōu)選為35.5～36.5wt.%。在通常情況下，F(xiàn)e-Ni合金包含某種程度的不可避免雜質(zhì)的Co，1wt.%或更低的Co含量對合金特性的影響非常輕微，同時上述規(guī)定范圍的Ni含量是可接受的。
然而，含有1wt.%以上～7wt.% Co的Fe-Ni合金需要將Ni含量限制在28～38wt.%范圍內(nèi)以滿足上述平均熱膨脹系數(shù)條件。因而，如果Co含量為1wt.%以上～7wt.%，則Ni含量被要求規(guī)定在28～38wt.%范圍內(nèi)。通過將Co含量調(diào)整在3～6wt.%范圍內(nèi)、將Ni含量調(diào)整到30～33wt.%范圍，可得到更低的平均熱膨脹系數(shù)的良好特性。如果Co含量超過7wt.%，則熱膨脹系數(shù)惡化，所以Co含量的上限被規(guī)定為7wt.%。
鉻可改進(jìn)合金的抗腐蝕性，但惡化熱膨脹系數(shù)。當(dāng)將合金調(diào)整到具有滿足本發(fā)明條件(該條件敘述如后)的各晶面聚集度、結(jié)晶粒度和硬度時，若合金的Cr含量為0.01wt.%或更多可得到改進(jìn)抗腐蝕性的效果。另一方面，當(dāng)Cr含量超過3wt.%時，該合金不能提供本發(fā)明規(guī)定的平均熱膨脹系數(shù)。低于0.01wt.%的Cr含量不具有改進(jìn)抗腐蝕性的效果。因此，Cr含量的上限和下限分別被規(guī)定為3.0wt.%和0.01wt.%。
氧是不可避免雜質(zhì)中的一種。增加O含量會增加合金中的非金屬氧化物夾雜，該夾雜物會在壓制成形前退火期間抑制晶粒生長。特別是在低于800℃的溫度，O夾雜物會抑制晶粒生長。如果O含量超過0.004wt.%，會顯著地阻礙晶粒生長，并且也無法獲得本發(fā)明要求的壓制成形質(zhì)量。在這方面，本發(fā)明將O含量上限規(guī)定為0.004wt.%。關(guān)于O含量的下限沒有特別規(guī)定，但從制錠工藝的經(jīng)濟性考慮，該下限基本上被選擇為0.0001wt.%。
B可改進(jìn)合金的熱加工性能。然而，過量的B將導(dǎo)致B在壓制成形前退火期間形成的再結(jié)晶晶界處的偏析，這會妨礙晶界的自由遷移，并導(dǎo)致抑制晶粒生長和不能令人滿意的壓制成形前退火后所必需的0.2%彈性極限應(yīng)力。特別是，在本發(fā)明規(guī)定的較低溫度的壓制成形前退火條件下，對晶體生長的抑制作用是很強的，而且該作用不是均勻地對所有晶體產(chǎn)生影響。結(jié)果，出現(xiàn)了以壓制成形期間材料不均勻伸長為特征的嚴(yán)重混合晶粒結(jié)構(gòu)，這將在蔭罩上導(dǎo)致不清晰的穿孔邊緣。超過0.005wt.%的硼含量將顯著地增強對晶體粒生長的抑制作用，也不能獲得本發(fā)明要求的壓制成形性。也會出現(xiàn)不清晰穿孔邊緣的問題。因此，本發(fā)明將B含量的上限規(guī)定為0.005wt.%。從上述觀點來看，更優(yōu)選的B含量為0.001wt.%或更低。
在合金制錠期間添加硅作為脫氧劑元素。當(dāng)Si含量超過0.2wt.%時，在壓制成形前退火后的合金表面上形成Si的氧化膜。該氧化膜在壓制成形期間降低與模具的適配性，并導(dǎo)致模具被合金薄板擦傷。因此，Si含量的上限被規(guī)定為0.2wt.%。進(jìn)一步降低Si含量可改進(jìn)模具與合金薄板的適配性。沒有必要規(guī)定Si含量下限，但從制錠工藝的經(jīng)濟性考慮，約0.001wt.%是Si含量的適宜下限。
氮是制錠過程中不可避免地進(jìn)入合金的一種元素。0.003wt.%或更高的氮含量會導(dǎo)致N在壓制成形前退火期間的合金表面上濃集，并產(chǎn)生氮化物。該氮化物會在壓制成形處理期間降低合金與模具的適配性，并導(dǎo)致模具被合金薄板擦傷。因此，N含量被規(guī)定為0.003wt.%或更低。盡管沒有必要規(guī)定N含量的下限，但從制錠工藝的經(jīng)濟性考慮，約0.0001wt.%是N含量的適宜下限。
銻是不可避免夾雜物中的一種元素，超過0.05wt.%的Sb含量會阻礙本發(fā)明合金晶粒生長，這會阻止獲得本發(fā)明要求的結(jié)晶粒度。因此，Sb含量的上限被規(guī)定為0.05wt.%。
關(guān)于除上述以外的一些元素，其含量的優(yōu)選范圍如下0.0001～0.01wt%的C和0.001～0.5wt.%的Mn。
根據(jù)本發(fā)明，為了改進(jìn)形狀固定能力、抑制壓成形期間的合金薄板表面上產(chǎn)生裂紋和防止已制得的蔭罩產(chǎn)生穿孔不清晰邊緣，除了上述規(guī)定的組成以外，還必需規(guī)定壓制成形前退火前的平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav、奧氏體結(jié)晶最大粒度與最小粒度之比Dmax/Dmin和維氏硬度Hv各自的特定范圍，此外，還必需限定維氏硬度Hv和平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav之間的關(guān)系滿足特定的相互關(guān)系。
