本技術(shù)涉及區(qū)域熔煉提純前處理中采用高壓電弧對(duì)區(qū)熔樣件金屬棒材進(jìn)行等離子表面清洗，特別是一種用于金屬表面清洗的真空預(yù)處理傳輸裝置。

背景技術(shù)：

1、區(qū)域熔煉是一種制備高純度材料的方法，它由john?desmond?bernal發(fā)明，并由貝爾實(shí)驗(yàn)室的william?g.pfann進(jìn)一步開發(fā)。在區(qū)域熔煉之前，一般需要先將原料制備為一定尺寸的棒狀材料，用兩個(gè)卡盤將原料棒垂直固定在爐腔內(nèi)。利用高頻線圈感應(yīng)加熱原料棒的局部并使其熔化，使熔區(qū)從一端向另一端緩慢通過(guò)整根原料棒以完成提純。在整個(gè)區(qū)熔過(guò)程中，熔融區(qū)域在其前緣熔化不純固體，雜質(zhì)集中在熔體中，并被移動(dòng)到原料棒的一端，使熔區(qū)在通過(guò)原料棒后凝固留下更純的材料。熔區(qū)由表面張力支撐，故又常稱“懸浮區(qū)域熔煉法”。該方法無(wú)需坩堝，避免了原料與坩堝的接觸，提純出的材料純度高。另一方面，在區(qū)域熔煉的過(guò)程中將主腔室抽至超高真空狀態(tài)或者根據(jù)提純材料的性質(zhì)通入一些氣體氣氛均可進(jìn)一步提高區(qū)域熔煉效果。近幾年，隨著技術(shù)的發(fā)展，一些裝置對(duì)金屬材料純度的要求于愈加苛刻，尤其在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，金屬材料原材料純度的提高往往會(huì)使得器件性能呈指數(shù)級(jí)提高。與之相關(guān)的是，在區(qū)域熔煉工序前提高金屬棒材表面的潔凈度就顯得尤為重要。因此，有必要開發(fā)一種用于金屬表面清洗的真空預(yù)處理傳輸裝置，能夠通過(guò)高壓電弧對(duì)區(qū)熔樣件金屬棒材進(jìn)行等離子表面清洗，從而使得被提純金屬表面潔凈度大大提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷或不足，提供一種用于金屬表面清洗的真空預(yù)處理傳輸裝置，能夠通過(guò)高壓電弧對(duì)區(qū)熔樣件金屬棒材進(jìn)行等離子表面清洗，從而使得被提純金屬表面潔凈度大大提高。

2、本實(shí)用新型的技術(shù)解決方案如下：

3、一種用于金屬表面清洗的真空預(yù)處理傳輸裝置，其特征在于，包括真空預(yù)處理腔體，所述真空預(yù)處理腔體的上腔蓋具有觀察窗，所述真空預(yù)處理腔體的后側(cè)面與分子泵連接，所述真空預(yù)處理腔體內(nèi)設(shè)置有高壓電弧放電裝置以對(duì)待真空區(qū)熔金屬棒材表面進(jìn)行等離子清洗，所述真空預(yù)處理腔體的底側(cè)面設(shè)置有為所述高壓電弧放電裝置接入電源的電極，所述真空預(yù)處理腔體的右側(cè)面通過(guò)送樣桿法蘭連接磁力送樣桿，所述真空預(yù)處理腔體的左側(cè)面設(shè)置有用于連接超高真空區(qū)熔工藝室的傳輸口法蘭。

4、所述上腔蓋的頂面左部設(shè)置有第一觀察窗，所述上腔蓋的頂面右部設(shè)置有第二觀察窗，所述真空預(yù)處理腔體的前面右部設(shè)置有第三觀察窗。

5、所述分子泵包括分子泵支腳、風(fēng)扇和分子泵出水口，所述分子泵用于將真空預(yù)處理腔體內(nèi)的真空度達(dá)到9×10-5pa。

6、所述磁力送樣桿的前端位于所述真空預(yù)處理腔體中，所述磁力送樣桿的前端設(shè)置有被清洗金屬棒材卡爪，所述磁力送樣桿的尾端端面設(shè)置有送樣桿尾部固定塊，所述磁力送樣桿的尾端周面環(huán)設(shè)有驅(qū)動(dòng)部件，所述驅(qū)動(dòng)部件上分布有送樣桿磁力塊，所述磁力送樣桿的送樣桿主體上靠近所述真空預(yù)處理腔體的送樣桿上分隔設(shè)置送樣桿法蘭和送樣桿限位塊。

7、所述上腔蓋的后邊與所述真空預(yù)處理腔體的后側(cè)面上邊通過(guò)鉸鏈連接，所述鉸鏈包括位于左半部的第一鉸鏈和位于右半部的第二鉸鏈，所述上腔蓋的前邊與所述真空預(yù)處理腔體的前側(cè)面之間設(shè)置有帶固定桿的固定扣，所述真空預(yù)處理腔體的右側(cè)面上設(shè)置有照明燈，所述真空預(yù)處理腔體與所述上腔蓋之間設(shè)置有腔體上密封板。

