本公開涉及光伏材料制造，具體涉及一種進(jìn)氣結(jié)構(gòu)和反應(yīng)爐。

背景技術(shù)：

1、薄膜制備工藝按照成膜方法可分為兩大類：物理氣相沉積(physical?vapordeposition，pvd)和化學(xué)氣相沉積(chemical?vapor?deposition，cvd)。cvd是通過氣態(tài)物質(zhì)在襯底上沉積一層薄膜的技術(shù)。cvd具有沉淀溫度低，薄膜成分和厚度易于控制、薄膜均勻性和重復(fù)性好，臺階覆蓋性好等優(yōu)點(diǎn)。因此，cvd工藝在大規(guī)模集成電路、光電器件、mems等制造領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。隨著光伏行業(yè)技術(shù)發(fā)展和對技術(shù)優(yōu)化的需求提高，薄膜的成膜均勻性進(jìn)一步優(yōu)化成為重中之重。

2、薄膜制備工藝需要用到鍍膜設(shè)備。cvd鍍膜設(shè)備內(nèi)氣體分布的均勻性直接影響薄膜的成膜均勻性。常規(guī)管式cvd設(shè)備采用在爐口進(jìn)氣，爐尾抽氣的方式進(jìn)行鍍膜。而常規(guī)的爐口進(jìn)氣通常只在爐口位置設(shè)置單獨(dú)進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，爐口位置氣體較為集中。隨著企業(yè)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展和產(chǎn)能需求不斷提升，機(jī)臺爐管設(shè)計(jì)不斷加大加長。常規(guī)爐口進(jìn)氣結(jié)構(gòu)存在爐口和爐尾以及爐內(nèi)氣體分布均勻性差的問題，導(dǎo)致成膜的均勻性和穩(wěn)定性差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本公開實(shí)施例提供了一種進(jìn)氣結(jié)構(gòu)和反應(yīng)爐，解決了由于爐內(nèi)氣體分布均勻性差，導(dǎo)致成膜的均勻性和穩(wěn)定性差的問題。

2、第一方面，本公開的實(shí)施例提供了一種進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，應(yīng)用于反應(yīng)爐，所述反應(yīng)爐具有長條形的腔室，在所述腔室的長度方向上所述腔室具有相對的第一端和第二端以及位于所述第一端與第二端之間的中部空間，所述進(jìn)氣結(jié)構(gòu)用于向所述腔室內(nèi)傳輸工藝氣體；其中，所述進(jìn)氣結(jié)構(gòu)包括：至少兩根進(jìn)氣管，一根所述進(jìn)氣管設(shè)置于所述腔室的第一端，另一根所述進(jìn)氣管設(shè)置于所述腔室的中部空間，每一根所述進(jìn)氣管均具有進(jìn)氣孔，所述工藝氣體通過所述進(jìn)氣管傳輸并由所述進(jìn)氣孔進(jìn)入所述腔室；其中，所述進(jìn)氣管在垂直于所述腔室的長度方向的截面形狀包括環(huán)形或開環(huán)形。

3、在一些實(shí)施例中，所述腔室的橫截面的形狀包括圓形，所述進(jìn)氣管在垂直于所述腔室的長度方向的截面形狀包括圓環(huán)形或弧形。

4、在一些實(shí)施例中，所述進(jìn)氣管與所述腔室同軸設(shè)置。

5、在一些實(shí)施例中，所述腔室具有靠近地面的底面和遠(yuǎn)離地面的頂面，以及連接所述底面和所述頂面的第一側(cè)面和第二側(cè)面；其中，所述進(jìn)氣孔的數(shù)量為多個，多個所述進(jìn)氣孔分別靠近所述腔室的頂面、所述腔室的第一側(cè)面和所述腔室的第二側(cè)面。

6、在一些實(shí)施例中，相鄰的所述進(jìn)氣孔之間的距離相等。

7、在一些實(shí)施例中，設(shè)置于所述腔室的中部空間的所述進(jìn)氣管位于所述腔室的靠近所述腔室的第一端的三分之一處。

8、在一些實(shí)施例中，所述反應(yīng)爐包括爐管和套設(shè)于所述爐管上的法蘭，所述爐管和所述法蘭形成所述腔室，所述法蘭具有進(jìn)氣口；所述進(jìn)氣結(jié)構(gòu)還包括：連接管，至少設(shè)置于所述腔室的中部空間的所述進(jìn)氣管通過所述連接管與所述進(jìn)氣口連接。

9、在一些實(shí)施例中，設(shè)置于所述腔室的第一端的所述進(jìn)氣管安裝于所述法蘭的內(nèi)壁，所述進(jìn)氣口包括第一進(jìn)氣口和第二進(jìn)氣口，所述第一進(jìn)氣口與設(shè)置于所述腔室的第一端的所述進(jìn)氣管連接；所述連接管分別連接所述第二進(jìn)氣口與設(shè)置于所述腔室的中部空間的所述進(jìn)氣管。