圖4示出了壓制成形前退火前的平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav和維氏硬度Hv對壓制成形性的影響。在該情形下，該合金薄板具有本發(fā)明規(guī)定的組成，并具有本發(fā)明規(guī)定范圍內(nèi)的壓制成形前退火前奧氏體結(jié)晶最大粒度與最小粒度的比值Dmax/Dmin和各晶面聚集度，在800℃以下的溫度對該合金薄板進(jìn)行壓制成形前退火，隨后壓制成形。根據(jù)圖4，在本發(fā)明規(guī)定的低于800℃的溫度下，低于10.5μm的Dav值不能促進(jìn)壓制成形前退火期間合金薄板中的晶粒生長，并增加回彈和由于不充分的晶粒生長而導(dǎo)致很差的形狀固定能力。另一方面，超過15.0μm的Dav值將阻礙壓制成形前退火期間的再結(jié)晶，并由于不充分的再結(jié)晶而導(dǎo)致很差的形狀固定能力。
主要由冷軋壓下率來確定維氏硬度Hv。低于165的Hv值不能給與合金薄板足夠的應(yīng)變，僅僅對壓制成形前退火期間的再結(jié)晶給出微弱的驅(qū)動力。其結(jié)果是不充分的再結(jié)晶，甚至在壓制成形前退火后也會使合金薄板留在相當(dāng)堅硬狀態(tài)。結(jié)果是，形狀固定能力很差。另一方面，當(dāng)給與合金薄板過大的應(yīng)變而使Hv超過220，則在壓制成形前退火期間再結(jié)晶的驅(qū)動力變得很大，這將在再結(jié)晶期間的成核頻率過高。因此，晶粒在壓制成形前退火后變得很細(xì)以致降低形狀固定能力。
圖4也指出了，通過將維氏硬度Hv和平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav之間的關(guān)系保持在特定范圍內(nèi)而獲得壓制成形前退火期間的適宜再結(jié)晶。壓制成形前退火前大的平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav要求大應(yīng)變度以獲得壓制成形步驟前退火期間足夠的驅(qū)動力。因此，必須根據(jù)相應(yīng)的平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav來規(guī)定維氏硬度Hv的下限。另一方面，由于較小的平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav具有較多的成核晶格點，必須根據(jù)相應(yīng)的平均奧氏體結(jié)晶度Dav來規(guī)定維氏硬度Hv的上限，以防止在壓制成形前退火后產(chǎn)生細(xì)晶粒。根據(jù)圖4，即使維氏硬度Hv為165或更大，如果滿足公式[Hv＜10×Dav+50]，則壓制成形前退火期間再結(jié)晶的驅(qū)動力相對太弱，不能實現(xiàn)充分的再結(jié)晶。因此，即使在壓制成形前退火后，材料也保持剛性，因而形狀固定能力很差。即使維氏硬度Hv為220或更低值，如果滿足公式[Hv＞10×Dav+80]，則在壓制成形前退火期間再結(jié)晶的驅(qū)動力相對太強，在壓制成形前退火后晶粒變細(xì)，并且形狀固定能力很差。
圖5示出了壓制成形前退火前奧氏體結(jié)晶的最大粒度與最小粒度之比Dmax/Dmin對已制得的蔭罩不清晰穿孔邊緣的影響。在該情形下，該合金薄板具有本發(fā)明規(guī)定的組成，并具有本發(fā)明規(guī)定范圍內(nèi)的壓制成形前退火前的平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav值、維氏硬度Hv值和各晶面聚集度值，在低于800℃溫度對該合金薄板進(jìn)行壓制成形前的退火，隨后被壓制成形。根據(jù)圖5，當(dāng)奧氏體結(jié)晶的最大粒度與最小粒度之比Dmax/Dmin超過15時，則蝕刻孔孔徑變得不規(guī)則，并導(dǎo)致不清晰的穿孔邊緣。Dmax/Dmin越小則越有利，Dmax/Dmin的下限被規(guī)定為1。
從以上考慮來看，本發(fā)明將壓制成形前退火前的平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav規(guī)定在10.5～15.0μm范圍內(nèi)，奧氏體結(jié)晶的最大粒度與最小粒度之比Dmax/Dmin(在下文中該比值被簡稱為“奧氏體結(jié)晶粒的混粒度”(“degree of austenite mixed grain”)規(guī)定在1～15范圍內(nèi)和維氏硬度Hv規(guī)定在165～220范圍內(nèi)并規(guī)定以下公式10×Dav+80≥Hv≥10×Dav+50以便于促進(jìn)壓制成形前退火期間晶粒生長、改進(jìn)形狀固定能力和抑制已制得的蔭罩的不清晰穿孔邊緣。
為了在已制得的蔭罩表面上防止壓制成形期間產(chǎn)生裂紋、防止不清晰的穿孔邊緣和局部彩色相位移(這是本發(fā)明的目的)，重要的是限制壓制成形前退火前合金薄板表面上的各晶面聚集度以及以上規(guī)定的極限。
