本公開(kāi)的實(shí)施例涉及用于保持基板的載體、用于在基板上沉積層的設(shè)備及用于支撐基板的方法。本公開(kāi)的實(shí)施例特別涉及用于在真空環(huán)境中保持基板的載體、包括真空沉積腔室的沉積設(shè)備和用于在真空沉積腔室中支撐基板的方法。

背景技術(shù)：

1、用于在基板上進(jìn)行層沉積的技術(shù)包括，例如，熱蒸發(fā)、化學(xué)氣相沉積(chemicalvapor?deposition；cvd)和物理氣相沉積(physical?vapor?deposition；pvd)，例如濺射沉積。濺射沉積工藝可用于在基板上沉積材料層，例如絕緣材料層或金屬層。在濺射沉積工藝期間，用等離子體區(qū)域中產(chǎn)生的離子轟擊具有要沉積在基板上的靶材料的靶，以使靶材料的原子從靶表面移除。移除的原子可以在基板上形成材料層。在反應(yīng)性濺射沉積工藝中，移除的原子可以與等離子體區(qū)域中的氣體(例如氮?dú)饣蜓鯕?反應(yīng)，以在基板上形成靶材料的氧化物、氮化物或氮氧化物。

2、經(jīng)涂覆材料可用于多種應(yīng)用和多種技術(shù)領(lǐng)域。例如，經(jīng)涂覆材料可用于微電子領(lǐng)域，例如用于產(chǎn)生半導(dǎo)體器件。此外，可以使用pvd工藝涂覆用于顯示器的基板。進(jìn)一步的應(yīng)用包括絕緣板、有機(jī)發(fā)光二極管(organic?light?emitting?diode；oled)面板、具有薄膜晶體管(thin?film?transistor；tft)的基板、濾色片等。

3、在沉積工藝期間，基板通常在真空條件下暴露于升高的溫度，這給基板處理和基板冷卻帶來(lái)了挑戰(zhàn)，特別是大面積的薄基板。

4、根據(jù)上文所述，需要提供用于保持基板的載體、用于在基板上沉積材料的沉積設(shè)備以及用于支撐基板的方法，以克服本領(lǐng)域中的至少一些問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于以上所述，提供了根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求的用于將基板保持在彎曲狀態(tài)的載體、用于在彎曲狀態(tài)的基板上沉積層的設(shè)備以及用于支撐彎曲狀態(tài)的基板的方法。在從屬權(quán)利要求、說(shuō)明書(shū)和附圖中示出了進(jìn)一步的特征、細(xì)節(jié)、方面、實(shí)施方式和實(shí)施例。

2、根據(jù)實(shí)施例，提供了一種用于將基板保持在彎曲狀態(tài)的載體。所述載體包括具有彎曲基板支撐表面的載體主體。另外，載體包括用于在基板的邊緣和載體主體之間提供密封的密封件。此外，載體包括用于將基板的邊緣壓在密封件上的基板固定裝置。載體主體包括一個(gè)或多個(gè)氣體供應(yīng)導(dǎo)管，以在基板的背側(cè)和彎曲基板支撐表面之間提供氣墊。

3、根據(jù)實(shí)施例，提供了一種用于在彎曲狀態(tài)的基板上沉積層的設(shè)備。根據(jù)本文所述的任一實(shí)施例，所述設(shè)備包括真空沉積腔室、沉積源的布置、以及用于將基板保持在彎曲狀態(tài)的載體。

4、根據(jù)實(shí)施例，提供了一種用于在真空沉積腔室中支撐彎曲狀態(tài)的基板的方法。所述方法包括提供根據(jù)本文所述的任一實(shí)施例的載體。此外，所述方法包括在所述基板的背側(cè)和所述彎曲基板支撐表面之間提供氣墊。

5、實(shí)施例還針對(duì)用于執(zhí)行所公開(kāi)的方法的設(shè)備，并且包括用于執(zhí)行每個(gè)所述的方法方面的設(shè)備部件。所述方法可以通過(guò)硬件組件、由適當(dāng)軟件編程的計(jì)算機(jī)、通過(guò)兩者的任何組合或以任何其他方式來(lái)執(zhí)行。此外，根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例還針對(duì)用于操作所述設(shè)備的方法。它包括用于執(zhí)行設(shè)備的每個(gè)功能的方法方面。

技術(shù)特征：

1.一種用于將基板(10)保持在彎曲狀態(tài)的載體(100)，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的載體(100)，其中所述基板固定裝置(130)包括多個(gè)夾具。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的載體(100)，其中所述密封件(120)是由柔性材料制成，特別是柔性聚合物材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的載體(100)，進(jìn)一步包括連接到所述一個(gè)或多個(gè)氣體供應(yīng)導(dǎo)管以建立所述氣墊的氣體供應(yīng)(150)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的載體(100)，其中所述氣體供應(yīng)(150)被配置為提供1pa≤p≤20pa的氣墊壓力p。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的載體(100)，其中所述彎曲基板支撐表面(111)是凸形的，用于保持凸形狀態(tài)的所述基板(10)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的載體(100)，其中所述彎曲基板支撐表面(111)是凹形的，用于保持凹形狀態(tài)的所述基板(10)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的載體(100)，進(jìn)一步包括用于冷卻所述載體主體(110)的冷卻系統(tǒng)(190)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的載體(100)，進(jìn)一步包括靜電卡盤(pán)(160)，用于經(jīng)由靜電力保持所述基板(10)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所述的載體(100)，其中所述彎曲基板支撐表面(111)包括用于附接所述基板(10)的背側(cè)(10b)的干式粘合劑材料的多個(gè)長(zhǎng)絲，所述多個(gè)長(zhǎng)絲遠(yuǎn)離所述彎曲基板支撐表面(111)延伸。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的載體(100)，其中所述干式粘合劑材料是合成剛毛材料，特別是gecko粘合劑。

12.一種用于在彎曲狀態(tài)的基板(10)上沉積層的設(shè)備(200)，包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備(200)，其中沉積源(220)的所述布置遵循所述基板(10)的曲率。

14.一種用于在真空沉積腔室(210)中支撐彎曲狀態(tài)的基板(10)的方法(300)，所述方法包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中提供所述氣墊包括：通過(guò)使用氣體供應(yīng)(150)經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)氣體供應(yīng)導(dǎo)管引入氣體。

16.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的方法，其中所述氣墊以1pa≤p≤20pa的壓力p提供。

技術(shù)總結(jié)
提供了一種用于將基板(10)保持在彎曲狀態(tài)的載體(100)。載體(100)包括：載體主體(110)，載體主體(110)具有彎曲基板支撐表面(111)；密封件(120)，用于在基板(10)的邊緣和載體主體(110)之間提供密封；以及用于將基板(10)的邊緣壓到密封件(120)上的基板固定裝置(130)。載體主體(110)包括一個(gè)或多個(gè)氣體供應(yīng)導(dǎo)管(140)，用于在基板(10)的背側(cè)(10B)和彎曲基板支撐表面(111)之間提供氣墊。此外，提供了一種用于在彎曲狀態(tài)的基板上沉積層的設(shè)備和用于在真空沉積腔室中支撐彎曲狀態(tài)的基板的方法。

技術(shù)研發(fā)人員：拉爾夫·林登貝格
受保護(hù)的技術(shù)使用者：應(yīng)用材料公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19