本技術涉及鍍膜，尤其涉及一種磁控濺射裝置及磁控濺射設備。

背景技術：

1、磁控濺射具有基片溫度低、薄膜質(zhì)純、組織均勻密實、牢固性和重復性好等優(yōu)點，被廣泛應用于半導體、太陽能和平板顯示等行業(yè)。磁控濺射工作原理是指氬原子在電場作用下形成氬離子和電子，氬離子經(jīng)電場加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射，濺射出的中性靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜。

2、相關技術中，磁控管在靶材背面往復運動以進行掃描，以使靶材與待鍍膜基片之間形成與電場正交的磁場。然而，在磁控管的往復掃描過程中，由于需要進行換向從而會產(chǎn)生停滯。磁鐵停滯時，靶材的中心磁場弱、邊緣磁場強，因此相對于整個靶材的靶面造成磁場分布不均。在此情況下隨著鍍膜時間的增長，會在磁控管停滯時所對應靶材的位置形成溝槽，并隨著鍍膜時間的增長溝槽會逐漸加深，直至擊穿靶材，造成整個靶材無法使用，但此時靶材的中間位置并未完全消耗，由此靶材的利用率較低。

技術實現(xiàn)思路

1、本實用新型旨在至少解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題之一。為此，本實用新型提出一種磁控濺射裝置，能夠降低單個停滯點處靶材的刻蝕速度，提高了靶材的利用率。

2、本實用新型還提出一種具有上述磁控濺射裝置的磁控濺射設備。

3、根據(jù)本實用新型的第一方面實施例的磁控濺射裝置，包括：

4、承載件，所述承載件用于承載靶材；

5、磁控管，所述磁控管位于所述靶材沿其厚度方向的一側，用于形成磁場；

6、驅(qū)動件，所述驅(qū)動件與所述承載件和所述磁控管中的任一個連接，以驅(qū)使所述磁控管相對于所述承載件沿預設路徑往復移動；

7、其中，設定所述預設路徑具有第一端和第二端，在所述第一端設置有n個起始位置，在所述第二端設置有n個調(diào)轉位置，n為大于等于2的正整數(shù)，設定所述磁控管由所述第一端移動至所述第二端為第一行程，由所述第二端移動至所述第一端為第二行程，所述磁控管被配置為：交替進行所述第一行程和所述第二行程，并且，相鄰所述第一行程的所述起始位置和所述調(diào)轉位置均不相同，相鄰所述第二行程的所述起始位置和所述調(diào)轉位置均不相同。

8、根據(jù)本實用新型實施例的磁控濺射裝置，至少具有如下有益效果：

9、本申請的磁控濺射裝置通過在預設路徑的兩端分別設置多個停滯點，從而降低了單個停滯點處靶材的刻蝕速度，縮小了停滯點與非停滯點處的刻蝕速度差，以使整個靶材的刻蝕速度趨于接近，從而延緩了靶材的報廢時間，增加了靶材的使用壽命，提高了靶材的利用率。

10、根據(jù)本實用新型的一些實施例，沿所述磁控管的移動方向，任一所述起始位置和任一所述調(diào)轉位置的距離均不小于所述基片的寬度。

11、根據(jù)本實用新型的一些實施例，相鄰所述起始位置的間距大于等于5mm，相鄰所述調(diào)轉位置的間距大于等于5mm。

12、根據(jù)本實用新型的一些實施例，所述第一端設置有兩個所述起始位置，所述第二端設置有兩個所述調(diào)轉位置，設定每交替進行兩個所述第一行程和兩個所述第二行程為一個移動周期，各所述移動周期的移動路徑相同。

13、根據(jù)本實用新型的一些實施例，將兩個所述起始位置分別設定為第一起始位置和第二起始位置；將兩個所述調(diào)轉位置分別設定為第一調(diào)轉位置和第二調(diào)轉位置；沿所述磁控管的移動方向，所述第一起始位置、所述第二起始位置、所述第一調(diào)轉位置和所述第二調(diào)轉位置依次設置；

14、其中，當進行第一個所述第一行程時，所述磁控管由所述第一起始位置移動至所述第二調(diào)轉位置；當進行第一個所述第二行程時，所述磁控管由所述第二調(diào)轉位置移動至所述第二起始位置；當進行第二個所述第一行程時，所述磁控管由所述第二起始位置移動至所述第一調(diào)轉位置；當進行第二個所述第二行程時，所述磁控管由所述第一調(diào)轉位置移動至所述第一起始位置。

15、根據(jù)本實用新型的一些實施例，將兩個所述起始位置分別設定為第一起始位置和第二起始位置；將兩個所述調(diào)轉位置分別設定為第一調(diào)轉位置和第二調(diào)轉位置；沿所述磁控管的移動方向，所述第一起始位置、所述第二起始位置、所述第一調(diào)轉位置和所述第二調(diào)轉位置依次設置；

16、其中，當進行第一個所述第一行程時，所述磁控管由所述第一起始位置移動至所述第一調(diào)轉位置；當進行第一個所述第二行程時，所述磁控管由所述第一調(diào)轉位置移動至所述第二起始位置；當進行第二個所述第一行程時，所述磁控管由所述第二起始位置移動至所述第二調(diào)轉位置；當進行第二個所述第二行程時，所述磁控管由所述第二調(diào)轉位置移動至所述第一起始位置。

17、根據(jù)本實用新型的一些實施例，將兩個所述起始位置分別設定為第一起始位置和第二起始位置；將兩個所述調(diào)轉位置分別設定為第一調(diào)轉位置和第二調(diào)轉位置；沿所述磁控管的移動方向，所述第一起始位置、所述第二起始位置、所述第一調(diào)轉位置和所述第二調(diào)轉位置依次設置；