本發(fā)明者們發(fā)現(xiàn)，控制壓制成形前退火前合金薄板表面上的｛211｝晶面聚集度能有效地抑制壓制成形期間產(chǎn)生裂紋，控制｛100｝和｛110｝晶面聚集度能抑制在制得的蔭罩上產(chǎn)生不清晰穿孔邊緣、控制｛111｝｛311｝｛331｝和｛210｝各晶面聚集度能抑制在制得的蔭罩上發(fā)生局部彩色相位移。
具體地說，當(dāng)｛211｝晶面聚集度超過20%時，該合金薄板在壓制成形期間產(chǎn)生裂紋。
當(dāng)｛111｝｛311｝｛331｝和｛210｝各晶面聚集度分別超過14%、20%、20%和20%時，則蝕刻孔形狀在壓制成形期間發(fā)生異常變形，從而導(dǎo)致局部彩色相位移。
為了將奧氏體結(jié)晶粒的混粒度Dmax/Dmin限制在本發(fā)明規(guī)定的范圍內(nèi)，必須控制｛100｝和｛110｝晶面聚集度。當(dāng)｛100｝晶面聚集度超過75%或當(dāng)｛110｝晶面聚集度超過40%，奧氏體結(jié)晶粒的混粒度會超過15。在此情形下，則壓制成形前退火期間進(jìn)行的再結(jié)晶不會均勻，并且壓制成形前退火后的結(jié)晶將變成混合的晶粒狀態(tài)，該混合的晶粒將導(dǎo)致在已制得的蔭罩上產(chǎn)生不清晰穿孔邊緣。當(dāng)｛100｝晶面聚集度低于5%時，｛110｝晶面聚集度超過40%。當(dāng)｛110｝晶面聚集度低于5%時，｛100｝晶面聚集度超過75%。在兩者情況下，奧氏體結(jié)晶粒的混粒度Dmax/Dmin都將超過15。并在已制得的蔭罩上導(dǎo)致不清晰的穿孔邊緣。
圖6示出了｛100｝晶面聚集度和奧氏體結(jié)晶粒的混粒度Dmax/Dmin之間的關(guān)系。根據(jù)圖6，通過將｛100｝晶面聚集度控制在5～75%范圍內(nèi)，可以將奧氏體結(jié)晶粒的混粒度控制在1～15范圍內(nèi)。通過將｛100｝晶面聚集度控制在8～46%的進(jìn)一步限制范圍內(nèi)，可進(jìn)一步降低奧氏體結(jié)晶的混粒度以更有效地抑制不清晰的穿孔邊緣。
從以上考慮來看，本發(fā)明將壓制成形前退火前合金薄板上各晶面聚集度規(guī)定如下｛111｝晶面聚集度 14%或更低｛100｝晶面聚集度 5～75%｛110｝晶面聚集度 5～40%
｛311｝晶面聚集度 20%或更低｛331｝晶面聚集度 20%或更低｛210｝晶面聚集度 20%或更低｛211｝晶面聚集度 20%或更低以上給出的聚集度值是各晶面聚集度對｛111｝、｛100｝、｛110｝、｛311｝、｛331｝、｛210｝、和｛211｝各晶面聚集度總和的相應(yīng)比值。
用｛111｝、｛100｝、｛110｝、｛311｝、｛331｝、｛210｝、和｛211｝各晶面聚集度總和除各晶面聚集度來確定各晶面聚集度，并用百分?jǐn)?shù)表示。
一般通過選擇熱軋步驟后的適宜處理條件來獲得本發(fā)明規(guī)定的壓制成形前退火前的｛111｝、｛100｝、｛110｝、｛311｝、｛331｝、｛210｝、和｛211｝各晶面的聚集度。
例如，當(dāng)通過對扁坯進(jìn)行熱軋來生產(chǎn)本發(fā)明的合金薄板時，該扁坯是通過開坯初軋或連續(xù)澆鑄而制得，隨后順次進(jìn)行熱軋薄板退火、第一次冷軋、再結(jié)晶退火、第二次冷軋、再結(jié)晶退火、精冷軋和消除應(yīng)力退火，為得到以上規(guī)定的晶面聚集度的有效條件是將熱軋薄板退火期間的退火溫度控制在910°～990℃范圍內(nèi)的適宜水平，并選擇冷軋、再結(jié)晶退火、精冷軋和消除應(yīng)力退火的最佳條件。
為了得到本發(fā)明規(guī)定的各晶面聚集度，初軋或連續(xù)澆鑄后的扁坯進(jìn)行均勻化熱處理是不利的。例如，當(dāng)在1200℃或更高溫度進(jìn)行10小時或更長時間的均勻化熱處理時，｛111｝、｛100｝、｛110｝、｛311｝、｛331｝、｛210｝、和｛211｝各晶面中的一個或多個晶面的聚集度會不滿足本發(fā)明的技術(shù)規(guī)格。因此，應(yīng)該避免這種均勻化熱處理。
可以使用其它方法來滿足本發(fā)明規(guī)定的各晶面聚集度?？刹捎眉崩淠谭ㄒ约巴ㄟ^控制熱加工期間再結(jié)晶的組織控制是能應(yīng)用方法的某些實例。
本發(fā)明的合金薄板也可在光刻步驟前進(jìn)行壓制成形前的退火。如果在較低溫度(這是本發(fā)明的條件)進(jìn)行壓制成形前的退火，不會降低光刻質(zhì)量。但對于普通材料來說，如果在本發(fā)明規(guī)定的較低的溫度進(jìn)行壓制成形前退火后再進(jìn)行光刻，則會降低光刻質(zhì)量，所以不能在光刻前進(jìn)行壓制成形前退火。相反，本發(fā)明的材料可以在壓制成形前退火后進(jìn)行光刻而不會降低蝕刻質(zhì)量。