10、在一些實(shí)施例中，反應(yīng)爐還包括：固定結(jié)構(gòu)，與所述法蘭連接，并與所述進(jìn)氣管可拆卸連接。

11、第二方面，本公開的實(shí)施例提供了一種反應(yīng)爐，包括：主體，具有腔室，所述腔室具有相對的第一端和第二端以及位于所述第一端與第二端之間的中部空間，所述反應(yīng)爐的排氣結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述腔室的第二端；如第一方面所述的進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，被配置為向所述腔室內(nèi)傳輸工藝氣體。

12、本公開的實(shí)施例提供的進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，應(yīng)用于反應(yīng)爐。反應(yīng)爐具有長條形的腔室。在腔室的長度方向上腔室具有相對的第一端和第二端以及位于第一端與第二端之間的中部空間。進(jìn)氣結(jié)構(gòu)用于向腔室內(nèi)傳輸工藝氣體。進(jìn)氣結(jié)構(gòu)包括：至少兩根進(jìn)氣管。一根進(jìn)氣管設(shè)置于腔室的第一端，另一根進(jìn)氣管設(shè)置于腔室的中部空間。每一根進(jìn)氣管均具有進(jìn)氣孔，工藝氣體通過進(jìn)氣管傳輸并由進(jìn)氣孔進(jìn)入腔室。進(jìn)氣管在垂直于腔室的長度方向的截面形狀包括環(huán)形或開環(huán)形。通過至少兩根進(jìn)氣管以及進(jìn)氣管上的進(jìn)氣孔，實(shí)現(xiàn)了在腔室內(nèi)多方位同時進(jìn)氣，提升了腔室的第一端和第二端以及中部空間的氣體分布均勻性，進(jìn)而提升了成膜的均勻性和穩(wěn)定性。

技術(shù)特征：

1.一種進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，其特征在于，應(yīng)用于反應(yīng)爐，所述反應(yīng)爐具有長條形的腔室，在所述腔室的長度方向上所述腔室具有相對的第一端和第二端以及位于所述第一端與第二端之間的中部空間，所述進(jìn)氣結(jié)構(gòu)用于向所述腔室內(nèi)傳輸工藝氣體；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述腔室的橫截面的形狀包括圓形，所述進(jìn)氣管在垂直于所述腔室的長度方向的截面形狀包括圓環(huán)形或弧形。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述進(jìn)氣管與所述腔室同軸設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述腔室具有靠近地面的底面和遠(yuǎn)離地面的頂面，以及連接所述底面和所述頂面的第一側(cè)面和第二側(cè)面；

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，其特征在于，相鄰的所述進(jìn)氣孔之間的距離相等。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，其特征在于，設(shè)置于所述腔室的中部空間的所述進(jìn)氣管位于所述腔室的靠近所述腔室的第一端的三分之一處。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述反應(yīng)爐包括爐管和套設(shè)于所述爐管上的法蘭，所述爐管和所述法蘭形成所述腔室，所述法蘭具有進(jìn)氣口；

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，其特征在于，設(shè)置于所述腔室的第一端的所述進(jìn)氣管安裝于所述法蘭的內(nèi)壁，所述進(jìn)氣口包括第一進(jìn)氣口和第二進(jìn)氣口，所述第一進(jìn)氣口與設(shè)置于所述腔室的第一端的所述進(jìn)氣管連接；所述連接管分別連接所述第二進(jìn)氣口與設(shè)置于所述腔室的中部空間的所述進(jìn)氣管。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

10.一種反應(yīng)爐，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及光伏材料制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種進(jìn)氣結(jié)構(gòu)和反應(yīng)爐，解決了由于爐內(nèi)氣體分布均勻性差，導(dǎo)致成膜的均勻性和穩(wěn)定性差的問題。該進(jìn)氣結(jié)構(gòu)應(yīng)用于反應(yīng)爐。反應(yīng)爐具有長條形的腔室，在腔室的長度方向上腔室具有相對的第一端和第二端以及位于第一端與第二端之間的中部空間。進(jìn)氣結(jié)構(gòu)包括：至少兩根進(jìn)氣管，一根進(jìn)氣管設(shè)置于腔室的第一端，另一根進(jìn)氣管設(shè)置于腔室的中部空間。進(jìn)氣管具有進(jìn)氣孔，工藝氣體通過進(jìn)氣管傳輸并由進(jìn)氣孔進(jìn)入腔室。進(jìn)氣管在垂直于腔室的長度方向的截面形狀包括環(huán)形或開環(huán)形。通過至少兩根進(jìn)氣管以及進(jìn)氣管上的進(jìn)氣孔，實(shí)現(xiàn)了腔室多方位進(jìn)氣，提升了腔室的氣體分布均勻性，進(jìn)而提升了成膜的均勻性和穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員：高曉暢,毛文龍,梁笑,張武
受保護(hù)的技術(shù)使用者：拉普拉斯新能源科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240125
技術(shù)公布日：2024/12/19