本申請涉及太陽能電池制造，尤其涉及一種磁控濺射鍍膜裝置。

背景技術(shù)：

1、在磁控濺射鍍膜技術(shù)中，腔體內(nèi)氣體的均勻性對鍍膜裝置的成膜質(zhì)量和膜層均勻性起著十分關(guān)鍵的作用。然而，對于現(xiàn)有的磁控濺射鍍膜裝置而言，由于腔體形狀的限制，腔體內(nèi)氣體會存在堆積、不均勻問題，從而很大程度地降低濺射反應(yīng)，影響鍍膜質(zhì)量，影響太陽能電池的性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，有必要提供一種磁控濺射鍍膜裝置，以改善現(xiàn)有磁控濺射鍍膜裝置反應(yīng)氣體分布不均勻，導(dǎo)致?lián)诫s元素分布不均勻的技術(shù)問題。

2、本申請?zhí)峁┮环N磁控濺射鍍膜裝置，磁控濺射鍍膜裝置包括爐體、磁控濺射機(jī)構(gòu)、供氣機(jī)構(gòu)以及多個加熱件，爐體設(shè)置有反應(yīng)腔，反應(yīng)腔的腔壁為連續(xù)的平滑過渡面；磁控濺射機(jī)構(gòu)至少部分安裝于反應(yīng)腔內(nèi)，供氣機(jī)構(gòu)與反應(yīng)腔相連通；多個加熱件均設(shè)置于爐體；沿第一方向觀察，多個加熱件圍繞反應(yīng)腔分布；第一方向?yàn)闋t體的軸線方向。

3、上述的磁控濺射鍍膜裝置，通過將反應(yīng)腔的腔壁設(shè)計(jì)成連續(xù)平滑過渡面，能夠降低由于反應(yīng)腔內(nèi)出現(xiàn)死角，導(dǎo)致反應(yīng)氣體堆積的風(fēng)險(xiǎn)，從而使反應(yīng)氣體均勻分布在反應(yīng)腔內(nèi)，提高磁控濺射鍍膜裝置鍍膜的均勻性，進(jìn)而提高太陽能電池性能。

4、在至少一個實(shí)施例中，加熱件包括石英管和加熱絲，石英管設(shè)置于爐體的外周側(cè)，加熱絲沿螺旋路徑延伸設(shè)置于石英管內(nèi)。

5、在至少一個實(shí)施例中，供氣機(jī)構(gòu)包括氣體混合組件和多個送氣組件，多個送氣組件均與氣體混合組件的進(jìn)氣口相連通，氣體混合組件的出氣口與反應(yīng)腔相連通；送氣組件被配置為向氣體混合組件輸送氣體，且每個送氣組件輸送的氣體不同；氣體混合組件被配置為將送氣組件輸送的不同氣體混合，以形成上述反應(yīng)氣體。

6、在至少一個實(shí)施例中，送氣組件包括管道、控制閥以及氣體流量計(jì)，管道的一端與氣體混合組件的進(jìn)氣口連接，管道的另一端與外部儲氣裝置連接；控制閥和氣體流量計(jì)均安裝于管道，氣體流量計(jì)被配置為監(jiān)測管道內(nèi)氣體的流量，控制閥被配置為根據(jù)氣體流量計(jì)的監(jiān)測信息，控制管道內(nèi)的氣體流量大小。

7、在至少一個實(shí)施例中，供氣機(jī)構(gòu)還包括勻氣組件，勻氣組件安裝于磁控濺射機(jī)構(gòu)，并與氣體混合組件的出氣口相連接；勻氣組件被配置為將反應(yīng)氣體輸送至反應(yīng)腔內(nèi)。

8、在至少一個實(shí)施例中，勻氣組件沿第二方向間隔設(shè)置有n個氣流通道，第i個氣流通道沿第一方向間隔設(shè)有2i個排氣孔，i＝1、2……n；第二方向與第一方向相交；當(dāng)i為1至n-1時(shí)，2i個排氣孔連通第i個氣流通道和第i+1個氣流通道；當(dāng)i＝n時(shí)，2i個排氣孔連通反應(yīng)腔；沿第一方向，第i-1個氣流通道的每個排氣孔，與相鄰的第i個氣流通道的排氣孔的間距相等。

9、在至少一個實(shí)施例中，磁控濺射鍍膜裝置還包括載料機(jī)構(gòu)，載料機(jī)構(gòu)活動安裝于反應(yīng)腔；載料機(jī)構(gòu)被配置為承載目標(biāo)工件，并將目標(biāo)工件送入反應(yīng)腔內(nèi)，或從反應(yīng)腔內(nèi)移出。

10、在至少一個實(shí)施例中，磁控濺射機(jī)構(gòu)沿第一方向的中心軸線，與載料機(jī)構(gòu)沿第一方向的中心線軸線平行。

11、在至少一個實(shí)施例中，載料機(jī)構(gòu)包括載板和驅(qū)動件，載板活動安裝于反應(yīng)腔，且載板的頂部設(shè)置有多個用于容納目標(biāo)工件的容納槽；載板的兩側(cè)設(shè)置有氣體回收孔，氣體回收孔被配置為與外部氣體回收設(shè)備相連；驅(qū)動件安裝于爐體的外部，并與載板連接；驅(qū)動件被配置為驅(qū)動載板伸入反應(yīng)腔或從反應(yīng)腔內(nèi)移出。