實施例2本發(fā)明者們通過桶內(nèi)精煉制取具有表7所示組成的合金No.1～No.23。對合金No.1～No.13通過連續(xù)澆鑄進(jìn)一步處理以制取連續(xù)鑄坯，對合金No.18～No.23進(jìn)行模制處理以制取合金錠，然后對該合金錠進(jìn)行調(diào)理和開坯初軋?zhí)幚硪灾迫”馀?。對這些扁坯進(jìn)行表面處理并供入爐內(nèi)在1100℃加熱3小時，隨后進(jìn)行熱軋以制取熱軋薄板。
將合金No.14～No.17直接澆鑄成鑄板，然后在1000°～1300℃溫度范圍內(nèi)以30%壓下率進(jìn)行熱軋，并在750℃進(jìn)行卷繞以制取熱軋薄板。

用合金No.1～No.23的這些熱軋薄板制取表8和表9所列合金薄板No.1～No.34。
在表8和表9中，Dmax代表合金薄板中最大的奧氏體結(jié)晶粒度，Dmin代表合金薄板中最小的奧氏體結(jié)晶粒度。


用熱軋合金薄板No.1～No.21制取的材料No.1～No.21和No.27～No.30的合金薄板的厚度為0.13mm，用下述方法(1)制取該合金薄板(1)在910°～990℃溫度范圍的熱軋薄板退火-第一次冷軋-在860°～940℃溫度范圍內(nèi)再結(jié)晶退火125秒-第二次冷軋-在860°～940℃溫度范圍內(nèi)再結(jié)晶退火125秒-以15%壓下率的精冷軋-在530℃消除應(yīng)力退火30秒。
用合金No.22和No.26的熱軋薄板制取的材料No.22和No.26的合金薄板的厚度為0.13mm，用下述方法(2)制取該合金薄板(2)以92.5%壓下率的第一次冷軋-在850℃再結(jié)晶退火60秒-以15%壓下率的精冷軋-在530℃消除應(yīng)力退火30秒。
用合金No.23的熱軋薄板制取的材料No.23的合金薄板的厚度為0.13mm，用下述方法(3)制取該合金薄板(3)在970℃的熱軋薄板退火-第一次冷軋-在860℃再結(jié)晶退火30秒-第二次冷軋-在860℃再結(jié)晶退火30秒-精冷軋-在530℃消除應(yīng)退火30秒。
用合金No.1的熱軋薄板制取的材料No.24的合金薄板的厚度為0.13mm，用下述方法(4)制取該合金薄板(4)在950℃的熱軋薄板退火-以74%壓下率的第一次冷軋-在950℃再結(jié)晶退火180秒-以40%壓下率的第二次冷軋-在950℃再結(jié)晶退火180秒-以15%壓下率的精冷軋-在530℃消除應(yīng)力退火30秒。
用合金N.1的熱軋薄板制取的材料No.25的合金薄板的厚度為0.13mm，用下述方法(5)制取合金薄板(5)在950℃的熱軋薄板退火-第一次冷軋-在800℃再結(jié)晶退火30秒-第二次冷軋-在800℃再結(jié)晶退火30秒-精冷軋-在530℃消除應(yīng)力退火30秒。
用合金No.4的熱軋薄板制取的材料No.31和No.33的合金薄板、用合金No.3的熱軋薄板制取的材料No.32的合金薄板和用合金No.7的熱軋薄板制取的材料No.34的合金薄板都具有0.13mm的厚度，用下述方法(6)制取該合金薄板(6)第一次冷軋-在860°～940℃溫度范圍內(nèi)再結(jié)晶退火125秒-第二次冷軋-在860°～940℃溫度范圍內(nèi)再結(jié)晶退火125秒-精冷軋-在530℃消除應(yīng)力退火30秒。
所有這些制得的熱軋薄板都在退火后顯示出充分的再結(jié)晶。
對通過上述處理制取的材料No.1～No.12和No.15～No.34的合金薄板進(jìn)行蝕刻制成平板蔭罩(壓制成形前的蔭罩)。在770℃對該平板蔭罩進(jìn)行45分鐘的壓制成形前退火處理，隨后被壓制成形。在該處理過程中進(jìn)行壓制成形性試驗。在對壓制成形的蔭罩進(jìn)行黑化、將它們安裝進(jìn)陰極射線管內(nèi)和用電子束在其表面上進(jìn)行輻照后測量局部彩色相位移。在795℃對材料No.13和No.14的合金薄板進(jìn)行3分鐘的壓制成形前退火，然后進(jìn)行蝕刻制成平板蔭罩。對這些平板蔭罩進(jìn)行壓制成形以測定壓制成形性。還使用上述相同方法對這些合金進(jìn)行局部彩色相位移檢驗。
表8和表9列出了壓制成形前退火前的平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav、奧氏體結(jié)晶?；炝６菵max/Dmin、維氏硬度Hv、[10×Dav+80-Hv]和[Hv-10×Dav-50]的正負(fù)號的表示。表10和表11列出了壓制成形前退火前薄板表面上各晶面的聚集度、壓制成形性、局部彩色相位移和抗腐蝕性。
在表10和表11中，形狀固定能力、模具與合金薄板的適配性和不清晰穿孔邊緣的評價判斷標(biāo)準(zhǔn)如下。
關(guān)于形狀固定能力，“◎”符號表示“極好”，“O”表示“良好”，“X”表示“較差”。
關(guān)于模具與合金薄板的適配性，“O”符號表示“良好無壓痕(ironing mark)”，“△”表示“較差有少許壓痕”，“X”表示“差有許多壓痕”。
關(guān)于不清晰穿孔邊緣，“◎”符號表示“完全無”，“O”表示“無”，“△”表示“有一些”，而“X”表示“產(chǎn)生”。