18、其中，當進行第一個所述第一行程時，所述磁控管由所述第二起始位置移動至所述第一調(diào)轉位置；當進行第一個所述第二行程時，所述磁控管由所述第一調(diào)轉位置移動至所述第一起始位置；當進行第二個所述第一行程時，所述磁控管由所述第一起始位置移動至所述第二調(diào)轉位置；當進行第二個所述第二行程時，所述磁控管由所述第二調(diào)轉位置移動至所述第二起始位置。

19、根據(jù)本實用新型的一些實施例，將兩個所述起始位置分別設定為第一起始位置和第二起始位置；將兩個所述調(diào)轉位置分別設定為第一調(diào)轉位置和第二調(diào)轉位置；沿所述磁控管的移動方向，所述第一起始位置、所述第二起始位置、所述第一調(diào)轉位置和所述第二調(diào)轉位置依次設置；

20、其中，當進行第一個所述第一行程時，所述磁控管由所述第二起始位置移動至所述第二調(diào)轉位置；當進行第一個所述第二行程時，所述磁控管由所述第二調(diào)轉位置移動至所述第一起始位置；當進行第二個所述第一行程時，所述磁控管由所述第一起始位置移動至所述第一調(diào)轉位置；當進行第二個所述第二行程時，所述磁控管由所述第一調(diào)轉位置移動至所述第二起始位置。

21、根據(jù)本實用新型的一些實施例，當所述磁控管進行所述第一行程時，以上一個所述第二行程的終點作為起點；當所述磁控管進行所述第二行程時，以上一個所述第一行程的終點作為起點。

22、根據(jù)本實用新型的第二方面實施例的磁控濺射設備，包括上述實施例中任一項所述的磁控濺射裝置。

23、本實用新型的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本實用新型的實踐了解到。

技術特征：

1.磁控濺射裝置，用于給基片鍍膜，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的磁控濺射裝置，其特征在于，沿所述磁控管的移動方向，任一所述起始位置和任一所述調(diào)轉位置的距離均不小于所述基片的寬度。

3.根據(jù)權利要求1所述的磁控濺射裝置，其特征在于，相鄰所述起始位置的間距大于等于5mm，相鄰所述調(diào)轉位置的間距大于等于5mm。

4.根據(jù)權利要求1所述的磁控濺射裝置，其特征在于，所述第一端設置有兩個所述起始位置，所述第二端設置有兩個所述調(diào)轉位置，設定每交替進行兩個所述第一行程和兩個所述第二行程為一個移動周期，各所述移動周期的移動路徑相同。

5.根據(jù)權利要求4所述的磁控濺射裝置，其特征在于，將兩個所述起始位置分別設定為第一起始位置和第二起始位置；將兩個所述調(diào)轉位置分別設定為第一調(diào)轉位置和第二調(diào)轉位置；沿所述磁控管的移動方向，所述第一起始位置、所述第二起始位置、所述第一調(diào)轉位置和所述第二調(diào)轉位置依次設置；

6.根據(jù)權利要求4所述的磁控濺射裝置，其特征在于，將兩個所述起始位置分別設定為第一起始位置和第二起始位置；將兩個所述調(diào)轉位置分別設定為第一調(diào)轉位置和第二調(diào)轉位置；沿所述磁控管的移動方向，所述第一起始位置、所述第二起始位置、所述第一調(diào)轉位置和所述第二調(diào)轉位置依次設置；

7.根據(jù)權利要求4所述的磁控濺射裝置，其特征在于，將兩個所述起始位置分別設定為第一起始位置和第二起始位置；將兩個所述調(diào)轉位置分別設定為第一調(diào)轉位置和第二調(diào)轉位置；沿所述磁控管的移動方向，所述第一起始位置、所述第二起始位置、所述第一調(diào)轉位置和所述第二調(diào)轉位置依次設置；

8.根據(jù)權利要求4所述的磁控濺射裝置，其特征在于，將兩個所述起始位置分別設定為第一起始位置和第二起始位置；將兩個所述調(diào)轉位置分別設定為第一調(diào)轉位置和第二調(diào)轉位置；沿所述磁控管的移動方向，所述第一起始位置、所述第二起始位置、所述第一調(diào)轉位置和所述第二調(diào)轉位置依次設置；

9.根據(jù)權利要求1所述的磁控濺射裝置，其特征在于，當所述磁控管進行所述第一行程時，以上一個所述第二行程的終點作為起點；當所述磁控管進行所述第二行程時，以上一個所述第一行程的終點作為起點。

10.磁控濺射設備，其特征在于，包括如權利要求1至9任一項所述的磁控濺射裝置。

技術總結
本技術公開了一種磁控濺射裝置及磁控濺射設備。該磁控濺射裝置包括承載件、磁控管和驅(qū)動件，承載件用于承載靶材；磁控管位于承載件沿其厚度方向的一側，用于形成磁場；驅(qū)動件與承載件和磁控管中的任一個連接，以驅(qū)使磁控管相對于承載件沿預設路徑往復移動；設定預設路徑具有第一端和第二端，在第一端設置有N個起始位置，在第二端設置有N個調(diào)轉位置，設定磁控管由第一端移動至第二端為第一行程，由第二端移動至第一端為第二行程，磁控管被配置為交替進行第一行程和第二行程，并且，相鄰第一行程的起始位置和調(diào)轉位置均不相同，相鄰第二行程的起始位置和調(diào)轉位置均不相同。該裝置降低了單個停滯點處靶材的刻蝕速度，提高了靶材的利用率。

技術研發(fā)人員：胡小波,張曉軍
受保護的技術使用者：深圳市矩陣多元科技有限公司
技術研發(fā)日：20240112
技術公布日：2024/12/19