12、在至少一個實(shí)施例中，磁控濺射機(jī)構(gòu)包括基座、多個靶材以及多個磁組，基座沿第一方向活動設(shè)置于反應(yīng)腔，多個靶材間隔設(shè)置于基座；每個靶材的一端開設(shè)有安裝孔，安裝孔沿第一方向延伸，各磁組安裝于對應(yīng)靶材的安裝孔內(nèi)，勻氣組件安裝于相鄰兩個靶材之間。

技術(shù)特征：

1.一種磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述磁控濺射鍍膜裝置包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述加熱件包括石英管和加熱絲，所述石英管設(shè)置于所述爐體的外周側(cè)，所述加熱絲沿螺旋路徑延伸設(shè)置于所述石英管內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述供氣機(jī)構(gòu)包括氣體混合組件和多個送氣組件，多個所述送氣組件均與所述氣體混合組件的進(jìn)氣口相連通，所述氣體混合組件的出氣口與所述反應(yīng)腔相連通；

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述送氣組件包括管道、控制閥以及氣體流量計(jì)，所述管道的一端與所述氣體混合組件的進(jìn)氣口連接，所述管道的另一端與外部儲氣裝置連接；

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述供氣機(jī)構(gòu)還包括勻氣組件，所述勻氣組件安裝于所述磁控濺射機(jī)構(gòu)，并與所述氣體混合組件的出氣口相連接；所述勻氣組件被配置為將所述反應(yīng)氣體輸送至所述反應(yīng)腔內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述勻氣組件沿第二方向間隔設(shè)置有n個氣流通道，第i個所述氣流通道沿所述第一方向間隔設(shè)有2i個排氣孔，i＝1、2……n；所述第二方向與所述第一方向相交；

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述磁控濺射鍍膜裝置還包括載料機(jī)構(gòu)，所述載料機(jī)構(gòu)活動安裝于所述反應(yīng)腔；所述載料機(jī)構(gòu)被配置為承載目標(biāo)工件，并將所述目標(biāo)工件送入所述反應(yīng)腔內(nèi)，或從所述反應(yīng)腔內(nèi)移出。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述磁控濺射機(jī)構(gòu)沿所述第一方向的中心軸線，與所述載料機(jī)構(gòu)沿所述第一方向的中心線軸線平行。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述載料機(jī)構(gòu)包括載板和驅(qū)動件，所述載板活動安裝于所述反應(yīng)腔，且所述載板的頂部設(shè)置有多個用于容納所述目標(biāo)工件的容納槽；所述載板的兩側(cè)設(shè)置有氣體回收孔，所述氣體回收孔被配置為與外部氣體回收設(shè)備相連；

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述磁控濺射機(jī)構(gòu)包括基座、多個靶材以及多個磁組，所述基座沿所述第一方向活動設(shè)置于所述反應(yīng)腔，多個所述靶材間隔設(shè)置于所述基座；每個所述靶材的一端開設(shè)有安裝孔，所述安裝孔沿所述第一方向延伸，各所述磁組安裝于對應(yīng)所述靶材的所述安裝孔內(nèi)，所述勻氣組件安裝于相鄰兩個所述靶材之間。

技術(shù)總結(jié)
本申請屬于太陽能電池制造技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種磁控濺射鍍膜裝置，該磁控濺射鍍膜裝置包括爐體、磁控濺射機(jī)構(gòu)、供氣機(jī)構(gòu)以及多個加熱件，爐體設(shè)置有反應(yīng)腔，反應(yīng)腔的腔壁為連續(xù)的平滑過渡面；磁控濺射機(jī)構(gòu)活動安裝于反應(yīng)腔內(nèi)，供氣機(jī)構(gòu)與反應(yīng)腔相連通；多個加熱件均設(shè)置于爐體；沿第一方向觀察，多個加熱件圍繞反應(yīng)腔分布；第一方向?yàn)闋t體的軸線方向。本申請中的磁控濺射鍍膜裝置通過將反應(yīng)腔的腔壁設(shè)計(jì)成連續(xù)平滑過渡面，能夠降低因反應(yīng)腔內(nèi)出現(xiàn)死角，導(dǎo)致反應(yīng)氣體堆積的風(fēng)險(xiǎn)，從而使反應(yīng)氣體均勻分布在反應(yīng)腔內(nèi)，提高磁控濺射鍍膜裝置鍍膜的均勻性，進(jìn)而提高太陽能電池性能。

技術(shù)研發(fā)人員：祁文杰,盧秋霞,林佳繼
受保護(hù)的技術(shù)使用者：拉普拉斯（西安）科技有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：20240513
技術(shù)公布日：2024/12/26