銹斑出現(xiàn)頻率是根據(jù)JISZ 2371進(jìn)行50小時的鹽水噴霧腐蝕試驗而測得的每1cm2合金表面上的腐蝕點數(shù)。


根據(jù)表8～表10，材料No.1～No.13的Fe-Ni合金薄板滿足本發(fā)明規(guī)定的條件，該條件包括｛111｝、｛100｝、｛311｝、｛331｝、｛210｝和｛211｝各晶面聚集度、平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav、奧氏體結(jié)晶?；炝６菵max/Dmin、維氏硬度Hv和[10×Dav+80≥Hv≥10×Dav+50]條件。所有這些Fe-Ni合金薄板都具有極好的壓制成形性而無局部彩色相位移。
材料No.14～No.17的Fe-Ni-Co合金薄板也滿足本發(fā)明規(guī)定的條件。所有這些Fe-Ni-Co合金薄板都具有極好的壓制成形性而無局部彩色相位移。
材料No.13和No.14在蝕刻前進(jìn)行壓制成形前的退火。即使在該處理下，這些合金薄板也獲得了蔭罩的最佳功能。
所有這些材料No.1～No.17的合金薄板與那些將在以下敘述的對比材料相比較，顯然都具有更優(yōu)良的特性。
對比材料No.18的合金薄板含有大于本發(fā)明上限0.2wt.%的Si。對比材料No.20含有大于本發(fā)明上限0.003wt.%的N。兩種合金薄板在壓制成形期間都出現(xiàn)了與模具的適配問題。
對比材料No.19的合金薄板含有大于本發(fā)明上限0.004wt.%的O。對比材料No.23的合金薄板含有大于本發(fā)明上限0.05wt.%的Sb。兩種合金薄板的平均奧氏體結(jié)晶粒度都低于本發(fā)明的下限10.5μm，在壓制成形時形狀固定能力很差并在薄板表面上產(chǎn)生裂紋。
對比材料No.19的合金薄板的奧氏體結(jié)晶粒的混合粒度Dmax/Dmin大于本發(fā)明上限15，所以它導(dǎo)致不清晰的穿孔邊緣。
對比材料No.20的合金薄板含有低于本發(fā)明下限0.001wt.%的Co，所以抗腐蝕性顯著地劣于本發(fā)明的實施例。
對比材料No.21的合金薄板含有大于本發(fā)明上限0.005wt.%的B，所以壓制成形前退火前的平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav低于本發(fā)明的下限10.5μm，形狀固定能力很差并在薄板表面上產(chǎn)生裂紋。
材料No.21的合金薄板的奧氏體結(jié)晶粒的混粒度Dmax/Dmin大于本發(fā)明上限15，所以出現(xiàn)了不清晰的穿孔邊緣。
通過下述方法(7)(不使用熱軋退火)來制取對比材料No.22的合金薄板。所使用的方法與前述未經(jīng)審查的日本專利公開公報No.3-267320中所述方法相同。
(7)以92.5%壓下率的第一次冷軋-在850℃再結(jié)晶退火60秒-以15%壓下率的精冷軋-在530℃消除應(yīng)力退火30秒。
對比材料No.22的合金薄板的｛100｝晶面聚集度超過本發(fā)明上限75%，｛110｝晶面聚集度低于本發(fā)明下限5%，奧氏體結(jié)晶粒的混粒度Dmax/Dmin也超過本發(fā)明上限15。
對材料No.24的合金薄板在第一次冷軋和第二次冷軋后在950℃進(jìn)行180秒再結(jié)晶退火。對比材料No.25的合金薄板在第一次冷軋和第二次冷軋后在800℃進(jìn)行30秒再結(jié)晶退火。材料No.24的合金薄板壓制成形前退火前的平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav大于本發(fā)明上限15μm，材料No.25的合金薄板的Dav值低于本發(fā)明下限10.5μm。兩種合金薄板都在壓制成形時顯示出很差的形狀固定能力。
通過使用制取材料No.22的合金薄板的方法來制取對比材料No.26的合金薄板。該合金薄板的｛100｝晶面聚集度大于本發(fā)明上限75%，｛110｝晶面聚集度低于本發(fā)明下限5%，奧氏體結(jié)晶粒的混粒度Dmax/Dmin大于本發(fā)明上限15。結(jié)果是，該合金薄板產(chǎn)生了不清晰的穿孔邊緣。因此，即使?jié)M足本發(fā)明組成技術(shù)規(guī)格的合金薄板，如果不滿足本發(fā)明有關(guān)各晶面聚集度和奧氏體結(jié)晶?；炝６确矫娴臈l件，它也不能得到極好的壓制成形性。
對比材料No.27的合金薄板的維氏硬度Hv大于本發(fā)明上限220，對比材料No.28的合金薄板的維氏硬度Hv低于本發(fā)明下限165。對比材料No.29的合金薄板的維氏硬度Hv大于本發(fā)明規(guī)定的[10×Dav+80]值。對比材料No.30的合金薄板的維氏硬度Hv低于本發(fā)明規(guī)定的[10×Dav+50]值。結(jié)果是，所有這些合金薄板的形狀固定能力都很差。
