本技術(shù)涉及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，具體而言，涉及一種薄膜沉積裝置。

背景技術(shù)：

1、薄膜沉積技術(shù)是一種將物質(zhì)沉積在基底表面形成薄膜的工藝方法，其作為半導(dǎo)體生產(chǎn)制造過程中使用的重要核心工藝技術(shù)之一，常用于制備各種材料的薄膜，它在電子器件、光學(xué)器件、納米材料等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，通過控制沉積過程中的條件和參數(shù)，可以獲得具有不同性質(zhì)和功能的薄膜材料。

2、在薄膜沉積過程中，通常將放置在接地電極上的晶圓在高壓下加熱到350℃，其沉積的薄膜包括二氧化硅，氮化硅和低應(yīng)力氮氧化物薄膜等。其中，現(xiàn)有技術(shù)在薄膜沉積過程中，通常采用設(shè)置在晶圓放置平臺內(nèi)的加熱絲來提供熱量，然而，這種加熱方式，加熱絲一旦發(fā)生損壞不便于進行維修，會導(dǎo)致晶圓平臺的維修成本增高。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型的目的在于提供一種薄膜沉積裝置，該薄膜沉積裝置能夠在加熱裝置發(fā)生損壞時便于維修，能夠降低薄膜沉積裝置的維修成本。

2、本實用新型的實施例是這樣實現(xiàn)的：

3、本實用新型的一方面，提供一種薄膜沉積裝置，該薄膜沉積裝置包括晶圓平臺和加熱平臺，晶圓平臺靠近加熱平臺的一面設(shè)有容置槽，加熱平臺可拆卸連接于容置槽內(nèi)，且加熱平臺與晶圓平臺相向設(shè)置的一面呈面接觸，加熱平臺用于對晶圓平臺加熱。該薄膜沉積裝置能夠在加熱裝置發(fā)生損壞時便于維修，能夠降低薄膜沉積裝置的維修成本。

4、可選地，薄膜沉積裝置還包括底座，底座設(shè)于加熱平臺背離晶圓平臺的一面，且底座與加熱平臺相互連接。

5、可選地，底座靠近晶圓平臺的一面連接有加熱管，加熱管與加熱平臺連接，用于對加熱平臺進行加熱。

6、可選地，加熱管包括多個，且多個加熱管均勻分布于底座上。

7、可選地，加熱平臺在底座上的正投影位于底座的中心區(qū)域。

8、可選地，加熱平臺連接于底座上時，加熱平臺在底座上的正投影的面積大于底座露出于加熱平臺之外的區(qū)域的面積。

9、可選地，容置槽包括第一子槽和與第一子槽連通的第二子槽，加熱平臺設(shè)于第一子槽內(nèi)，底座設(shè)于第二子槽內(nèi)，底座與晶圓平臺相向設(shè)置的一面呈面接觸。

10、可選地，底座朝向晶圓平臺的一面還設(shè)有加熱柱，晶圓平臺朝向底座的一面設(shè)有與加熱柱適配的定位孔，加熱柱插設(shè)于定位孔內(nèi)，用于將底座定位于晶圓平臺上，且用于對晶圓平臺加熱。

11、可選地，加熱柱包括多個，多個加熱柱圍設(shè)于加熱平臺的外周。

12、可選地，底座背離加熱平臺的一面與晶圓平臺朝向底座的一面呈平齊設(shè)置。

13、本實用新型的有益效果包括：

14、本申請?zhí)峁┑谋∧こ练e裝置包括晶圓平臺和加熱平臺，晶圓平臺靠近加熱平臺的一面設(shè)有容置槽，加熱平臺可拆卸連接于容置槽內(nèi)，且加熱平臺與晶圓平臺相向設(shè)置的一面呈面接觸，加熱平臺用于對晶圓平臺加熱。本申請通過設(shè)置加熱平臺和晶圓平臺，且使得加熱平臺可拆卸連接于晶圓平臺的容置槽內(nèi)，這樣，能夠便于對加熱平臺的拆卸，在加熱平臺發(fā)生損壞時可以通過將加熱平臺從晶圓平臺上拆下后進行維修，如此，本申請相對于現(xiàn)有技術(shù)將加熱裝置內(nèi)設(shè)于晶圓平臺內(nèi)部不便拆取而言，本申請的設(shè)置方式能夠在加熱裝置發(fā)生損壞時便于維修，能夠降低薄膜沉積裝置的維修成本。

技術(shù)特征：

1.一種薄膜沉積裝置，其特征在于，包括晶圓平臺和加熱平臺，所述晶圓平臺靠近所述加熱平臺的一面設(shè)有容置槽，所述加熱平臺可拆卸連接于所述容置槽內(nèi)，且所述加熱平臺與所述晶圓平臺相向設(shè)置的一面呈面接觸，所述加熱平臺用于對所述晶圓平臺加熱。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，所述薄膜沉積裝置還包括底座，所述底座設(shè)于所述加熱平臺背離所述晶圓平臺的一面，且所述底座與所述加熱平臺相互連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，所述底座靠近所述晶圓平臺的一面連接有加熱管，所述加熱管與所述加熱平臺連接，用于對所述加熱平臺進行加熱。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，所述加熱管包括多個，且多個所述加熱管均勻分布于所述底座上。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，所述加熱平臺在所述底座上的正投影位于所述底座的中心區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，所述加熱平臺連接于所述底座上時，所述加熱平臺在所述底座上的正投影的面積大于所述底座露出于所述加熱平臺之外的區(qū)域的面積。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，所述容置槽包括第一子槽和與所述第一子槽連通的第二子槽，所述加熱平臺設(shè)于所述第一子槽內(nèi)，所述底座設(shè)于所述第二子槽內(nèi)，所述底座與所述晶圓平臺相向設(shè)置的一面呈面接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，所述底座朝向所述晶圓平臺的一面還設(shè)有加熱柱，所述晶圓平臺朝向所述底座的一面設(shè)有與所述加熱柱適配的定位孔，所述加熱柱插設(shè)于所述定位孔內(nèi)，用于將所述底座定位于所述晶圓平臺上，且用于對所述晶圓平臺加熱。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，所述加熱柱包括多個，多個所述加熱柱圍設(shè)于所述加熱平臺的外周。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，所述底座背離所述加熱平臺的一面與所述晶圓平臺朝向所述底座的一面呈平齊設(shè)置。

技術(shù)總結(jié)
一種薄膜沉積裝置，涉及半導(dǎo)體工藝設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。該薄膜沉積裝置包括晶圓平臺和加熱平臺，晶圓平臺靠近加熱平臺的一面設(shè)有容置槽，加熱平臺可拆卸連接于容置槽內(nèi)，且加熱平臺與晶圓平臺相向設(shè)置的一面呈面接觸，加熱平臺用于對晶圓平臺加熱。該薄膜沉積裝置能夠在加熱裝置發(fā)生損壞時便于維修，能夠降低薄膜沉積裝置的維修成本。

技術(shù)研發(fā)人員：何正鴻,李奎奎,姜滔,王森民
受保護的技術(shù)使用者：甬矽電子（寧波）股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240514
技術(shù)公布日：2024/12/26