技術(shù)編號：40476176
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本技術(shù)涉及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，具體而言，涉及一種薄膜沉積裝置。背景技術(shù)、薄膜沉積技術(shù)是一種將物質(zhì)沉積在基底表面形成薄膜的工藝方法，其作為半導(dǎo)體生產(chǎn)制造過程中使用的重要核心工藝技術(shù)之一，常用于制備各種材料的薄膜，它在電子器件、光學(xué)器件、納米材料等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，通過控制沉積過程中的條件和參數(shù)，可以獲得具有不同性質(zhì)和功能的薄膜材料。、在薄膜沉積過程中，通常將放置在接地電極上的晶圓在高壓下加熱到℃，其沉積的薄膜包括二氧化硅，氮化硅和低應(yīng)力氮氧化物薄膜等。其中，現(xiàn)有技術(shù)在薄膜沉積過程中，通常采...
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