通過使用制取材料No.1～No.21的合金薄板的方法(不使用熱軋薄板退火)來生產(chǎn)對比材料No.31～No.34的合金薄板。材料No.31的合金薄板的｛110｝晶面聚集度大于本發(fā)明上限40%，奧氏體結(jié)晶粒的混粒度Dmax/Dmin大于本發(fā)明上限15，所以薄板產(chǎn)生了不清晰的穿孔邊緣。材料No.32的合金薄板的｛111｝晶面聚集度大于本發(fā)明上限14%，｛311｝晶面聚集度大于本發(fā)明上限20%，所以薄板產(chǎn)生了局部彩色相位移。材料No.33的合金薄板的｛211｝晶面聚集度大于本發(fā)明上限20%，所以在薄板表面上產(chǎn)生了裂紋。材料No.34的合金薄板的｛331｝晶面聚集度和｛210｝晶面聚集度都大于本發(fā)明上限20%，所以薄板產(chǎn)生了局部彩色相位移。
如上詳細(xì)所述，通過制取滿足本發(fā)明規(guī)定條件的合金薄板來獲得具有極好壓制成形性和熒光屏質(zhì)量的蔭罩用合金薄板，本發(fā)明規(guī)定的條件包括合金組成、壓制成形前退火前合金薄板的各晶面聚集度、壓制成形前退火前的平均奧氏體結(jié)晶粒度Dav、奧氏體結(jié)晶粒的混粒度Dmax/Dmin、維氏硬度Hv和[10×Dav+80≥Hv≥10×Dav+50]關(guān)系式。
本發(fā)明提供一種用于蔭罩的合金薄板，該合金薄板在壓制成形期間具有極好的形狀固定能力，顯示出良好的與模具的適配性，在材料上抑制裂紋產(chǎn)生，不出現(xiàn)不清晰的穿孔邊緣、無彩色相位移，并具有抗腐蝕性。
即使上述本發(fā)明的合金薄板在蝕刻前進(jìn)行壓制成形前的退火，它們也具有良好的蝕刻性能和壓制成形性。從而，如果該合金薄板的供應(yīng)商提前進(jìn)行壓制成形前的退火，則本發(fā)明為陰極射線管制造商提供可省去壓制成形前退火的額外優(yōu)點。
權(quán)利要求
1.一種用于制造蔭罩的合金薄板，該合金薄板基本上含有以下元素34～38wt.%的Ni、0.07wt.%或更低的Si、0.001wt.%或更低的B、0.003wt.%或更低的0、0.002wt.%或更低的N，其余是Fe和不可避免的雜質(zhì)；所述壓制成形前退火前的合金薄板具有10.5～15.0μm的平均奧氏體結(jié)晶粒度(Dav)，奧氏體結(jié)晶的最大粒度與最小粒度之比(Dmax/Dmin)為1～15，維氏硬度(Hv)為165～220，并滿足以下關(guān)系式；10×Dav+80≥Hv≥10×Dav+50；和所述合金薄板在其表面上具有以下各晶面聚集度{111}晶面聚集度為 14%或更低，{100}晶面聚集度為 5～75%，{110}晶面聚集度為 5～40%，{311}晶面聚集度為 20%或更低，{331}晶面聚集度為 20%或更低，{210}晶面聚集度為 20%或更低，和{211}晶面聚集度為 20%或更低。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的合金薄板，其中，所述Ni含量為35～37wt.%。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的合金薄板，其中，所述Ni含量為35.5～36.5wt.%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的合金薄板，其中，所述O含量為0.0001～0.003wt.%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的合金薄板，其中，所述B含量為0.0002wt.%或更低。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的合金薄板，其中，所述Si含量為0.001～0.07wt.%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的合金薄板，其中，所述N含量為0.0001～0.002wt.%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的合金薄板，其中，所述奧氏體結(jié)晶的最大粒度與最小粒度之比(Dmax/Dmin)為1～10。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的合金薄板，其中，所述｛100｝晶面的聚集度為8～46%。
10.一種用于制造蔭罩的合金薄板，該合金薄板基本上由以下元素組成34～38wt.%的Ni、0.07wt.%或更低的Si、1wt.%或更低的Co、0.001wt.%或更低的B、0.003wt.%或更低的O、0.002wt.%或更低的N，其余是Fe和不可避免的雜質(zhì);所述壓制成形前退火前的合金薄板具有10.5～15.0μm的平均奧氏體結(jié)晶粒度(Dav)，奧氏體結(jié)晶的最大粒度與最小粒度之比(Dmax/Dmin)為1～15，維氏硬度(Hv)為165～220，并滿足以下關(guān)系式10×Dav+80≥Hv≥10×Dav+50;和所述合金薄板在其表面上具有以下各晶面聚集度｛111｝晶面聚集度為 14%或更低，｛100｝晶面聚集度為 5～75%，｛110｝晶面聚集度為 5～40%，｛311｝晶面聚集度為 20%或更低，｛331｝晶面聚集度為 20%或更低，｛210｝晶面聚集度為 20%或更低，和｛211｝晶面聚集度為 20%或更低。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的合金薄板，其中，所述Ni含量為35～37wt.%。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的合金薄板，其中，所述Ni含量為35.5～36.5wt.%。