8、所述真空預(yù)處理腔體的底側(cè)面設(shè)置有氣缸和帶電磁閥的管路。

9、本實(shí)用新型技術(shù)效果如下：本實(shí)用新型一種用于金屬表面清洗的真空預(yù)處理傳輸裝置，能夠?qū)τ糜趨^(qū)熔提純的金屬棒材進(jìn)行等離子清洗，過(guò)程可控，步驟簡(jiǎn)單，可運(yùn)用于工業(yè)化生產(chǎn)。

技術(shù)特征：

1.一種用于金屬表面清洗的真空預(yù)處理傳輸裝置，其特征在于，包括真空預(yù)處理腔體，所述真空預(yù)處理腔體的上腔蓋具有觀察窗，所述真空預(yù)處理腔體的后側(cè)面與分子泵連接，所述真空預(yù)處理腔體內(nèi)設(shè)置有高壓電弧放電裝置以對(duì)待真空區(qū)熔金屬棒材表面進(jìn)行等離子清洗，所述真空預(yù)處理腔體的底側(cè)面設(shè)置有為所述高壓電弧放電裝置接入電源的電極，所述真空預(yù)處理腔體的右側(cè)面通過(guò)送樣桿法蘭連接磁力送樣桿，所述真空預(yù)處理腔體的左側(cè)面設(shè)置有用于連接超高真空區(qū)熔工藝室的傳輸口法蘭。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于金屬表面清洗的真空預(yù)處理傳輸裝置，其特征在于，所述上腔蓋的頂面左部設(shè)置有第一觀察窗，所述上腔蓋的頂面右部設(shè)置有第二觀察窗，所述真空預(yù)處理腔體的前面右部設(shè)置有第三觀察窗。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于金屬表面清洗的真空預(yù)處理傳輸裝置，其特征在于，所述分子泵包括分子泵支腳、風(fēng)扇和分子泵出水口，所述分子泵用于將真空預(yù)處理腔體內(nèi)的真空度達(dá)到9×10-5pa。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于金屬表面清洗的真空預(yù)處理傳輸裝置，其特征在于，所述磁力送樣桿的前端位于所述真空預(yù)處理腔體中，所述磁力送樣桿的前端設(shè)置有被清洗金屬棒材卡爪，所述磁力送樣桿的尾端端面設(shè)置有送樣桿尾部固定塊，所述磁力送樣桿的尾端周面環(huán)設(shè)有驅(qū)動(dòng)部件，所述驅(qū)動(dòng)部件上分布有送樣桿磁力塊，所述磁力送樣桿的送樣桿主體上靠近所述真空預(yù)處理腔體的送樣桿上分隔設(shè)置送樣桿法蘭和送樣桿限位塊。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于金屬表面清洗的真空預(yù)處理傳輸裝置，其特征在于，所述上腔蓋的后邊與所述真空預(yù)處理腔體的后側(cè)面上邊通過(guò)鉸鏈連接，所述鉸鏈包括位于左半部的第一鉸鏈和位于右半部的第二鉸鏈，所述上腔蓋的前邊與所述真空預(yù)處理腔體的前側(cè)面之間設(shè)置有帶固定桿的固定扣，所述真空預(yù)處理腔體的右側(cè)面上設(shè)置有照明燈，所述真空預(yù)處理腔體與所述上腔蓋之間設(shè)置有腔體上密封板。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于金屬表面清洗的真空預(yù)處理傳輸裝置，其特征在于，所述真空預(yù)處理腔體的底側(cè)面設(shè)置有氣缸和帶電磁閥的管路。

技術(shù)總結(jié)
一種用于金屬表面清洗的真空預(yù)處理傳輸裝置，能夠通過(guò)高壓電弧對(duì)區(qū)熔樣件金屬棒材進(jìn)行等離子表面清洗，從而使得被提純金屬表面潔凈度大大提高，其特征在于，包括真空預(yù)處理腔體，所述真空預(yù)處理腔體的上腔蓋具有觀察窗，所述真空預(yù)處理腔體的后側(cè)面與分子泵連接，所述真空預(yù)處理腔體內(nèi)設(shè)置有高壓電弧放電裝置以對(duì)待真空區(qū)熔金屬棒材表面進(jìn)行等離子清洗，所述真空預(yù)處理腔體的底側(cè)面設(shè)置有為所述高壓電弧放電裝置接入電源的電極，所述真空預(yù)處理腔體的右側(cè)面通過(guò)送樣桿法蘭連接磁力送樣桿，所述真空預(yù)處理腔體的左側(cè)面設(shè)置有用于連接超高真空區(qū)熔工藝室的傳輸口法蘭。

技術(shù)研發(fā)人員：徐閏,白佳鑫,邢振國(guó),董瀚,李建民,陳景鋒,王林軍,郝建鋒,徐飛,李道明,閆文凱
受保護(hù)的技術(shù)使用者：河北龍鳳山辰昕新材料科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240129
技術(shù)公布日：2024/12/19