13.根據(jù)權(quán)利要求10的合金薄板，其中，所述O含量為0.0001～0.003wt.%。
14.根據(jù)權(quán)利要求10的合金薄板，其中，所述B含量為0.0002%或更低。
15.根據(jù)權(quán)利要求10的合金薄板，其中，所述Si含量為0.001～0.07wt.%。
16.根據(jù)權(quán)利要求10的合金薄板，其中，所述N含量為0.0001～0.002wt.%。
17.根據(jù)權(quán)利要求10的合金薄板，其中，所述奧氏體結(jié)晶的最大粒度與最小粒度之比(Dmax/Dmin)為1～10。
18.根據(jù)權(quán)利要求10的合金薄板，其中，所述｛100｝晶面的聚集度為8～46%。
19.一種用于制造蔭罩的合金薄板，該合金薄板基本上含有以下元素28～38wt.%的Ni、0.07wt.%或更低的Si、1wt.%以上～7wt.%的Co、0.001wt.%或更低的B、0.003wt.%或更低的O、0.002wt.%或更低的N，其余是Fe和不可避免的雜質(zhì);所述壓制成形前退火前的合金薄板具有10.5～15.0μm的平均奧氏體結(jié)晶粒度(Dav)，奧氏體結(jié)晶的最大粒度與最小粒度之比(Dmax/Dmin)為1～15，維氏硬度(Hv)為165～220，并滿足以下關(guān)系式10×Dav+80≥Hv≥10×Dav+50;和所述合金薄板在其表面上具有以下各晶面聚集度｛111｝晶面聚集度為 14%或更低，｛100｝晶面聚集度為 5～75%，｛110｝晶面聚集度為 5～40%，｛311｝晶面聚集度為 20%或更低，｛331｝晶面聚集度為 20%或更低，｛210｝晶面聚集度為 20%或更低，和｛211｝晶面聚集度為 20%或更低。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的合金薄板，其中，所述Ni含量為30～33wt.%。所述Co含量為3～6wt.%。
21.根據(jù)權(quán)利要求19的合金薄板，其中，所述O含量為0.0001～0.003wt.%。
22.根據(jù)權(quán)利要求19的合金薄板，其中，所述B含量為0.0002wt.%或更低。
23.根據(jù)權(quán)利要求19的合金薄板，其中，所述Si含量為0.001～0.07wt.%。
24.根據(jù)權(quán)利要求19的合金薄板，其中，所述N含量為0.0001～0.002wt.%。
25.根據(jù)權(quán)利要求19的合金薄板，其中，所述奧氏體結(jié)晶的最大粒度與最小粒度之比(Dmax/Dmin)為1～10。
26.根據(jù)權(quán)利要求19的合金薄板，其中，所述｛100｝晶面的聚集度為8～46%。
27.一種用于制造蔭罩的合金薄板，該合金薄板基本上含有以下元素34～38wt.%的Ni、0.01～3wt.%的Cr、0.2wt.%或更低的Si、0.005wt.%或更低的B、0.004wt.%或更低的O、0.003wt.%或更低的N、0.05wt.%或更低的Sb，其余是Fe和不可避免的雜質(zhì);所述壓制成形前退火前的合金薄板具有10.5～15.0μm的平均奧氏體結(jié)晶粒度(Dav)，奧氏體結(jié)晶的最大粒度與最小粒度之比(Dmax/Dmin)為1～15，維氏硬度(Hv)為165～220，并滿足以下關(guān)系式10×Dav+80≥Hv≥10×Dav+50;和所述合金薄板在其表面上具有以下各晶面聚集度｛111｝晶面聚集度為 14%或更低，｛100｝晶面聚集度為 5～75%，｛110｝晶面聚集度為 5～40%，｛311｝晶面聚集度為 20%或更低，｛331｝晶面聚集度為 20%或更低，｛210｝晶面聚集度為 20%或更低，和｛211｝晶面聚集度為 20%或更低。
28.根據(jù)權(quán)利要求27的合金薄板，其中，所述Ni含量為35.5～37wt.%。
29.根據(jù)權(quán)利要求28的合金薄板，其中，所述Ni含量為35.5～36.5wt.%。
30.根據(jù)權(quán)利要求27的合金薄板，其中，所述O含量為0.0001～0.004wt.%。
31.根據(jù)權(quán)利要求27的合金薄板，其中，所述B含量為0.001wt.%或更低。
32.根據(jù)權(quán)利要求27的合金薄板，其中，所述Si含量為0.001～0.2wt.%。
33.根據(jù)權(quán)利要求27的合金薄板，其中，所述N含量為0.0001～0.003wt.%。
34.根據(jù)權(quán)利要求27的合金薄板，其中，所述奧氏體結(jié)晶的最大粒度與最小粒度之比(Dmax/Dmin)為1～10。
35.根據(jù)權(quán)利要求27的合金薄板，其中，所述｛100｝晶面的聚集度為8～46%。
36.一種用于制造蔭罩的合金薄板，該合金薄板基本上含有以下元素34～38wt.%的Ni、0.01～3wt.%的Cr、1wt.%或更低的Co、0.2wt.%或更低的Si、0.005wt.%或更低的B、0.004wt.%或更低的O、0.003wt.%或更低的N，0.05wt.%或更低的Sb、其余是Fe和不可避免的雜質(zhì);所述壓制成形前退火前的合金薄板具有10.5～15.0μm的平均奧氏體結(jié)晶粒度(Dav)，奧氏體結(jié)晶的最大粒度與最小粒度之比(Dmax/Dmin)為1～15，維氏硬度(Hv)為165～220，并滿足以下關(guān)系式10×Dav+80≥Hv≥10×Dav+50;和所述合金薄板在其表面上具有以下各晶面聚集度｛111｝晶面聚集度為 14%或更低，｛100｝晶面聚集度為 5～75%，｛110｝晶面聚集度為 5～40%，｛311｝晶面聚集度為 20%或更低，｛331｝晶面聚集度為 20%或更低，｛210｝晶面聚集度為 20%或更低，和｛211｝晶面聚集度為 20%或更低。
37.根據(jù)權(quán)利要求36的合金薄板，其中，所述Ni含量為35.5～37wt.%。
38.根據(jù)權(quán)利要求37的合金薄板，其中，所述Ni含量為35.5～36.5wt.%。
39.根據(jù)權(quán)利要求36的合金薄板，其中，所述O含量為0.0001～0.004wt.%。
40.根據(jù)權(quán)利要求36的合金薄板，其中，所述B含量為0.001wt.%或更低。
41.根據(jù)權(quán)利要求36的合金薄板，其中，所述Si含量為0.001～0.2wt.%。
42.根據(jù)權(quán)利要求36的合金薄板，其中，所述N含量為0.0001～0.003wt.%。
43.根據(jù)權(quán)利要求36的合金薄板，其中，所述奧氏體結(jié)晶的最大粒度與最小粒度之比(Dmax/Dmin)為1～10。
44.根據(jù)權(quán)利要求36的合金薄板，其中，所述｛100｝晶面的聚集度為8～46%。
45.一種用于制造蔭罩的合金薄板，該合金薄板基本上含有以下元素28～38wt.%的Ni、0.01～3wt.%的Cr、1wt.%以上～7wt.%的Co、0.2wt.%或更低的Si、0.005wt.%或更低的B、0.004wt.%或更低的O、0.003wt.%或更低的N、0.05wt.%或更低的Sb、其余是Fe和不可避免的雜質(zhì);所述壓制成形前退火前的合金薄板具有10.5～15.0μm的平均奧氏體結(jié)晶粒度(Dav)，奧氏體結(jié)晶的最大粒度與最小粒度之比(Dmax/Dmin)為1～15，維氏硬度(Hv)為165～220，并滿足以下關(guān)系式10×Dav+80≥Hv≥10×Dav+50;和所述合金薄板在其表面上具有以下各晶面聚集度｛111｝晶面聚集度為 14%或更低，｛100｝晶面聚集度為 5～75%，｛110｝晶面聚集度為 5～40%，｛311｝晶面聚集度為 20%或更低，｛331｝晶面聚集度為 20%或更低，｛210｝晶面聚集度為 20%或更低，和｛211｝晶面聚集度為 20%或更低。
46.根據(jù)權(quán)利要求45的合金薄板，其中，所述Ni含量為30～33wt.%，所述Co含量為3～6wt.%。
47.根據(jù)權(quán)利要求45的合金薄板，其中，所述O含量為0.0001～0.004wt.%。
48.根據(jù)權(quán)利要求45的合金薄板，其中，所述B含量為0.001wt.%或更低。
49.根據(jù)權(quán)利要求45的合金薄板，其中，所述Si含量為0.001～0.2wt.%。
50.根據(jù)權(quán)利要求45的合金薄板，其中，所述N含量為0.0001～0.003wt.%。
51.根據(jù)權(quán)利要求45的合金薄板，其中，所述奧氏體結(jié)晶的最大粒度與最小粒度之比(Dmax/Dmin)為1～10。
52.根據(jù)權(quán)利要求45的合金薄板，其中，所述｛100｝晶面的聚集度為8～46%。
全文摘要
一種用于制造蔭罩的合金薄板，該合金薄板基本上含有以下元素34～38wt％的Ni、0.07wt％或更低的Si、0.001wt％或更低的B、0.003wt％或更低的O、0.002wt％或更低的N，其余是Fe和不可避免的雜質(zhì)。所述合金薄板具有10.5～15.0μm的平均奧氏體結(jié)晶粒度(Dav)、1～15的奧氏體結(jié)晶的最大粒度與最小粒度之比(Dmax/Dmin)、165～220的維氏硬度(Hv)，并滿足關(guān)系式10×Dav+80≥Hv≥10×Dav+50；和在所述合金薄板其表面上的各晶面聚集度為規(guī)定值。
文檔編號C22C38/08GK1096330SQ94103320
公開日1994年12月14日 申請日期1994年3月18日 優(yōu)先權(quán)日1993年5月28日
發(fā)明者井上正, 鶴清, 日朝道人, 山內(nèi)克久 申請人:日本鋼管株式會社